¿2027 será testigo de la peor escasez de memoria de la historia?

7 de julio, en el día que SK Hynix debutó en Nasdaq, el CEO de la compañía, Kwak Noh-Jung, advirtió que la industria global de chips de memoria enfrentará la escasez de suministro más grave de su historia en 2027, y que la demanda de los clientes podría superar la capacidad de producción incluso hasta después de 2030. Anteriormente, el CEO de Micron, Sanjay Mehrotra, también expresó que todavía no está claro cuándo el suministro podrá alcanzar la creciente demanda. Jensen Huang, fundador de Nvidia, opinó que la escasez de memoria para AI continuará por varios años, y que SK Hynix seguirá siendo el mayor proveedor de memoria para Nvidia. Las advertencias consecutivas de estos tres líderes de la industria tienen detrás una “crisis de memoria” empujada por la inteligencia artificial, algo que podría ocurrir una vez cada cuarenta años.Durante décadas, la DRAM ha sido el producto más representativo de los ciclos: aumenta la demanda, los fabricantes expanden la producción, liberan capacidad y bajan los precios. Pero este ciclo es diferente; la IA está generando nueva demanda y al mismo tiempo reduciendo la oferta.Desde 2023, la demanda de HBM (memoria de alto ancho de banda para IA) está creciendo rápidamente. La capacidad de obleas destinada a HBM de los tres grandes fabricantes de memoria —Samsung, SK Hynix y Micron— pasó de unas 123,000 obleas por mes a finales de 2023 a aproximadamente 331,000 por mes para finales de 2025, y se espera que alcance unas 668,000 por mes para finales de 2027. Para entonces, HBM podría representar el 35% de la capacidad total de DRAM de los tres grandes fabricantes.El problema es que HBM no es una DRAM convencional. Requiere mayor superficie de chip, vías de silicio, adelgazamiento de obleas, procesamiento por la parte trasera y apilamiento complejo, lo que implica mayor dificultad de fabricación y menor rendimiento. Por ejemplo, en el caso de HBM3E con apilamiento de 12 capas, la producción de bits por oblea de DRAM convencional es cerca del triple que la de HBM; al llegar a HBM4, la diferencia podría llegar a casi cuatro veces.Esto significa que cuanto más se enfocan los fabricantes en HBM, más escasea la DRAM convencional. SemiAnalysis estima que entre 2026 y 2027, el déficit de suministro de DRAM podría mantenerse en torno al 7%; en HBM, el déficit podría expandirse del 6% en 2026 al 9% en 2027. Es una inusual escasez doble: los servidores de IA compiten por HBM y las PC, teléfonos y servidores convencionales compiten por la capacidad restante de DRAM.La oferta tampoco puede responder rápidamente. Construir una nueva fábrica avanzada de memoria requiere miles de millones de dólares y varios años de trabajo, y se necesita tiempo para el acondicionamiento de la sala limpia, la instalación de equipos, la validación y el aumento de rendimiento. La nueva capacidad añadida en 2026 estará principalmente en Samsung P4, SK Hynix M15X y Micron A3, y los dos últimos seguirán priorizando HBM. La verdadera expansión de capacidad podría comenzar a liberarse gradualmente en la segunda mitad de 2027.Esto está acelerando el aumento de precios. El informe prevé que en el primer trimestre de 2026, los precios de contrato de DDR5 y LPDDR5 suban 70% y 35% respectivamente; de cuarto trimestre de 2025 a cuarto trimestre de 2026, los precios de DRAM podrían duplicarse nuevamente.El superciclo es un arma de doble filo. Los fabricantes de memoria mejoran sus márgenes, pero el costo de materiales para teléfonos, PC y servidores de IA sigue creciendo, y los productos finales sólo pueden digerir la presión mediante aumentos de precios, reducciones de especificaciones o disminución de volumen de ventas.Lo que realmente determina cuándo terminará el ciclo no es solo una desaceleración de la demanda, sino también la puesta en marcha de nuevas fábricas de obleas, la migración a los nodos 1b y 1c, el aumento de rendimiento de HBM4 y si los fabricantes mantienen la disciplina de capital. Al menos por ahora, este ciclo impulsado por AI podría ser más grande y más duradero que los anteriores.