تتوجه SK海力士 (SKHY.US) إلى اليابان للبحث عن قاعدة إنتاج جديدة، فيما تواصل وول ستريت المراهنة على "أزمة تخزين الذكاء الاصطناعي"

أفادت منصة "智通财经APP" أن أحد أكبر مصنعي شرائح التخزين في العالم، SK هايكس (SKHY.US)، يقيّم حالياً جدوى إنشاء مصنع تصنيع شرائح تخزين مشترك في اليابان (Memory Fab)، واضعاً توفر الطاقة والمياه ذات التكلفة المنخفضة كمعايير رئيسية لاختيار الموقع. المشروع المحتمل في اليابان سيكون مكملاً لخطة التوسعة البالغة 54 تريليون وون في كوريا الجنوبية، وقاعدة التغليف المتقدمة في ولاية إنديانا الأمريكية، مستفيداً في الوقت نفسه من مزايا اليابان في معدات أشباه الموصلات المتطورة، والمواد الخام، والعملاء الكبار، والدعم الحكومي، وصلاتها بسلسلة توريد NAND الرائدة لشركة Kioxia. هذه الخطوة تبدو كجزء من التوسع العالمي في الطاقة الإنتاجية الذي تقوده SK هايكس لمواجهة النقص الحاد في شرائح التخزين، إلى جانب اعتبارات التكلفة والمخاطر الجيوسياسية، وليست إشارة إلى وجود فائض في المعروض الأساسي في قوة الحوسبة للذكاء الاصطناعي أو ضعف الطلب.

لا يزال ازدهار سوق شرائح التخزين يُهيمن عليه الاستثمار في البنية التحتية لقوة الحوسبة للذكاء الاصطناعي، وتواصل سلسلة صناعة قوة الحوسبة للذكاء الاصطناعي إعطاء مؤشرات إيجابية على صعيد الطلب. نمت صادرات كوريا الجنوبية في يوليو بنسبة 62.8% على أساس سنوي لتصل إلى 98.89 مليار دولار، حيث قفزت صادرات أشباه الموصلات—الحيوية للاقتصاد الكوري—بنسبة 178.8% لتصل إلى 41.01 مليار دولار؛ وتشير استطلاعات الاقتصاديين إلى توقعات بارتفاع كبير في صادرات أغسطس بنسبة 62.6% على أساس سنوي استناداً إلى قاعدة مرتفعة، مع العلم أن البيانات الرسمية لن تصدر حتى الأول من سبتمبر.

يبدو أن القدرة الفعلية لإنتاج أشباه الموصلات للذكاء الاصطناعي والطلبات أكثر شحاً؛ إذ صرح الرئيس التنفيذي لمجموعة SK، تشوي تاي وون، بأن العملاء يطالبون بزيادة إمدادات أشباه الموصلات للذكاء الاصطناعي لعام 2027 بنسبة 60%—100% مقارنة بالعام 2026، بينما الطاقة الإنتاجية الجديدة محدودة للغاية، وربما لا تزيد عن 50%؛ كما يتوقع الرئيس التنفيذي لشركة SK هايكس، كواك نو جونغ، أن يشهد عام 2027 أسوأ أزمة نقص في شرائح التخزين في تاريخ الصناعة، مع احتمالية استمرار الطلب من العملاء لما بعد عام 2030 بأعلى من قدرة الشركة على الإمداد.

SK هايكس تدرس بناء مصنع شرائح تخزين مشترك في اليابان لتوسيع الإمداد وسط طفرة الذكاء الاصطناعي

تقوم شركة SK هايكس بدراسة جدوى تأسيس مشروع مشترك لإنتاج شرائح التخزين في اليابان؛ وهي إحدى الخيارات المتعددة التي تدرسها الشركة لتلبية الطلب المتواصل المتزايد على أشباه الموصلات للذكاء الاصطناعي مع السيطرة على تكاليف الإنتاج.

ذكر رئيس مجلس إدارة مجموعة SK، تشوي تاي وون، خلال مقابلة على هامش اجتماع أعضاء غرف التجارة والصناعة بين كوريا الجنوبية واليابان في مدينة سينداي، أن عملاق توريد ذاكرة DRAM وNAND الكوري يدرس عدة مواقع محتملة لمصنع تصنيع شرائح تخزين كبير تُدار بشكل مشترك في اليابان.

جعلت طفرة الذكاء الاصطناعي من SK هايكس التي تتخذ من إيتشون، كوريا الجنوبية، مقراً لها، أبرز الأصول في محفظة SK تحت قيادة تشوي تاي وون؛ إذ تساعد منتجاتها Nvidia وأضخم مطوري مراكز البيانات في توفير أهم موارد قوة الحوسبة للذكاء الاصطناعي. وقد أقامت SK هايكس الأسبوع الماضي احتفالاً بوضع حجر الأساس لمنشأة متقدمة لتغليف الشرائح في ولاية إنديانا الأمريكية، وما زالت الشركة تستكشف مزيداً من التوسع في الخارج.

قال تشوي تاي وون للصحفيين: "نتحرك بسرعة لفحص المواقع في أنحاء اليابان". "أي مكان تتوفر فيه الطاقة والمياه بشكل جيد سيكون مناسباً." ورفض الخوض في مزيد من التفاصيل بخصوص الشركاء المحتملين أو المواقع اليابانية المحددة. تنتشر أعمال مجموعة SK في مجالات الطاقة والاتصالات والرقائق الإلكترونية، وهي مسؤولة أيضاً عن توزيع رؤوس الأموال الرئيسية للمجموعة.

لتلبية الطلب الهائل من الذكاء الاصطناعي على تخزين البيانات ومواجهة محاولات الولايات المتحدة لاحتواء الطموحات التكنولوجية الصينية، تبحث SK هايكس عالمياً عن مواقع محتملة للإنتاج والتغليف. تخطط الشركة لاستثمار 54 تريليون وون (حوالي 39 مليار دولار) في توسيع مرافق تصنيع الشرائح في كوريا، كما تبني منشأة ضخمة متقدمة لتغليف شرائح التخزين في مدينة لافاييت الغربية بولاية إنديانا الأمريكية.

يأتي السعي لتحديد موقع للمصنع في اليابان كجزء من جهود أوسع لتوسعة الطاقة الإنتاجية وتعميق التعاون مع العملاء والموردين اليابانيين. وتمتلك الشركة بشكل غير مباشر حصة ضخمة في Kioxia، الشركة الرائدة عالمياً في تصنيع شرائح NAND والتي تتخذ من طوكيو مقراً لها؛ وقد أشار رئيسها التنفيذي كواك نو جونغ الأسبوع الماضي إلى أن الشركة "تدرس بعناية كيفية تطوير سوق شرائح NAND بالتعاون مع العملاء والموردين".

مثلها مثل ذاكرة HBM عالية النطاق الترددي، ازداد الطلب على NAND بشكل كبير؛ حيث تتسابق عمالقة الحوسبة السحابية العالمية مثل Meta Platforms المالكة لـ Facebook، وAmazon، وغيرهم من المستثمرين الكبار في مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي في السنوات الأخيرة على تأمين حجم متزايد من موارد تخزين بيانات NAND للمستقبل، سعياً لأداء أقوى من أقراص HDD التقليدية.

ومن المنافسين الرئيسيين لـ SK هايكس، شركة Micron Technology الأمريكية التي لديها مصنع كبير في هيروشيما باليابان. كما تُعد اليابان مركزاً هاماً للعديد من موردي SK هايكس — بدءاً من شركة Namics غير المدرجة، مروراً بعملاق معدات أشباه الموصلات Tokyo Electron، وصولاً إلى كبار العملاء مثل Sony Group وNintendo. وقد أبدت الحكومة اليابانية أيضاً استعدادها لتقديم دعم مالي ضخم لمشاريع توسعة الطاقة الإنتاجية لمصنعي الشرائح الدوليين مثل TSMC في اليابان.

قال تشوي تاي وون، الذي يشغل أيضاً منصب رئيس غرفة التجارة والصناعة الكورية، قُبيل الاجتماع السنوي لرؤساء غرف التجارة والصناعة في كوريا الجنوبية واليابان، خلال فعالية تركّز على قضية تقلص القوى العاملة في البلدين: "الوقت مناسب الآن لتشكيل دائرة اقتصادية تجمع بين كوريا الجنوبية واليابان".

الذكاء الاصطناعي يلتهم شرائح التخزين، وHBM تستهلك المزيد من الرقائق! صعود SK هايكس لا يتوقف

حتى بداية تعاملات آسيا يوم الإثنين، تراجع سعر سهم SK هايكس في بورصة كوريا بنسبة 1.45%، متداولاً عند حوالي 1.63 مليون وون للسهم. وخلال فترة التداول الليلي في السوق الأمريكية يوم الإثنين، استقر سعر إيصال الإيداع الأمريكي لشركة SK هايكس (SKHY.US) حول 157.8 دولار للسهم.

لا تزال وول ستريت متفائلة إجمالاً بدورة الذكاء الاصطناعي الفائقة لتخزين البيانات، لكنها تُعطي الأولوية لأسهم الشركات الثلاث الكبرى بحسب المرونة السعرية: "قيادة HBM لدى SK هايكس — صفة Micron الأمريكية كشركة تخزين صرفة — مرونة سامسونج في اللحاق والتعافي". حددت Goldman Sachs هدف سعر مرتفع يصل إلى 3.5 مليون وون لسهم SK هايكس، مقابل 3.1 مليون من Citibank و2.6 مليون وون من Morgan Stanley.

تختلف منطقية الاستثمار في العمالقة الثلاث الكبار بشكل واضح: فشركة SK هايكس هي الرهان الأنقى والأكثر حساسية لسعر التخزين للذكاء الاصطناعي مع قيادة HBM وبرنامج لإعادة شراء وإلغاء 40 تريليون وون من الأسهم؛ أما Micron فهي الأنقى في السوق الأمريكية من حيث سيولة شرائح التخزين؛ وسامسونج تمثل رهاناً ذا رافعة تشغيلية عالية مستندة إلى الحجم وإلى تقدمها التدريجي في HBM.

تحتاج مجموعات بيانات التدريب الضخمة للذكاء الاصطناعي، وأوزان النماذج، ونقاط التحقق، وقواعد بيانات المتجهات، ومستودعات بيانات RAG، والبيانات متعددة الوسائط، والسجلات، ونتائج الاستدلال إلى تخزين طويل الأمد في وسائط عالية السعة. وفي أثناء التدريب، تُضخ البيانات بكميات هائلة بشكل مستمر من التخزين كائنات ومن أقراص NVMe SSD المحلية إلى تجمعات GPU؛ أما في زمن الاستدلال فتُنتج أطنان من ذاكرة تخزين مؤقتة KV والسياقات الطويلة وحالات الوكيل وبيانات الاسترجاع.

تتكفل HBM بأعلى مستويات النطاق الترددي لطبقة البيانات الساخنة، بينما تتولى DRAM عالية الأداء على مستوى الشركات الذاكرة النظامية لتشغيل النظام، وتتولى NAND SSD على مستوى الشركات طبقة البيانات الدافئة والمستمرة ذات السعة الأكبر بكثير والتكلفة الأقل من HBM. ولذلك، لا تعتبر NAND بديلاً عن HBM، بل تتوسع بالتوازي مع HBM وDRAM ضمن طبقات تخزين خوادم الذكاء الاصطناعي.

عصر الذكاء الاصطناعي لا يتطلب النماذج الحاسوبية المتطورة وحسب، بل يقتضي أيضاً نقل وتخزين واستدعاء كم هائل من بيانات الحالة بزمن وصول منخفض. ورغم أن HBM وDRAM يخدمان مجموعة العمل عالية النطاق الترددي قرب وحدات GPU، إلا أن أوزان النماذج، وبيانات التدريب، ونقاط التحقق، وقواعد بيانات المتجهات، ومستودعات المعرفة RAG، وسجلات الاستدلال، وذاكرة الوكيل الطويلة الأمد وبعض طبقات التخزين المؤقت KV لا يمكن أن تقيم كلها دائماً في HBM المكلف وصغير السعة؛ لذا تتولى أقراص NVMe SSD للشركات طبقة التخزين المستمر عالية الأداء بين HBM/DRAM من جهة وأقراص HDD والتخزين الكائني من جهة أخرى.

أظهر تقرير لمؤسسة أبحاث السوق الشهيرة TrendForce أن المؤسسة تتوقع ارتفاع أسعار عقود خوادم DRAM بحلول عام 2026 بما يصل إلى 270% تراكمياً، وأسعار أقراص الحالة الصلبة للشركات إلى ما يقرب من 235%؛ كما لا تزال أسعار عقود HBM لعام 2027 مرشحة للارتفاع بنسبة 70%—140%. ويتوقع أن ترتفع أسعار عقود DRAM لخوادم مراكز البيانات في الربع الثالث 2026 بنسبة 13%—18% مقارنة بالربع الثاني المرتفع أساساً، فيما لا يتجاوز نمو توريد وحدات RDIMM لعام 2027 نحو 15%—20% فقط، ما يبقيه أدنى بكثير من إجمالي الطلب في شحنات DRAM للخادمات.

تشير أحدث بيانات ديناميكية الطلب في سلسلة صناعة التخزين وسلسلة صناعة قوة حوسبة الذكاء الاصطناعي عموماً إلى أن التوسع في الطلب على شرائح التخزين بسبب الذكاء الاصطناعي بدأ ينتقل بسرعة من HBM/DRAM إلى NAND، حيث أصبحت أعباء الاستدلال الهائلة في الذكاء الاصطناعي المحرك الرئيسي لهذا التغيير الهيكلي في الطلب على NAND.

إن النمو الهائل وغير المسبوق في الطلب على التخزين نتيجة تطور قوة حوسبة الذكاء الاصطناعي، وتعقيد عمليات تصنيع وتغليف HBM الشديد، إلى جانب نقص مرونة التوريد طويل الأجل في DRAM وNAND القياسية، دفعت مجتمعةً إلى خلق "دورة نقص التوريد الفائق" غير المسبوقة في مجال شرائح تخزين الذكاء الاصطناعي.