Samsung的混合接合技術預計將應用於NVIDIA下一代AI加速器Feynman，該晶片將搭載客製化HBM。

BlockBeats 新聞，7月21日，Samsung Electronics 已在其平澤 P5 廠房啟動 Die-to-Wafer（D2W）混合鍵合量產線的建設，目標直接對準下一代 HBM 及邏輯半導體的先進封裝。其核心設備供應商是荷蘭的 Besi。Samsung 計劃購買約 50 台混合鍵合機，每台機器價格約為 600 億韓圓（約合 4300 萬美元），為競爭產品價格的兩倍。不過，由於 Samsung 要求對設備架構進行客製化修改，談判進展緩慢。Besi 同時也向 TSMC 和 Micron 提供設備，因此對於僅為 Samsung 客製化機器持謹慎態度。

Samsung 亦評估本土替代方案：其子公司 SEMES 已完成 D2W 混合鍵合機的開發，並於今年初送樣驗證；Hanwha Semitech 在今年2月完成第二代「SHB2 Nano」的開發，並於4月送樣至 SK hynix。他們的集群系統整合了 EFEM、等離子活化及清洗模組，形成了差異化競爭優勢。

此技術利用混合銅鍵合取代傳統熱壓鍵合，實現銅與介質材料的直接鍵合，大幅縮短互連長度。核心應用場景在於客製化 HBM，其中 HBM DRAM 層可直接垂直堆疊於含客戶運算電路及 IP 的邏輯晶片上，形成 3D 系統級封裝。

Citrini 分析師 Jukan 表示，混合鍵合預期將應用於 NVIDIA 下一代 AI 加速器 Feynman，該平台將採用客製化 HBM。技術導入時程已「從 HBM4E 後推。」Samsung 內部估計，大規模應用約在 2029 至 2030 年實現，這與 NVIDIA Feynman 的預期時程相符。