高盛韓國儲存專家電話會：DRAM今年持續漲價，明年HBM價格暴漲，長協覆蓋比例進一步擴大

高盛於7月28日舉辦韓國儲存專家網絡研討會，並於7月29日發布紀要。與會專家認為，傳統DRAM價格今年將保持「雙位數百分比」的強勁增長勢頭，HBM明年存在大幅漲價甚至翻倍的空間，長期協議對市場的約束力正在增強，中國競爭對手短中期內威脅有限。高盛維持對三星電子的買入評等。

DRAM今年持續上漲，HBM明年或翻倍

專家對今年DRAM價格走勢給出了明確判斷。

根據紀要，專家預計2026年第三季傳統DRAM價格將實現「雙位數百分比」的季增長，與近期現貨價格的強勁反彈相吻合。進入第四季，受持續供應短缺支撐，專家認為「再度達到雙位數季增長」同樣存在可能。

他們認為，供給端沒有明顯成長，需求端AI伺服器持續拉動，價格自然易漲難跌。

HBM的故事更為激進。專家認為，由於傳統DRAM價格上漲，HBM定價明年「存在翻倍的可能性」。高盛自身的預期是：三星HBM價格2027年年增幅將達87%，此數字已高於彭博匯總的賣方共識預期的52%。

長約約束力增強，逾半數伺服器DRAM已鎖定

價格能否兌現，取決於合同能否守住。

根據紀要，專家指出，長期協議（LTA）包含多項強力約束條款：大額預付款、「要麼提貨要麼付款」（take-or-pay）條款，以及取消合同的違約金。這意味著買方一旦簽約，退出成本極高。

目前，超過半數的伺服器DRAM已被LTA涵蓋，專家預計此比例未來還將持續提升。

這對儲存廠商意味著什麼？營收能見度更高，價格談判籌碼更強。高盛於投資論點中亦明確指出，與過去相比，此輪LTA約束力更強，有助於支撐三星的獲利預期。

中國廠商短中期難成威脅

市場一直擔憂中國儲存廠商的擴產衝擊，但專家對此持保留態度。

根據紀要，專家承認中國供應商正在積極擴產，但認為其「在近中期內成為領先廠商明顯威脅的可能性較低」。原因在於，中國廠商在生產品質良率、技術層級等方面與頭部玩家仍有落差。

換言之，擴產規模不等於有效供給，技術門檻短期內難以逾越。

產能擴張加速，但有效bit增長受限

產能在擴，但實際供給增量並不對等。

根據紀要，專家預計今年產能擴張速度將強於歷史水平。然而，由於HBM佔用晶圓比重（trade ratio）較高——生產同等數量的HBM需消耗更多DRAM晶圓——實際bit增長預計將低於歷史均值。

這是理解目前供需格局的關鍵：表面上產能在擴，實際可用於傳統DRAM的有效供給並未同步增加，這正是支撐價格持續上漲的結構性原因。

混合鍵合技術：漸進式推進，非跨越式突破

HBM技術路線上，混合鍵合（hybrid bonding）被視為下一代方向，但專家對其落地節奏持審慎態度。

根據紀要，專家認為，隨著DRAM晶片堆疊層數增加，既有鍵合技術將面臨越來越大的挑戰。但與此同時，專家並不預期混合鍵合會提前大規模採用，原因是「在量產規模下實現足夠良率需要相當長的時間和努力」。

專家判斷，儲存廠商將探索包括無助焊劑鍵合（fluxless bonding）在內的多種技術路徑，同時逐步推進混合鍵合的導入，而非一步到位。

在上述判斷基礎上，高盛維持對三星電子普通股的買入評等，12個月目標價為48萬韓元，優先股目標價為36萬韓元。

報告指出，三星於HBM領域已開始展現出「有實質意義的進展」，加上更高的股東回報預期，對該股維持積極看法。主要下行風險包括：儲存供需大幅惡化、智慧型手機業務利潤率急劇下滑，以及移動OLED市場份額流失。