Après une hausse de 70 % du NAND en un trimestre, SK Hynix redémarre la phase 2 de Dalian, accélérant la compétition avec Samsung à Xi'an

Selon TrendForce, SK Hynix prévoit de relancer au second semestre 2026 le projet d'extension de la phase II de l'usine de Dalian, précédemment suspendu, en ajoutant une nouvelle ligne de production V8 (238 couches) pour le NAND. Ce projet avait été mis en pause en raison du ralentissement du marché du NAND et du contrôle des exportations américains ; sa reprise marque la conversion de la reprise historique des prix du NAND en un déploiement réel de capacité productive.

D'après News Tomato, SK Hynix commencera l'installation des équipements de production à Dalian pour la phase II, cette année au second semestre, avec une finalisation progressive de la construction des installations d'ici le premier semestre 2027. Les partenaires locaux ont déjà commencé à transférer les équipements NAND inutilisés vers Dalian, tandis que les fournisseurs étrangers auraient reçu des commandes d'achat initiales pour la livraison des équipements.

Le Sisa Journal a révélé davantage de détails concernant la capacité : la phase II de Dalian ajoutera une ligne de production V8 (238 couches), avec un objectif mensuel de 30 000 à 50 000 wafers. La phase I de Dalian est quant à elle en train de convertir ses lignes vers le NAND à 192 couches et de remplacer les équipements vieillissants.

Le tournant derrière la suspension : du contrôle des exportations à l'approbation annuelle

L'expansion de la phase II à Dalian était auparavant interrompue pour deux raisons principales : l'incertitude liée au contrôle des exportations de matériel semi-conducteur américain vers la Chine, et la baisse persistante du marché du NAND.

Sur le plan de la régulation, une variable clé a changé. Selon News Tomato, les États-Unis ont modifié le système de "Utilisateur final vérifié (VEU)" en un processus d'approbation annuelle pour le transport des équipements, ce qui a réduit l'incertitude d'approvisionnement en matériel et offert à SK Hynix une marge de manœuvre pour relancer son expansion à Dalian.

Le moment de ce changement réglementaire mérite une attention particulière. Dans ce contexte, le marché observe si SK Hynix pourra, grâce à l'essor du DRAM et du HBM, exploiter l'expansion à Dalian pour renforcer la valorisation de l'acquisition de l'activité NAND d'Intel pour 11 000 milliards de wons (environ 8 milliards de dollars). Le rapport indique quel'usine phase II de Dalian est considérée comme le site d'expansion le plus rapide parmi les bases de production NAND de SK Hynix.

Contexte industriel du déploiement de la ligne V8 : prix du NAND à un sommet historique

Le choix du timing pour la relance de l'expansion n'est pas un hasard. Au premier trimestre 2026, le prix de vente moyen du NAND chez SK Hynix a grimpé de plus de 70 % séquentiellement, établissant un record historique sur un seul trimestre. Les prévisions de la société pour le deuxième trimestre précisent que le volume d'expédition du NAND "passera du déclin à la hausse" et rebondira sur une base séquentielle. L'amélioration conjointe des prix et des volumes constitue la base décisionnelle pour remettre en route le plan de dépenses en capital auparavant suspendu.

Selon les données du Korea Times, l'investissement de SK Hynix dans sa filiale de fabrication de NAND à Dalian en 2025 a déjà augmenté à 440,6 milliards de wons, en hausse de 52 % d'une année sur l'autre—même si la phase II d'expansion n'a pas encore officiellement redémarré, les investissements dans le secteur du NAND s'accélèrent déjà.

Sur le plan technologique, SK Hynix a déjà validé la production de NAND flash 3D à 375 couches et prévoit de lancer la production de masse à l'usine M15 de Cheongju avant la fin de l'année. La ligne de production V8 (238 couches) de Dalian présente un gradient technologique par rapport à ce modèle, visant différents segments de marché.

Montée en puissance de la concurrence : accélération simultanée chez Samsung à Xi'an

SK Hynix n'est pas le seul géant du stockage à augmenter ses capacités de production NAND en Chine. Les informations du Sisa Journal montrent que Samsung Electronics accélère également la modernisation de son usine NAND à Xi'an. Samsung a terminé le 30 mars la conversion de ses lignes de production du V6 à 128 couches vers le V8 à 236 couches et entre désormais en phase de production en masse.

Les chiffres d'investissement corroborent cette tendance. Le Sisa Journal estime que l'investissement de Samsung en 2025 dans l'usine NAND de Xi'an atteindra 304 millions de dollars, soit une augmentation d'environ 67,5 % d'une année sur l'autre. L'expansion synchronisée des deux géants sud-coréens du stockage pour les capacités NAND en Chine indique que l'offre mondiale de NAND passe d'un cycle de contraction à un cycle d'expansion.

D'un point de vue temporel, la production en masse du V8 à Xi'an de Samsung a déjà commencé, tandis que l'installation des équipements V8 pour la phase II de Dalian chez SK Hynix devrait commencer au second semestre. Les deux sociétés affichent ainsi un décalage de plusieurs trimestres dans le rythme effectif de la montée en capacité.