Musk comenta sobre a produção de chips: capacidade de fabricação em larga escala da China frequentemente supera a soma do restante do mundo

As últimas declarações de Elon Musk sobre a capacidade de fabricação em escala da China adicionaram mais combustível à já crescente ansiedade competitiva na indústria de semicondutores.

Durante a noite, as notícias sobre os mais recentes avanços tecnológicos da fabricante chinesa de chips de memória Changxin Memory Technologies impactaram o setor de chips nos EUA — o índice de semicondutores da Filadélfia caiu 2,7% na segunda-feira, atingindo a menor baixa em três semanas. Ações relacionadas a chips de memória, como Micron, SanDisk e SK Hynix (ADR), lideraram as quedas, refletindo uma preocupação crescente do mercado sobre a entrada acelerada das empresas chinesas no segmento de memórias para servidores de AI, de alta margem de lucro.

Sobre esse movimento, o analista de AI Melvin afirmou que não consegue entender o motivo da venda massiva de ações de memórias, acreditando que o mercado está reagindo de forma exagerada e que essa onda de vendas não é justificável.

Logo depois, Musk respondeu à situação em sua conta na plataforma X, dizendo: “Uma vez que a China domina a fabricação de determinado produto, sua capacidade de produção costuma superar a soma de todas as outras regiões do mundo, como vimos nos setores de baterias de lítio e energia solar.” Ele também manifestou preocupação explícita com a velocidade com que a China está alcançando o segmento de chips de memória, destacando que padrões universais como LP5 e LP6 parecem estar sendo rapidamente dominados pelo país.

Musk: Capacidade de produção em escala da China é uma vantagem sistêmica

Musk classificou a capacidade chinesa de produção em escala como uma vantagem sistêmica, e não um fenômeno isolado. Ele escreveu: “Quando a China aprende a fabricar um produto, sua capacidade de produção frequentemente supera a soma do restante do mundo. Nós já presenciamos isso nos setores de baterias de lítio e energia solar.”

Usando a SpaceX como referência, Musk ressaltou que a empresa é uma das poucas exceções — sua massa colocada em órbita supera em uma ordem de magnitude a soma de todos os outros foguetes portadores do mundo. No entanto, ele acrescentou que, mesmo assim, a China já detém a maior parte da massa orbital fora da SpaceX, dizendo: “A SpaceX é o valor atípico da matriz.”

No setor de chips de memória, Musk foi ainda mais direto. Ele disse que há três anos a RAM era apenas uma commodity de baixo lucro, e que os padrões universais como LP5 e LP6 estão sendo rapidamente assimilados pela China. Ele ainda ressaltou que a próxima geração de arquitetura HBM, com camadas de SRAM sob a lógica e RAM empilhada em 3D acima da camada lógica resolvendo problemas de dissipação térmica, será um desafio tecnológico significativamente mais difícil de superar.

Avanço tecnológico da Changxin Memory Technologies desencadeia vendas no mercado

As observações de Musk não surgiram do nada. No fim de semana anterior, o Dr. Cao Kanyu, presidente da Changxin Memory Technologies, anunciou em um evento do setor que a empresa alcançou um avanço fundamental na arquitetura de células de memória de nova geração 4F² e planeja lançar produtos de memória DDR5 para servidores baseados nessa arquitetura até o final de 2026.

A principal vantagem da arquitetura 4F² é o tamanho reduzido das células de memória. Em arquiteturas tradicionais de DRAM, como a 6F², “F” representa a menor largura de linha do processo, enquanto a 4F² permite, em teoria, acomodar cerca de um terço a mais de bits por unidade de área, reduzindo o custo por unidade e tornando-a mais adequada para módulos de memória de alta capacidade exigidos por servidores de AI. Cao Kanyu afirmou que esse design utiliza transistores proprietários de porta envolvente vertical para suprimir vazamentos, mirando diretamente o segmento de DRAM para servidores de AI, de alta margem de lucro.

Essa notícia aumentou repentinamente a preocupação do mercado em relação à rápida entrada das empresas chinesas no segmento de chips de memória de alto desempenho, sendo o estopim para a venda generalizada de ações do setor de chips na segunda-feira. O segmento de tecnologia foi o de pior desempenho em Wall Street, com ações relacionadas à memória liderando as perdas. Micron caiu abaixo da marca dos US$ 1000, encerrando com queda próxima de 4%; SanDisk perdeu quase 6%; SK Hynix ADR e Super Micro Computer recuaram mais de 4%; Seagate Technology caiu mais de 3%; Quantum perdeu mais de 9%; e Corning também apresentou forte queda.

A lógica das vendas do mercado é clara: caso as empresas chinesas consigam acessar o segmento de chips de memória avançados, tradicionalmente dominado por empresas dos EUA e da Coreia, com custos mais baixos e produção em maior escala, a margem de lucros das concorrentes será substancialmente comprimida. As declarações públicas de Musk reforçaram, em parte, as expectativas dos investidores em relação à evolução desse cenário competitivo.