Samsung chuyển một nửa công suất sản xuất HBM sang HBM4, tạm dừng sản xuất HBM3E 8 lớp

Samsung Electronics đang chuyển trọng tâm chiến lược sản xuất bộ nhớ băng thông cao (HBM) của mình lên phía trước, nhằm nỗ lực đảo ngược tình thế tụt lại phía sau SK Hynix trong cuộc cạnh tranh HBM bằng thế mạnh của các sản phẩm thế hệ tiếp theo.

Theo truyền thông Hàn Quốc, Samsung Electronics gần đây đã phân bổ một nửa sản lượng khoảng 150.000 tấm wafer HBM DRAM hàng tháng, tương đương khoảng 75.000 tấm, cho thế hệ thứ sáu là HBM4, và phần còn lại cho HBM3E 12 lớp. Dòng HBM3E 8 lớp với nhu cầu tương đối yếu đã bị tạm thời ngừng sản xuất và toàn bộ sản lượng này được chuyển sang HBM4. Trên cơ sở đảm bảo giao hàng cho các đơn hàng HBM3E hiện tại, về thực tế, toàn bộ công suất gia tăng của Samsung đã được tập trung vào lĩnh vực HBM4.

Việc tái cấu trúc sản xuất này có logic cạnh tranh rõ ràng. Trong thế hệ HBM3E, Samsung do chậm trễ kiểm định chất lượng đã bỏ lỡ nhiều đơn hàng từ Nvidia, trong khi SK Hynix nhờ lợi thế đi đầu đã giành được vị trí vững chắc về cung ứng. Tháng 2 năm nay, Samsung đã hoàn thành xuất xưởng hàng loạt HBM4 đầu tiên trên thế giới và đạt khoảng 1 tỷ USD (gần 1,54 nghìn tỷ won) doanh thu chỉ trong 4 tháng sau đó, doanh thu cả năm dự kiến đạt 10 tỷ USD.

Nhu cầu đối với HBM4 cũng không ngừng mở rộng. Ngoài nhu cầu từ các bộ tăng tốc AI thế hệ mới Rubin của Nvidia, các ông lớn về điện toán đám mây như Google, Amazon, Microsoft cũng đang đẩy mạnh phát triển chip AI tự thiết kế, thúc đẩy nhu cầu tiềm năng cho HBM4 và mở ra thị trường rộng lớn hơn để Samsung mở rộng ở mảng mới này.

Thất bại của Samsung trong chu kỳ HBM3E chính là lý do trực tiếp dẫn đến thay đổi chiến lược này. SK Hynix hoàn thành kiểm định chất lượng với Nvidia từ sớm và nắm giữ phần lớn thị phần cung ứng, trong khi Samsung bị hạn chế bởi sự chậm trễ kiểm định và không giành được đủ đơn hàng. Thay vì tiếp tục bám đuổi trên HBM3E, Samsung quyết định chuyển trọng tâm sang HBM4 nơi đã có lợi thế đi đầu—đây là logic lựa chọn chiến lược hiện tại của Samsung.

Xét về ứng dụng đầu cuối, HBM3E chủ yếu được sử dụng trong các bộ tăng tốc AI Blackwell hiện tại của Nvidia, còn HBM4 sẽ tiến vào thế hệ tăng tốc Rubin tiếp theo. Trong khi vẫn đảm bảo cung ứng cho các khách hàng HBM3E hiện tại, Samsung thực tế đã tập trung toàn bộ sản lượng gia tăng vào một kênh là HBM4.

Những kết quả thương mại ban đầu của HBM4 từ Samsung đã minh chứng tiềm năng của lựa chọn này. Sau khi hoàn thành lần đầu xuất xưởng HBM4 hàng loạt vào tháng 2 năm nay, Samsung đã đạt khoảng 1 tỷ USD doanh thu chỉ trong bốn tháng, với dự kiến cả năm đạt 10 tỷ USD.

Một bối cảnh quan trọng khác thúc đẩy Samsung mạnh tay đầu tư vào HBM4 là sự phát triển nhanh chóng của thị trường chip tùy chỉnh (ASIC). Google, Amazon, Microsoft và các ông lớn điện toán đám mây khác đang đẩy mạnh sản xuất bộ tăng tốc AI độc quyền nhằm giảm sự phụ thuộc vào GPU của Nvidia, qua đó nhu cầu đối với sản phẩm HBM liên quan cũng tăng trưởng mạnh mẽ.

Theo nhận định của ngành, bắt đầu từ thế hệ HBM4, chip nền (base die) được thiết kế tùy chỉnh theo yêu cầu từng khách hàng và các giải pháp đóng gói tiên tiến sẽ trở thành yếu tố cạnh tranh then chốt. Việc Samsung sở hữu cả ba thế mạnh về bộ nhớ, gia công và đóng gói tiên tiến giúp hãng này có lợi thế khác biệt trên phương diện cạnh tranh mới này.

So với Samsung đang tấn công quyết liệt, vị thế của SK Hynix trên thị trường HBM thoải mái hơn, không cần phải vội vàng chuyển sang sản xuất hàng loạt HBM4. Hãng này đã xác lập vị trí cung ứng mạnh mẽ ở HBM3E và vẫn kỳ vọng trở thành nhà cung ứng lớn nhất cho Nvidia ở giai đoạn HBM4.

Trong chuyến thăm Hàn Quốc tháng này, CEO Nvidia Jensen Huang đã công khai thừa nhận SK Hynix là nhà cung cấp HBM lớn nhất của hãng. Một chuyên gia ngành bán dẫn nhận định, "không cần gấp, khi bước vào thời điểm sản xuất hàng loạt Rubin, doanh thu HBM4 của SK Hynix cũng sẽ tự nhiên tăng." Điều này có nghĩa SK Hynix có thể vừa đảm bảo cung ứng ổn định cho nhu cầu HBM3E hiện hữu, vừa chuyển dần trọng tâm sang HBM4 theo nhịp độ riêng, tốc độ chuyển đổi linh hoạt hơn hẳn so với Samsung.

Theo dự báo của TrendForce và Bernstein, thị phần HBM của Samsung Electronics dự kiến sẽ tăng từ 27% (2025) lên 37% (2026), còn thị phần của SK Hynix sẽ giảm từ 56% xuống 43%. Ngoài ra, một số phân tích còn cho rằng Samsung có thể vượt qua SK Hynix về thị phần HBM vào năm 2027.

Khi công suất HBM4 tiếp tục tăng nhanh, thị trường ASIC cũng liên tục mở rộng, sự cạnh tranh giữa Samsung và SK Hynix trong lĩnh vực HBM sẽ ngày càng khốc liệt. Kết cục của cuộc chiến chuyển giao thế hệ này sẽ phụ thuộc lớn vào mức độ phù hợp giữa tốc độ tăng sản lượng HBM4 và nhu cầu chip AI phía hạ nguồn.