الطلب المتزايد على تخزين الذكاء الاصطناعي يشعل موجة توسيع الإنتاج! شركة Kioxia تخطط لبناء مصنع رقائق ثالث في محافظة إيواته اليابانية

أفاد تطبيق Golden Ten Data، نقلاً عن مصادر مطلعة، أن عملاق رقاقات التخزين الياباني Kioxia يبني مصنعاً جديداً لتصنيع الرقائق في قاعدة إنتاجه بشمال محافظة إيواتي اليابانية بهدف زيادة القدرة الإنتاجية لتلبية الطلب القوي المستمر على التخزين المتعلق بالذكاء الاصطناعي (AI).

تخطط شركة تصنيع الرقائق التي تتخذ من طوكيو مقراً لها لإنتاج رقائق NAND عالية المستوى المخصصة لمراكز البيانات في قاعدة الإنتاج بمحافظة إيواتي، بينما سيتركز مصنعها الرئيسي الآخر في مدينة يوكيتشي بمحافظة ميي على إنتاج الرقائق المخصصة للمنتجات الاستهلاكية مثل الهواتف الذكية.

ذكر أحد المصادر أن المصنع الجديد سيكون الثالث في هذه القاعدة الإنتاجية، وسيكرس لإنتاج أحدث جيل من رقائق الذاكرة الفلاشية ثلاثية الأبعاد عالية الكثافة بهدف معالجة الأحمال الكبيرة التي تنتجها خدمات الذكاء الاصطناعي. وقد بدأت Kioxia الشهر الماضي بالفعل في تسليم عينات من الجيل العاشر BiCS FLASH ثلاثية الأبعاد لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي الكبرى. هذه الرقاقة الفلاشية تعتمد بنية تكديس من 332 طبقة وسعة 1Tb TLC (خلية ثلاثية الطبقات)، ويتم إنتاجها حصرياً في مصنع Fab2 للرقائق شمال إيواتي.

يُعد إطلاق رقاقة BiCS10 الفلاشية خطوة كبيرة في خارطة التقنية لشركة Kioxia. بالمقارنة مع الجيل الثامن BiCS FLASH، حقق الجيل العاشر عدة اختراقات رئيسية: ارتفع عدد طبقات التكديس من 218 إلى 332 طبقة، بينما بلغت كثافة التخزين أكثر من 29Gb/mm²، ما يمثل زيادة بنسبة 59% مقارنة بـ BiCS8. كما يدعم منفذ الإدخال/الإخراج معيار Toggle DDR6.0 بسرعة تصل إلى 4800MT/s، أي بزيادة 33% عن الجيل الثامن. استهلاك الطاقة تم تحسينه أيضاً بشكل كبير: تم خفض استهلاك الطاقة أثناء الإخراج بنسبة 34%، وتحسين كفاءة القراءة بنسبة 30%، وخفض طاقة الإدخال بنسبة 10%، وزيادة كفاءة الكتابة بنسبة 18%.

من الناحية التقنية، احتفظت BiCS10 بالكامل بتقنيتين أساسيتين تم إدخالهما منذ الجيل الثامن: الربط المباشر لمصفوفة CMOS (CBA) وتقنية التوصيل المتباعد (OPS). تتيح بنية CBA تصنيع مصفوفة الذاكرة ورقائق CMOS المنطقية بشكل منفصل ثم ربطهما، ما يكسر قيود التوصيلات في الرقاقات التقليدية ويزيد الحد الأقصى لعدد طبقات التكديس بشكل كبير. استمرار هذه المنظومة الصناعية الناضجة يعني عدم الحاجة لإنشاء خطوط إنتاج جديدة بالكامل، مما يقلل بشكل ملحوظ دورة التطوير للإنتاج الضخم للمنتجات الجديدة. وذكرت Kioxia في بيانها أن هذه المنتجات الجديدة ستدمج أساساً في أقراص SSD من الفئة المؤسساتية ومراكز البيانات، بهدف تلبية متطلبات التخزين العالية الأداء والسعة الكبيرة والاستهلاك المنخفض للطاقة في مجال الذكاء الاصطناعي.

من المقرر أن يتم تنفيذ هذا الاستثمار بالشراكة مع SanDisk (SNDK.US)، بحسب ما أفاد أحد المصادر. وأضاف المصدر نفسه أن Kioxia وSanDisk سيبحثان عن دعم حكومي ياباني على شكل إعانات. خلال السنوات الأخيرة، قدمت اليابان دعماً مالياً لشركات مثل TSMC (TSM.US)، Sony (SONY.US)، وMicron Technology (MU.US) لتوسيع القدرات الإنتاجية لرقاقات الشريحة بالبلاد. يخطط الرئيس التنفيذي لشركة Kioxia هيروفو أوتا والرئيس التنفيذي لشركة SanDisk David Goeckeler لزيارة رئيس الوزراء الياباني Sanae Takaichi بعد ظهر الخميس.

تواجه Kioxia ضغوطاً متزايدة لرفع الإنتاج من أجل تلبية الطلبات طويلة الأجل المتواصلة عبر العقود الممتدة لسنوات. يأتي هذا الإعلان بعد خطط توسع ضخمة من المنافسين الكوريين، وارتفاع الحصة السوقية لشركة Yangtze Memory Technologies (YMTC) الصينية. وفقاً لبيانات Counterpoint Research، تتوسع YMTC بسرعة في سوق NAND العالمي، ومن المتوقع أن تحتل المركز الثالث عالمياً في الربع الثاني من عام 2026 بحسب حجم الشحنات، مباشرة خلف عملاقي إنتاج رقاقات التخزين الكوريين Samsung Electronics وSK Hynix.