Sau khi NAND tăng 70% chỉ trong một quý, SK Hynix khởi động lại giai đoạn hai tại Đại Liên, tăng tốc cạnh tranh với Samsung Tây An

Theo TrendForce, SK Hynix dự kiến sẽ khởi động lại dự án mở rộng giai đoạn hai tại nhà máy Đại Liên vào nửa cuối năm 2026, bổ sung dây chuyền sản xuất NAND V8 (238 lớp). Dự án này trước đó đã bị tạm dừng do thị trường NAND ảm đạm và các biện pháp kiểm soát xuất khẩu của Mỹ, việc tái khởi động đánh dấu việc công ty chuyển sự phục hồi lịch sử về giá NAND thành chiến lược bố trí năng lực sản xuất thực tế.

Theo News Tomato, SK Hynix sẽ bắt đầu lắp đặt thiết bị sản xuất vào giai đoạn hai của nhà máy Đại Liên trong nửa cuối năm nay và dự kiến hoàn thành xây dựng các cơ sở theo từng giai đoạn vào nửa đầu năm 2027. Các đối tác trong nước đã bắt đầu chuyển các thiết bị NAND tạm dừng về Đại Liên, còn các nhà cung cấp nước ngoài được cho là đã nhận được các đơn đặt hàng sơ bộ về giao thiết bị.

Sisa Journal tiết lộ thêm chi tiết về năng lực sản xuất: Giai đoạn hai Đại Liên sẽ bổ sung một dây chuyền V8 (238 lớp), với mục tiêu công suất hàng tháng đạt từ 30.000 đến 50.000 tấm wafer. Nhà máy giai đoạn một tại Đại Liên hiện đang chuyển đổi dây chuyền sang sản xuất NAND 192 lớp và thay thế các thiết bị đã lỗi thời.

Bước ngoặt phía sau việc tạm dừng: từ kiểm soát xuất khẩu đến phê duyệt hàng năm

Việc mở rộng giai đoạn hai Đại Liên trước đây bị trì trệ do hai nguyên nhân trực tiếp: Thứ nhất là sự không chắc chắn từ việc kiểm soát xuất khẩu thiết bị bán dẫn của Mỹ sang Trung Quốc; thứ hai là thị trường NAND liên tục ảm đạm.

Ở khía cạnh kiểm soát, một biến số then chốt đã thay đổi. Theo News Tomato, Mỹ đã thay đổi chế độ "Người dùng cuối đã được xác minh" (VEU) sang quy trình phê duyệt hàng năm đối với việc vận chuyển thiết bị, làm giảm sự bất ổn về cung cấp thiết bị, từ đó tạo điều kiện thuận lợi cho SK Hynix khởi động lại dự án mở rộng ở Đại Liên.

Thời điểm thay đổi quy định này rất đáng chú ý. Trong bối cảnh này, thị trường đang quan sát liệu SK Hynix có thể tận dụng sự tăng trưởng mạnh của DRAM và HBM hay không, thông qua việc mở rộng nhà máy Đại Liên để tiếp tục phát huy giá trị thương vụ mua lại mảng kinh doanh NAND của Intel với trị giá 11 nghìn tỷ won Hàn Quốc (khoảng 8 tỷ USD). Báo cáo nêu rõ,giai đoạn hai ở Đại Liên được xem là địa điểm có tốc độ mở rộng nhanh nhất trong các cơ sở sản xuất NAND của SK Hynix.

Bối cảnh ngành của dây chuyền V8: Giá NAND đạt mức cao kỷ lục

Thời điểm khởi động lại dự án mở rộng không phải là ngẫu nhiên. Trong quý 1 năm 2026, giá trung bình NAND của SK Hynix tăng hơn 70% so với quý trước, lập kỷ lục mới trong một quý. Dự báo của công ty cho quý 2 càng rõ ràng hơn, sản lượng NAND dự kiến sẽ "chuyển từ giảm sang tăng", phục hồi so với quý trước. Sự cải thiện cả về giá lẫn sản lượng xuất xưởng đã tạo cơ sở quyết định cho việc khởi động lại các kế hoạch chi tiêu vốn bị tạm hoãn trước đó.

Dữ liệu từ Korea Times cho thấy,đầu tư của SK Hynix vào công ty con sản xuất NAND tại Đại Liên trong năm 2025 đã tăng lên 440,6 tỷ won, tăng 52% so với cùng kỳ năm trước—ngay cả khi mở rộng giai đoạn hai chưa chính thức khởi động, đầu tư của công ty vào lĩnh vực NAND đã bắt đầu tăng tốc.

Về công nghệ, SK Hynix trước đó đã hoàn tất xác nhận sản xuất bộ nhớ flash 3D NAND 375 lớp và dự kiến sẽ sản xuất hàng loạt tại nhà máy M15 Cheongju, Hàn Quốc vào cuối năm nay. Trong khi đó, dây chuyền V8 (238 lớp) tại Đại Liên sẽ đặt ở mức công nghệ thấp hơn, phục vụ cho những phân khúc thị trường khác nhau.

Cạnh tranh nóng lên: Nhà máy Samsung tại Tây An tăng tốc song song

SK Hynix không phải là ông lớn bộ nhớ duy nhất mở rộng năng lực sản xuất NAND tại Trung Quốc. Theo Sisa Journal,Samsung Electronics cũng đang tăng tốc nâng cấp NAND tại nhà máy Tây An của mình. Samsung đã hoàn tất chuyển đổi dây chuyền sản xuất từ 128 lớp V6 sang 236 lớp V8 vào ngày 30/3 và hiện nay đang bước vào giai đoạn sản xuất hàng loạt.

Các số liệu đầu tư xác nhận xu hướng này. Ước tính của Sisa Journal cho thấy đầu tư của Samsung vào nhà máy NAND tại Tây An trong năm 2025 khoảng 304 triệu USD, tăng khoảng 67,5% so với năm trước. Hai ông lớn bộ nhớ Hàn Quốc cùng mở rộng năng lực sản xuất NAND tại Trung Quốc đồng nghĩa nguồn cung NAND toàn cầu đang chuyển từ chu kỳ thu hẹp sang mở rộng.

Xét về thời điểm, sản xuất hàng loạt V8 tại Tây An của Samsung đã được triển khai, trong khi việc lắp đặt thiết bị V8 cho giai đoạn hai tại Đại Liên của SK Hynix dự kiến mới bắt đầu vào nửa cuối năm nay, do đó hai bên sẽ có sự chênh lệch vài quý về tiến độ giải phóng công suất thực tế.