AI儲存需求再加碼：英偉達CMX明年或消耗超1億TB NAND，三星已開始供貨

Nvidia AI 伺服器對 NAND 快閃記憶體的需求正進入爆發式成長階段，三星電子憑藉產能優勢，迅速將這一趨勢轉化為策略機會。

根據《首爾經濟日報》7 月 20 日報導，三星電子已啟動第十代 V 型 NAND（V10）量產並正式供貨給 Nvidia，同時將旗下 V-NAND 總產能約 60% 配置於第九代產品（V9）生產線，以滿足 Nvidia 即將推出的新一代儲存設備「上下文內存儲存」（Context Memory Storage，CMX）的需求。業界預期，CMX 所需 NAND 容量將從今年的 3,500 萬 TB 激增至明年逾 1 億 TB。

這一需求浪潮對整個 NAND 市場的供應格局構成深遠影響。Nvidia 對 NAND 的大規模鎖定，意味著其他企業及消費者可獲得的儲存晶片供給將大幅縮減，市場價格面臨上行壓力。

同時，三星電子董事長李在鎔預計近期將在舊金山與 Nvidia 首席執行官黃仁勳會面，雙方將就 HBM 及次世代 NAND 產品供應、以及在韓國國內建設資料中心等合作事項展開深入磋商。

CMX 驅動 NAND 需求躍升，Nvidia 鎖定三星產能

Nvidia CMX 的誕生，源於 AI 推理過程中「鍵值快取」（Key-Value Cache，KV Cache）資料量的急劇膨脹。此前，GPU 伺服器可在內部處理 KV 快取資料，但隨著資料規模持續擴大，搭載數千 TB 級固態硬碟（SSD）的獨立外置儲存設備已成為 AI 伺服器的必要配置。

據 wccftech 報導，Nvidia CMX 單台設備搭載 576 顆 SSD，總儲存容量達 9,600 TB。業界估計，CMX 所需 NAND 容量今年約為 3,500 萬 TB，明年將突破 1 億 TB。半導體產業獨立分析師 @jukan05 在 X 平台發帖指出，1 億 TB 的規模大致相當於在 NAND 市場中新增一個蘋果公司體量的需求來源，其對供給端的衝擊不容低估。

三星電子目前月產 V-NAND 晶圓能力已超過 10 萬片。據報導，Nvidia 已在 CMX 出貨前夕向三星提出擴大 NAND 產能的要求，三星方面亦在積極回應。 三星今年 NAND 總產量預計約達 2.5 億 TB，公司計劃憑藉這一全球領先的產能規模，確立其作為 Nvidia CMX 核心供應商的地位。

V9 穩產、V10 量產、V11 試產，三星三代並進

在產品線布局上，三星正同步推進三代 V-NAND 產品的生產進程。

V9 方面，三星已將其產能占比提升至 V-NAND 總產能的約 60%，良率亦已穩定在 80% 以上，進入量產成熟階段。 一年前，V8 仍占據 V-NAND 產量的相當比重，現今其占比已降至 40% 以下，產線切換速度顯示出三星對 AI 伺服器需求的快速回應能力。此外，三星平澤第四工廠（P4）NAND 專用無塵室仍有逾半空間尚未投產，為後續擴線提供了充足餘地。

V10 方面，三星已於今年上半年正式啟動量產，目前產量占 V-NAND 總產量的比例不足 5%，處於爬坡階段。 V10 採用約 400 層堆疊架構，儲存密度較 V9 的 286 層提升逾 50%，可在相同 CMX 模組內裝配更高容量的 SSD。值得關注的是，V10 將首次大規模商用鉬材料替代傳統鎢配線，可將配線厚度縮減 30% 至 40%，三星此前於 V9 已有小規模應用。

V11 方面，三星已於今年初啟動試產，目標堆疊層數為 400 層至 500 層，較 V10 再提升約 100 層。三星計劃下半年將試產規模擴大一倍，以累積足夠的良率數據，加快推進量產體系建設。

供給集中效應顯現，消費級市場承壓

三星與 Nvidia NAND 聯盟的深化，在提振三星業績預期同時，也加劇了整個儲存產業的供給分化。

據報導，三星 2026 年的利潤預計將超越過去 40 年累計盈餘總和，這在很大程度上受惠於 AI 伺服器儲存需求的結構性爆發。 然而，這一紅利的另一面是：當三星將大比例產能鎖定於 Nvidia 等大型科技客戶後，面向其他企業及消費者的 NAND 供給將受到明顯擠壓，儲存價格上行風險隨之上升。

此前，AI 熱潮已率先引發 DRAM 短缺並推動價格大幅上漲，NAND 市場正面臨類似的供給收緊邏輯。隨著 Nvidia CMX 出貨規模持續擴大，此一壓力預計將進一步加劇。

從長遠來看，V11 NAND 的加速研發或為消費級市場提供一定緩解空間——500 層堆疊技術理論上可以更低成本大規模生產高容量消費級 SSD，但前提是三星願意為此分配產能。就目前的產能配置方向而言，這一前景尚難樂觀。

李在鎔與黃仁勳即將會面，合作版圖持續擴張

三星與 Nvidia 的合作已從 DRAM、HBM 延伸至代工服務，如今又將 NAND 快閃記憶體納入聯盟架構，合作深度與廣度均在持續擴展。

據報導，李在鎔近期將在舊金山與 Nvidia 首席執行官黃仁勳會面。 此次會談議題預計涵蓋 HBM 及次世代 NAND 產品的供應安排，以及圍繞在韓國全南光州等地建設資料中心的合作方案。

業界人士表示，「三星與 Nvidia 的聯盟橫跨儲存與代工業務全線，兩位領導人之間的合作討論將進一步深化。」隨著 Nvidia CMX 出貨在即，這場會面的策略意義亦將更加凸顯。