La domanda di storage AI continua a crescere: NVIDIA CMX potrebbe consumare oltre 100 milioni di TB di NAND il prossimo anno, Samsung ha già iniziato le forniture

La domanda di flash NAND da parte dei server AI di Nvidia sta entrando in una fase di crescita esplosiva e Samsung Electronics, grazie al suo vantaggio produttivo, sta rapidamente trasformando questa tendenza in un'opportunità strategica.

Secondo quanto riportato dal Seoul Economic Daily il 20 luglio, Samsung Electronics ha avviato la produzione in serie della decima generazione di V-NAND (V10) ed ha iniziato le forniture ufficiali a Nvidia, allocando contemporaneamente circa il 60% della capacità produttiva totale di V-NAND alla linea della nona generazione (V9) per rispondere alla domanda della nuova generazione di dispositivi di archiviazione "Context Memory Storage" (CMX) che Nvidia è prossima a lanciare. Gli esperti del settore prevedono che la capacità NAND richiesta dal CMX salirà dai 35 milioni di TB di quest'anno a oltre 100 milioni di TB il prossimo anno.

Questa ondata di domanda avrà un impatto profondo sull'intero quadro dell'offerta del mercato NAND. Il massiccio accaparramento di NAND da parte di Nvidia comporta una significativa riduzione della disponibilità di chip di memoria per altre aziende e consumatori, esercitando pressione al rialzo sui prezzi di mercato.

Contestualmente, il presidente di Samsung Electronics, Lee Jae-yong, dovrebbe incontrarsi a breve a San Francisco con il CEO di Nvidia, Jensen Huang, per discutere approfonditamente la fornitura di HBM e prodotti NAND di prossima generazione, nonché una futura collaborazione per la costruzione di data center in Corea del Sud.

Il CMX traina l'impennata della domanda di NAND, Nvidia si assicura la capacità produttiva di Samsung

Il CMX di Nvidia nasce dall'esplosione del volume dei dati della "Key-Value Cache" (KV Cache) durante i processi di inferenza AI. In passato, i server GPU potevano gestire internamente i dati della KV Cache, ma con la crescita costante della dimensione dei dati, dispositivi di archiviazione esterni equipaggiati con SSD da diverse migliaia di TB sono diventati una dotazione indispensabile per i server AI.

Secondo wccftech, ogni singolo dispositivo Nvidia CMX è dotato di 576 SSD, con una capacità totale di memoria di 9600TB. Secondo le stime del settore, la capacità NAND richiesta dal CMX nel 2024 si aggira intorno ai 35 milioni di TB, e il prossimo anno supererà i 100 milioni di TB. L'analista indipendente del settore dei semiconduttori @jukan05 ha pubblicato su X osservando che 100 milioni di TB equivalgono in pratica a una nuova fonte di domanda comparabile, per dimensioni, a quella di Apple nell’intero mercato NAND: un impatto sull'offerta assolutamente da non sottovalutare.

Attualmente, la capacità produttiva mensile di wafer V-NAND di Samsung supera le 100.000 unità. Secondo le notizie, Nvidia ha già richiesto a Samsung un aumento della produzione di NAND alla vigilia della spedizione del CMX, e Samsung si sta attivando positivamente in tal senso. Quest’anno la produzione totale di NAND di Samsung dovrebbe attestarsi intorno ai 250 milioni di TB, con l’obiettivo di consolidare il proprio ruolo di principale fornitore del CMX di Nvidia grazie alla sua posizione di leadership produttiva globale.

V9 a regime, V10 in produzione di massa, V11 in test: tre generazioni Samsung in parallelo

Nell’organizzazione delle linee di prodotto, Samsung sta avanzando simultaneamente nella produzione di tre generazioni di V-NAND.

Per quanto riguarda il V9, Samsung ha aumentato la sua quota produttiva fino a circa il 60% della capacità V-NAND totale; il rendimento ha superato l’80%, entrando in una fase di produzione matura. Solo un anno fa, la V8 rappresentava ancora una quota significativa della produzione V-NAND, ma oggi questa percentuale è scesa sotto il 40%, a dimostrazione della rapida risposta di Samsung alla domanda dei server AI. Inoltre, oltre la metà dello spazio delle clean room dedicate alla produzione NAND nel quarto stabilimento di Pyeongtaek (P4) non è ancora stato utilizzato, lasciando ampio margine per l’espansione futura delle linee.

Sul fronte V10, la produzione in serie è stata avviata ufficialmente nella prima metà di quest’anno; per ora la quota sul totale V-NAND resta inferiore al 5%, trovandosi ancora in fase di rampa produttiva. Il V10 adotta una struttura impilata di circa 400 strati, offrendo una densità di memoria superiore di oltre il 50% rispetto ai 286 strati del V9: nei moduli CMX della stessa dimensione potranno essere montati SSD di capacità ancora più elevata. Da notare che il V10 vedrà per la prima volta l’utilizzo massiccio del molibdeno al posto del tungsteno nella cablatura interna, permettendo una riduzione dello spessore dei cavi del 30-40%; tale tecnologia era stata già testata su scala minore nel V9.

Quanto al V11, Samsung ha iniziato la produzione pilota all’inizio dell’anno, puntando a uno stacking di 400-500 strati, circa 100 in più rispetto al V10. L’azienda prevede di raddoppiare la portata dei test nella seconda metà dell’anno per raccogliere sufficienti dati sulla resa e accelerare la realizzazione della produzione in serie.

Effetto di concentrazione dell’offerta: aumentano le pressioni sul mercato consumer

L’approfondimento dell’alleanza NAND tra Samsung e Nvidia non solo rafforza le prospettive finanziarie di Samsung, ma aggrava anche la polarizzazione dell’offerta nell’intero settore della memoria.

Si stima che gli utili di Samsung del 2026 supereranno il totale dei profitti cumulati negli ultimi quarant’anni, grazie soprattutto all’impennata strutturale della domanda di storage per server AI. Tuttavia, l’altra faccia di questa medaglia è che se Samsung vincola una quota così rilevante della produzione a grandi clienti tecnologici come Nvidia, l’offerta verso altre società e consumatori subirà un’evidente compressione, facendo salire i rischi di aumenti dei prezzi di mercato.

In precedenza, la corsa all’AI aveva già portato a carenze di DRAM e ad aumenti significativi di prezzo; ora il mercato NAND sta vivendo una dinamica analoga di stretta dell’offerta. Con la continua crescita delle spedizioni Nvidia CMX, questa pressione è destinata ad aumentare ulteriormente.

Guardando al lungo periodo, l’accelerazione dello sviluppo del V11 NAND potrebbe dare respiro al mercato consumer: la tecnologia con 500 strati impilati consentirebbe, almeno in teoria, una produzione di SSD consumer ad alta capacità a costi inferiori, a patto che Samsung assegni capacità produttiva a questo segmento. Tuttavia, attualmente, la direzione della capacità produttiva non lascia molto spazio all’ottimismo.

Prossimo incontro tra Lee Jae-yong e Jensen Huang, la cooperazione si espande

La collaborazione tra Samsung e Nvidia si è estesa dalla DRAM e dalla HBM fino ai servizi di fonderia, includendo ora anche il flash NAND nell'alleanza strategica, con una profondità e ampiezza di cooperazione in continua crescita.

Secondo le notizie, Lee Jae-yong incontrerà a breve a San Francisco il CEO di Nvidia Jensen Huang . I temi previsti dell’incontro includono la definizione della fornitura di HBM e dei prossimi prodotti NAND, oltre a strategie di cooperazione per la costruzione di data center in Corea del Sud, come a Gwangju.

Secondo gli esperti del settore, "l’alleanza tra Samsung e Nvidia abbraccia l’intero spettro tra storage e foundry: le discussioni tra i due leader imprenditoriali si faranno sempre più approfondite". Con le spedizioni del Nvidia CMX ormai prossime, la valenza strategica di questo incontro sarà ulteriormente amplificata.