Morgan Stanley advierte: la fiebre de almacenamiento de IA se acerca a un punto de inflexión, los precios de la memoria podrían alcanzar su máximo en el cuarto trimestre

Según la última advertencia del informe de Morgan Stanley, la euforia en la industria de semiconductores impulsada por inteligencia artificial (AI) está cerca de un punto de inflexión; se espera que los precios de los contratos de memoria alcancen su máximo en el cuarto trimestre, lo que marca un profundo cambio en el ciclo de la industria.

De acuerdo con Trading Desk, Shawn Kim, jefe de investigación tecnológica de Morgan Stanley para Asia y Europa, señaló en el informe publicado el 21 de julio que la dinámica de mejora en las ganancias de los fabricantes de memoria se está debilitando significativamente, y los datos muestran que la tasa de revisiones al alza del beneficio neto ha caído del pico del 92% al 77%. Esta señal temprana indica que el ciclo de mejora de beneficios está perdiendo fuerza, el mercado está valorando de manera más racional las ganancias de la industria de memoria, alejándose de la euforia previa.

Como consecuencia, la valoración de los gigantes del sector ha retrocedido notablemente desde su reciente máximo. El beneficio por acción a futuro de SK Hynix cayó recientemente, su ratio P/B se redujo a 2,5 veces, y el ratio P/B de Samsung bajó a 1,7 veces. Aunque las valoraciones siguen por encima de sus promedios históricos, los inversores ya reaccionan a las tasas de crecimiento que marcan techo y a la posible contracción de las ganancias.

Mientras tanto, los niveles de inventario de DRAM y NAND repuntaron en el segundo trimestre, impulsados principalmente por los fabricantes de módulos de memoria. Aunque la tasa de cambio del ciclo está cerca del máximo, los analistas de Morgan Stanley consideran que este ciclo de memoria será prolongado, en lugar de colapsar abruptamente.

La inversión en infraestructura de AI es el factor más positivo de los tres juicios centrales de Morgan Stanley, y también la base principal para la prolongación del ciclo de bonanza en memoria.

El informe se centra no sólo en la cantidad de modelos lanzados, sino en la intensidad de entrenamiento e inferencia de los grandes modelos líderes, las fuentes de capital, el ingreso recurrente anualizado y la dirección de la inversión en capital de las nubes a gran escala. Entre ellos, la inversión de capital en nubes hiperescala para el segundo trimestre de 2026 se considera un punto de verificación clave.

Sin embargo, existe una desconexión importante entre la fuerte demanda de AI y la subida sostenida de los precios de memoria. Que la infraestructura empiece a monetizarse no significa que la capacidad de cálculo esté saturada; la mejora de la capacidad de los modelos y la reducción de precios tampoco implica automáticamente que las grandes nubes incrementen indefinidamente el gasto. Lo que realmente determina la pendiente de la demanda de memoria es si las nubes continuarán invirtiendo en capacidad de cómputo, redes e infraestructura de centros de datos.

La estimación de que los precios de memoria alcanzarán su máximo en el cuarto trimestre de 2026 se basa en la suma de señales multidimensionales, no sólo en proyecciones de la curva de precios.

La primera es la desaceleración del crecimiento interanual de precios. El crecimiento interanual de precios de contratos DRAM ha retrocedido desde su pico en el ciclo, y la valoración a futuro P/B de las acciones de memoria no se ha expandido en igual medida, lo que muestra que el capital no está valorando el sector bajo el supuesto de "ganancias permanentemente altas".

La segunda es el cambio direccional en inventarios. En el segundo trimestre, los inventarios de DRAM y NAND aumentaron, impulsados por grandes fabricantes de módulos. El repunte de inventarios no necesariamente significa deterioro de la demanda downstream, pero en un contexto de desaceleración del crecimiento interanual de precios, la subida de inventario en módulos amplifica la sensibilidad del mercado ante la presión futura de reducción de inventario.

La tercera es la reducción del estímulo de expectativas de ganancias. Aunque la proporción de revisiones al alza de ganancias sigue positiva, ha caído del pico del 92% al 77%, y el margen para revisiones a consenso es cada vez más estrecho. La reciente caída de EPS a futuro de SK Hynix refleja que el mercado ya empieza a asimilar la posibilidad de una desaceleración del crecimiento de las ganancias en la próxima fase.

Cuando las tres señales aparecen al mismo tiempo, la atención de los operadores suele moverse de "cuánto más pueden subir las ganancias" a "cuánto tiempo puede sostenerse el crecimiento de las ganancias", lo que es el patrón típico de presión inicial en valoración de acciones de memoria cuando los fundamentos siguen sanos.

Los acuerdos de suministro a largo plazo (LTA) entre fabricantes de memoria y clientes downstream es uno de los fundamentos neutrales del juicio de Morgan Stanley. El mercado no ha otorgado una valoración significativamente superior al sector por la existencia de estos acuerdos.

Esta lógica tiene precedentes históricos durante la pandemia: los acuerdos a largo plazo no eliminan naturalmente el riesgo cíclico. Cuando cambian los precios y las relaciones de oferta y demanda, los acuerdos pueden ser renegociados o llevar a acumulación involuntaria de inventarios por parte de los clientes. La consolidación de demanda estructural puede coexistir con las fluctuaciones tradicionales del ciclo, ambas no son excluyentes.

En términos de valoración, el ratio P/B de Samsung ronda 1,7 veces, y el de SK Hynix cerca de 2,5 veces, ambos han retrocedido de sus recientes máximos pero siguen por encima de sus promedios históricos. Este esquema refleja claramente el significado del juicio neutral: el sector no es visto como puramente cíclico, pero la narrativa de "AI remodela la memoria, revalorización global" aún no se ha materializado.

La diferenciación en la estructura de oferta está trayendo dos lógicas de oferta y demanda totalmente distintas para la industria de memoria. Samsung, SK Hynix y Micron están destinando más recursos de capacidad a la memoria de alto ancho de banda (HBM), dejando espacio para DDR5 comercializada; pero la escasez de oferta en HBM no se ha aliviado por ello.

La DRAM comercial enfrenta presión por la nueva oferta, mientras que la memoria de alto ancho de banda sigue limitada por el proceso avanzado, empaque sofisticado y capacidad de ancho de banda, restricciones técnicas clave. Los dos mercados siguen caminos diferentes hacia el equilibrio.

El alto precio de la memoria y las limitaciones de ancho de banda constituyen la base comercial de una nueva ronda de innovación en memoria. Morgan Stanley estima que el tamaño total de mercado direccionable es de unos 25 mil millones de dólares, cubriendo múltiples vías tecnológicas en torno a capacidad, ancho de banda, consumo energético y arquitectura de sistemas, no sólo un tipo de chip. La demanda a largo plazo de equipos está estrechamente ligada al ritmo de entrega de EUV: Morgan Stanley proyecta que los envíos de EUV de ASML aumentarán de 92 unidades en el año fiscal 2027 a 104 en el 2028, correspondiendo a la expansión continua de fabricación avanzada lógica y de memoria avanzada, pero no significa que todos los fabricantes de memoria se beneficien por igual.