Nachdem der NAND-Preis in einer Saison um 70 % gestiegen ist, nimmt SK Hynix die zweite Phase in Dalian wieder auf und beschleunigt das Rennen mit Samsung in Xi'an.
Laut TrendForce plant SK hynix, in der zweiten Hälfte des Jahres 2026 das zuvor auf Eis gelegte Erweiterungsprojekt für die zweite Phase der Fabrik in Dalian wieder aufzunehmen und eine zusätzliche V8 (238-Schichten) NAND-Produktionslinie zu installieren. Das Projekt wurde zuvor aufgrund der schwachen NAND-Marktlage und der US-Exportkontrollen pausiert; die Wiederaufnahme signalisiert, dass das Unternehmen die historische Erholung der NAND-Preise in eine konkrete Kapazitätsplanung umsetzt.
Nach einem Bericht von News Tomato wird SK hynix in der zweiten Jahreshälfte mit der Installation von Produktionsanlagen in der zweiten Phase der Dalian-Fabrik beginnen und die Einrichtung phasenweise bis zur ersten Hälfte von 2027 fertigstellen. Inländische Partner haben bereits damit begonnen, ungenutzte NAND-Anlagen nach Dalian zu verlagern, während ausländische Lieferanten angeblich erste Bestellungen zur Lieferung von Geräten erhalten haben.
Sisa Journal hat weitere Details zur Kapazität veröffentlicht: Die zweite Phase in Dalian erhält eine neue V8 Produktionslinie (238 Schichten) mit einem Monatsziel von 30.000 bis 50.000 Wafern. Die erste Phase der Dalian-Fabrik wird derzeit auf 192-Schichten NAND umgestellt und ersetzt ältere Anlagen.
Der Wendepunkt hinter der Pause: Von Exportkontrollen zur jährlichen Genehmigung
Die Erweiterung der zweiten Phase in Dalian geriet ins Stocken, aus zwei Gründen: Erstens wegen Unsicherheiten bei den US-Exportkontrollen für Halbleiteranlagen nach China, und zweitens wegen der anhaltend schwachen NAND-Marktsituation.
Auf regulatorischer Ebene hat sich ein entscheidender Faktor geändert. Laut News Tomato hat die US-Regierung das bisherige "Verified End User" (VEU) System angepasst und ist zu einem jährlichen Genehmigungsprozess für Geräteeinfuhren übergegangen, wodurch die Unsicherheit bei der Ausrüstungslieferung reduziert wird. Dies schafft für SK hynix Spielraum, die Erweiterung in Dalian wieder aufzunehmen.
Der Zeitpunkt dieser Systemänderungen ist bemerkenswert. Vor diesem Hintergrund beobachtet der Markt, ob SK hynix das Wachstum im DRAM- und HBM-Segment nutzen kann, um durch die Erweiterung in Dalian den Wert der Übernahme des Intel-NAND-Geschäfts für 11 Billionen KRW (ca. 8 Milliarden USD) weiter zu erschließen. Der Bericht betont, dass die zweite Phase in Dalian als der Standort mit der schnellsten Ausbaugeschwindigkeit unter den SK hynix NAND-Produktionsstätten gilt.
Marktumfeld für die V8-Produktion: NAND-Preise erreichen Rekordhöhen
Die Wiederaufnahme des Ausbaus ist kein Zufall: Im ersten Quartal 2026 stieg der durchschnittliche NAND-Verkaufspreis von SK hynix gegenüber dem Vorquartal um mehr als 70 %, was einen neuen Quartalsrekord darstellt. Die Prognose für das zweite Quartal zeigt klar, dass das NAND-Auslieferungsvolumen "vom Rückgang auf Wachstum dreht" und sich sequenziell erholt. Die gleichzeitige Verbesserung von Preisen und Auslieferungen bildet die Grundlage für die Entscheidung, das zuvor pausierte Investitionsprogramm wieder aufzunehmen.
Daten der Korea Times zeigen, dass die Investitionen von SK hynix in das NAND-Unternehmen in Dalian für 2025 bereits auf 440,6 Milliarden KRW gestiegen sind, ein Plus von 52 % gegenüber dem Vorjahr – selbst bevor die zweite Erweiterungsphase offiziell wieder aufgenommen wurde, hat das Unternehmen bereits begonnen, die Investitionen im NAND-Bereich zu beschleunigen.
Technologisch hat SK hynix bereits die Produktionsvalidierung von 375-Schichten 3D NAND-Flash abgeschlossen und plant, im Werk M15 in Cheongju bis Ende des Jahres in Massenproduktion zu gehen. Die V8-Produktion (238 Schichten) in Dalian bildet eine technologische Staffelung und bedient unterschiedliche Marktsegmente.
Steigende Konkurrenz: Samsung beschleunigt ebenfalls Fabrikerweiterung in Xi'an
SK hynix ist nicht der einzige Speicher-Riese, der die NAND-Produktion in China ausweitet. Ein Bericht von Sisa Journal zeigt, dass Samsung Electronics die NAND-Upgrades seiner Fabrik in Xi'an ebenfalls beschleunigt. Samsung hat am 30. März die Umstellung der Produktion von 128-Schichten V6 auf 236-Schichten V8 abgeschlossen und befindet sich nun in der Massenproduktionsphase.
Investitionsdaten bestätigen diesen Trend. Laut Schätzungen von Sisa Journal wird Samsung 2025 rund 304 Millionen USD in das NAND-Werk in Xi'an investieren, ein Plus von etwa 67,5 % gegenüber dem Vorjahr. Die parallele Expansion der beiden großen koreanischen Speicherhersteller in der NAND-Produktion in China bedeutet, dass das globale NAND-Angebot aus dem Schrumpfungszyklus in einen Expansionsmodus wechselt.
Was die zeitlichen Abläufe betrifft, so hat Samsung die Massenproduktion der V8-Linie in Xi'an bereits gestartet, während bei SK hynix die Installation der V8-Anlagen in der zweiten Phase von Dalian erst in der zweiten Jahreshälfte beginnen soll, sodass es mehrere Quartale Unterschied bei der tatsächlichen Kapazitätsfreigabe gibt.
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