Después de que los precios de NAND subieran un 70% en un solo trimestre, SK Hynix reanuda la segunda fase en Dalian y acelera la competencia con Samsung en Xi'an

Según TrendForce, SK Hynix planea reanudar la expansión de la segunda fase de la fábrica de Dalian, que había sido pospuesta anteriormente, en la segunda mitad de 2026, añadiendo una nueva línea de producción de V8 (238 capas) de NAND. Este proyecto había sido paralizado debido al estancamiento del mercado de NAND y a las restricciones de exportación de Estados Unidos; el reinicio marca la conversión de la histórica recuperación de precios de NAND por parte de la compañía en una expansión real de capacidad productiva.

De acuerdo con News Tomato, SK Hynix comenzará a instalar equipos de producción en la segunda fase de la fábrica de Dalian durante la segunda mitad de este año, completando la construcción de las instalaciones de manera escalonada en la primera mitad de 2027. Los socios locales ya han comenzado a trasladar equipos de NAND sin uso a Dalian, y proveedores internacionales supuestamente han recibido órdenes preliminares para la entrega de equipos.

Sisa Journal reveló más detalles sobre la capacidad: la segunda fase de Dalian agregará una línea de producción de V8 (238 capas) con un objetivo de capacidad mensual de 30.000 a 50.000 obleas. La primera fase de la fábrica de Dalian está convirtiendo profundamente sus líneas para producir NAND de 192 capas y reemplazando equipos antiguos.

El giro detrás de la posposición: de las restricciones de exportación a la aprobación anual

La expansión de la segunda fase de Dalian había estado estancada debido a dos factores principales: primero, la incertidumbre en las restricciones de exportación de equipos semiconductores desde Estados Unidos a China; segundo, la prolongada debilidad del mercado de NAND.

En el aspecto regulatorio, un cambio clave ya ocurrió. Según News Tomato, Estados Unidos modificó el sistema de "usuario final verificado" (VEU) para implementar un proceso de aprobación anual en el transporte de equipos, lo que alivió la incertidumbre en el suministro de equipos y permitió a SK Hynix reanudar la expansión en Dalian.

El momento de este cambio de sistema es digno de atención. Bajo este contexto, el mercado observa si SK Hynix puede aprovechar el auge de DRAM y HBM para maximizar el valor de su adquisición de la unidad NAND de Intel por 11 billones de wones (aproximadamente 8 mil millones de dólares) mediante la expansión en Dalian. El informe indica que la segunda fase de Dalian es considerada la ubicación de expansión más rápida entre las bases productivas de NAND de SK Hynix.

Contexto industrial de la línea V8: precios de NAND en máximos históricos

La decisión de reiniciar la expansión no es casual. En el primer trimestre de 2026, el precio promedio de NAND de SK Hynix subió más del 70 % intertrimestral, marcando un récord histórico en un sólo trimestre. Las previsiones para el segundo trimestre indican claramente que el volumen de envíos de NAND "pasará de caer a subir" y repuntará en el trimestre. La mejora simultánea de precios y envíos proporcionó la base para reactivar planes de inversión previamente suspendidos.

Los datos de Korea Times muestran que la inversión de SK Hynix en su filial de fabricación de NAND en Dalian para 2025 aumentó a 440.600 millones de wones, un incremento del 52 % interanual. Incluso antes del reinicio oficial de la segunda fase, las inversiones de la compañía en NAND ya comenzaron a acelerarse.

En términos tecnológicos, SK Hynix ya completó la validación de producción de memoria flash 3D NAND de 375 capas y planea iniciar su fabricación masiva en la fábrica M15 de Cheongju, Corea, antes de fin de año. La nueva línea V8 (238 capas) de Dalian formará un gradiente tecnológico con la línea de Corea, atendiendo diferentes posicionamientos de mercado.

Competencia en aumento: Samsung acelera la fábrica de Xi'an

SK Hynix no es el único gigante de almacenamiento que aumenta capacidades de NAND en China. Según Sisa Journal, Samsung Electronics también está acelerando la actualización de NAND en su fábrica de Xi'an. El 30 de marzo, Samsung completó la conversión de sus líneas de producción de V6 (128 capas) a V8 (236 capas) y actualmente está entrando en la fase de producción masiva.

Los datos de inversión confirman esta tendencia. Según estimaciones de Sisa Journal, la inversión de Samsung en su fábrica de NAND en Xi'an para 2025 rondaría los 304 millones de dólares, un aumento aproximado del 67,5 % respecto al año anterior. La expansión simultánea de los dos mayores gigantes de la memoria en Corea en la capacidad de NAND en China indica que el suministro global de NAND está pasando de un ciclo de contracción a una fase de expansión.

En cuanto a los tiempos, la producción masiva de la línea V8 de Samsung en Xi'an ya comenzó, mientras que la instalación de equipos V8 en la segunda fase de Dalian por parte de SK Hynix está prevista para comenzar en la segunda mitad del año. Existe una diferencia de varios trimestres en el ritmo de incremento de capacidad entre ambos.