Năm 2027 sẽ chứng kiến tình trạng thiếu hụt bộ nhớ nghiêm trọng nhất trong lịch sử?

7月10日，SK hynix lên sàn Nasdaq trong ngày đầu tiên, CEO của công ty, Kwak Noh-Jung đã cảnh báo rằng ngành công nghiệp chip nhớ toàn cầu sẽ đối mặt với tình trạng thiếu hụt nguồn cung nghiêm trọng nhất lịch sử vào năm 2027, và tình trạng nhu cầu vượt công suất sản xuất thậm chí có thể kéo dài đến sau năm 2030. Trước đó, CEO của Micron, Sanjay Mehrotra cũng cho biết hiện vẫn chưa rõ khi nào nguồn cung mới có thể bắt kịp với nhu cầu ngày càng tăng. Nhà sáng lập Nvidia, Jensen Huang, nhận định tình trạng thiếu hụt bộ nhớ cho AI sẽ kéo dài nhiều năm, và SK hynix sẽ tiếp tục là nhà cung cấp bộ nhớ lớn nhất của Nvidia. Ba nhân vật chủ chốt trong ngành liên tiếp phát đi cảnh báo, cho thấy phía sau là một "cơn khan bộ nhớ" do AI thúc đẩy, có thể chỉ xảy ra một lần trong bốn mươi năm. Trong nhiều thập kỷ qua, DRAM luôn là mặt hàng chu kỳ điển hình nhất: khi nhu cầu tăng, các hãng mở rộng sản xuất, công suất tăng lên và giá giảm xuống. Nhưng lần này lại khác, AI không chỉ tạo ra nhu cầu mới mà còn làm hạn chế nguồn cung. Từ năm 2023, nhu cầu HBM (bộ nhớ băng thông cao dùng cho AI) tăng mạnh. Công suất wafer dùng cho HBM của ba ông lớn ngành lưu trữ gồm Samsung, SK hynix và Micron, từ khoảng 123.000 tấm/tháng vào cuối năm 2023 dự kiến tăng lên khoảng 331.000 tấm/tháng vào cuối năm 2025, và đến cuối năm 2027 sẽ đạt khoảng 668.000 tấm/tháng. Khi đó, HBM có thể chiếm tới 35% tổng công suất wafer DRAM của ba nhà sản xuất lưu trữ lớn này. Vấn đề nằm ở chỗ, HBM không giống với DRAM thông thường. HBM đòi hỏi diện tích chip lớn hơn, các lỗ thông silicon, quá trình làm mỏng wafer, gia công mặt sau và xếp chồng phức tạp, khiến sản xuất khó hơn, tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn thấp hơn. Lấy HBM3E xếp chồng 12 lớp làm ví dụ, cùng một tấm wafer, sản lượng bit của DRAM thông thường cao gấp khoảng 3 lần so với HBM; khi bước sang HBM4, chênh lệch có thể lên tới gần 4 lần. Điều này có nghĩa, các hãng càng tích cực chuyển sang HBM thì DRAM thông thường lại càng khan hiếm. Theo SemiAnalysis, năm 2026 đến 2027, thiếu hụt nguồn cung DRAM thương mại có thể kéo dài ở mức khoảng 7%; còn thiếu hụt HBM có thể từ khoảng 6% năm 2026 lên khoảng 9% năm 2027. Đây là tình trạng "khan hiếm kép" hiếm gặp, AI server tranh nhau HBM, máy tính cá nhân, điện thoại và máy chủ truyền thống thì tranh nhau phần công suất DRAM còn lại. Phía cung ứng cũng khó tăng nhanh. Xây mới một nhà máy sản xuất wafer lưu trữ tiên tiến cần vốn đầu tư hàng tỷ USD và mất nhiều năm xây dựng, các khâu như phòng sạch, lắp đặt thiết bị, kiểm tra và nâng tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn đều đòi hỏi thời gian. Công suất mới vào năm 2026 chủ yếu tập trung ở Samsung P4, SK hynix M15X và Micron A3, và với hai nhà máy sau, HBM vẫn được ưu tiên phục vụ. Năng lực sản xuất mới quy mô lớn thực sự có thể phải tới nửa cuối năm 2027 mới dần đi vào hoạt động. Giá cả vì thế tăng nhanh chóng. Báo cáo dự báo, quý 1 năm 2026 giá hợp đồng DDR5 và LPDDR5 sẽ tăng lần lượt 70% và 35% so với quý trước; tính từ quý 4 năm 2025 đến quý 4 năm 2026, giá DRAM cũng có thể tăng gấp đôi. Siêu chu kỳ là con dao hai lưỡi. Nhà sản xuất lưu trữ hưởng lợi nhuận tăng lên, nhưng nhà sản xuất điện thoại, PC và AI server lại phải đối diện với chi phí vật tư tăng liên tục, các sản phẩm cuối cùng chỉ có thể bù đắp sức ép thông qua tăng giá, giảm cấu hình hoặc cắt giảm sản lượng. Điều thực sự quyết định chu kỳ này kết thúc khi nào không chỉ là nhu cầu giảm tốc, mà còn phụ thuộc vào việc các nhà máy wafer mới vận hành, quá trình chuyển đổi lên node 1b và 1c, tỷ lệ đạt chuẩn HBM4 được cải thiện, và liệu các hãng có tiếp tục duy trì kỷ luật đầu tư hay không. Ít nhất ở thời điểm hiện tại, chu kỳ bộ nhớ do AI thúc đẩy lần này có thể còn lớn hơn và kéo dài hơn những lần trước.