Mayor demanda de almacenamiento para IA: el CMX de Nvidia podría consumir más de 100 millones de TB de NAND el próximo año, Samsung ya comenzó a suministrar

La demanda de los servidores de inteligencia artificial de Nvidia por la memoria de tipo NAND flash está entrando en una etapa de crecimiento explosivo, y Samsung Electronics está convirtiendo rápidamente esta tendencia en una oportunidad estratégica gracias a su ventaja en capacidad de producción.

Según informó el diario económico de Seúl el 20 de julio, Samsung Electronics ha iniciado la producción en masa de la décima generación de V-NAND (V10) y está suministrando oficialmente a Nvidia, destinando aproximadamente el 60% de la capacidad total de V-NAND a las líneas de producción de la novena generación (V9) para satisfacer la demanda de la nueva generación de dispositivos de almacenamiento de Nvidia llamados "Context Memory Storage" (CMX). Se estima en la industria que la capacidad de NAND requerida para CMX se disparará de 35 millones de TB este año a más de 100 millones de TB el próximo año.

Esta ola de demanda tiene un profundo impacto en la estructura de suministro de todo el mercado de NAND. El bloqueo a gran escala de NAND por parte de Nvidia implica que el suministro de chips de almacenamiento disponible para otras empresas y consumidores se reducirá drásticamente, lo que ejercerá presión al alza sobre los precios del mercado.

Al mismo tiempo, se espera que el presidente de Samsung Electronics, Lee Jae-yong, se reúna próximamente en San Francisco con el CEO de Nvidia, Jensen Huang, para discutir en profundidad temas de colaboración relacionados con el suministro de HBM y productos NAND de próxima generación, así como la construcción de centros de datos en Corea.

CMX impulsa el salto en demanda de NAND, Nvidia asegura capacidad de Samsung

La aparición del CMX de Nvidia surge por la rápida expansión de los datos de "Key-Value Cache" (KV Cache) durante el proceso de inferencia de IA. Anteriormente, los servidores GPU podían procesar internamente los datos de KV Cache, pero a medida que el volumen de datos crece, los dispositivos de almacenamiento externos equipados con miles de TB de SSD se han vuelto configuraciones esenciales para los servidores de IA.

Según wccftech, cada dispositivo CMX de Nvidia incorpora 576 unidades SSD, con una capacidad total de almacenamiento de 9600 TB. La industria estima que la capacidad de NAND requerida para CMX este año es de aproximadamente 35 millones de TB, y que el próximo año superará los 100 millones de TB. El analista independiente del sector de semiconductores @jukan05 publicó en X que una escala de 100 millones de TB equivale aproximadamente a añadir una nueva fuente de demanda del tamaño de Apple al mercado de NAND, lo que supone un impacto significativo en la oferta.

Actualmente, la capacidad de producción mensual de obleas V-NAND de Samsung Electronics supera las 100 mil unidades. Según varios informes, Nvidia ha pedido a Samsung ampliar la capacidad de NAND justo antes del lanzamiento de CMX, y Samsung está respondiendo activamente. Se espera que la producción total de NAND de Samsung este año alcance unos 250 millones de TB, y la empresa planea consolidar su posición como proveedor principal de CMX de Nvidia, aprovechando su escala líder mundial.

Producción estable de V9, producción masiva de V10 y pruebas de V11: tres generaciones avanzan en Samsung

En cuanto a las líneas de productos, Samsung está impulsando simultáneamente la fabricación de tres generaciones de productos V-NAND.

Respecto a V9, Samsung ha incrementado su proporción de capacidad hasta aproximadamente el 60% de la capacidad total de V-NAND, con una tasa de éxito estabilizada por encima del 80%, entrando en una fase madura de producción masiva. Hace un año, V8 representaba una parte considerable de la producción de V-NAND, pero ahora su cuota se ha reducido por debajo del 40%, lo que demuestra la capacidad de Samsung para responder rápidamente a la demanda de servidores de IA. Además, en la sala limpia dedicada a NAND de la cuarta planta de Pyeongtaek (P4), más de la mitad del espacio aún está sin utilizar, brindando amplia posibilidad para futuras ampliaciones.

En cuanto a V10, Samsung inició oficialmente la producción en masa en el primer semestre de este año, aunque la producción representa menos del 5% del total de V-NAND y permanece en una fase de escalada. V10 cuenta con una arquitectura apilada de aproximadamente 400 capas, un aumento de más del 50% en densidad de almacenamiento respecto a las 286 capas de V9, permitiendo instalar SSDs de mayor capacidad en el mismo módulo CMX. Destaca que V10 implementa por primera vez a gran escala materiales de molibdeno para sustituir el cableado de tungsteno tradicional, lo que puede reducir el grosor del cableado entre un 30% y un 40%, tecnología que Samsung comenzó a aplicar en pequeña escala en V9.

Respecto a V11, Samsung inició pruebas de producción a principios de este año, teniendo como objetivo entre 400 y 500 capas apiladas, lo que supone unas 100 capas más frente a V10. Samsung planea duplicar el volumen de pruebas en el segundo semestre para acumular suficientes datos de tasa de éxito y acelerar la construcción de sistemas de producción en masa.

Efectos de concentración de suministro, presión en el mercado de consumo

La profundización de la alianza NAND entre Samsung y Nvidia impulsa las expectativas de rendimiento de Samsung, pero también intensifica la segmentación del suministro en toda la industria de la memoria.

Según varios informes, se prevé que el beneficio de Samsung en 2026 supere la suma de los beneficios acumulados de los últimos 40 años, en gran medida gracias a la explosión estructural de la demanda de almacenamiento en servidores de IA. Sin embargo, el otro lado de esta bonanza es que, con la gran proporción de capacidad destinada a clientes tecnológicos grandes como Nvidia, el suministro de NAND a otras empresas y consumidores será notablemente comprimido, aumentando el riesgo de subidas de precios de almacenamiento.

Anteriormente, el auge de la IA provocó primero una escasez de DRAM y un fuerte aumento de precios; ahora el mercado de NAND enfrenta una lógica similar de restricción de suministro. Con la expansión continua de los envíos de CMX de Nvidia, se espera que esta presión se intensifique aún más.

A largo plazo, el desarrollo acelerado de V11 NAND podría ofrecer cierto alivio al mercado de consumo: la tecnología de apilado de 500 capas permite teóricamente la producción masiva de SSDs de gran capacidad para consumo a un costo menor, pero esto depende de que Samsung destine parte de su capacidad. Dada la actual dirección de asignación de capacidad, este panorama aún no es optimista.

Próximo encuentro entre Lee Jae-yong y Jensen Huang: expansión del mapa de cooperación

La colaboración entre Samsung y Nvidia se ha expandido de DRAM y HBM a servicios de fabricación, y ahora añade NAND flash al marco de la alianza, profundizando y ampliando el alcance de la colaboración.

Según varios informes, Lee Jae-yong se reunirá próximamente en San Francisco con el CEO de Nvidia, Jensen Huang. Los temas de la reunión incluirán la coordinación de suministro de HBM y productos NAND de nueva generación, así como proyectos de colaboración para construir centros de datos en lugares como Gwangju, Corea del Sur.

Fuentes del sector indican: "La alianza entre Samsung y Nvidia abarca toda la línea de negocios de memoria y fabricación, y la discusión entre ambos líderes profundizará aún más la cooperación." A medida que los envíos de Nvidia CMX se acercan, el significado estratégico de este encuentro será aún más relevante.