A tecnologia Hybrid Bonding da Samsung deve ser utilizada no próximo acelerador de IA da NVIDIA, o Feynman, com o chip apresentando HBM personalizado.

BlockBeats News, 21 de julho, a Samsung Electronics iniciou a construção da linha de produção em massa de Die-to-Wafer (D2W) hybrid bonding na fábrica Pyeongtaek P5, visando diretamente o empacotamento avançado da próxima geração de HBM e semicondutores lógicos. O fornecedor de equipamentos principal é a Besi, sediada nos Países Baixos. A Samsung planeja comprar cerca de 50 máquinas de hybrid bonding, com cada máquina custando aproximadamente 60 bilhões de won sul-coreanos (cerca de US$ 43 milhões), o dobro do preço dos produtos concorrentes. No entanto, devido ao pedido da Samsung de modificações personalizadas na arquitetura dos equipamentos, o progresso das negociações tem sido lento. A Besi também fornece equipamentos para TSMC e Micron ao mesmo tempo, por isso está cautelosa em customizar as máquinas exclusivamente para a Samsung.

A Samsung também está considerando alternativas domésticas: sua subsidiária SEMES concluiu o desenvolvimento das máquinas de hybrid bonding D2W e enviou amostras para verificação no início deste ano; a Hanwha Semitech concluiu o desenvolvimento da segunda geração 'SHB2 Nano' em fevereiro, e em abril, as amostras foram enviadas para SK hynix. O sistema de cluster deles, que integra EFEM, ativação por plasma e módulos de limpeza, formou uma vantagem competitiva diferenciada.

Essa tecnologia utiliza hybrid bonding de cobre para substituir a tradicional ligação termocompressiva, permitindo a ligação direta do cobre ao material dielétrico, reduzindo significativamente o comprimento da interconexão. O cenário central de aplicação é para HBM customizado, onde a camada de HBM DRAM é empilhada verticalmente diretamente sobre um die lógico contendo os circuitos de computação do cliente e IP, formando um pacote 3D em nível de sistema.

O analista da Citrini, Jukan, afirmou que o hybrid bonding deve ser utilizado no acelerador de IA de próxima geração da NVIDIA, Feynman, que adotará HBM customizado. O cronograma de implementação da tecnologia foi "adiado em relação ao HBM4E". Internamente na Samsung, estima-se que a aplicação em larga escala possa ser alcançada por volta de 2029 a 2030, alinhando-se com o período esperado para Feynman da NVIDIA.