全球儲存深度更新：3Q26 DRAM漲價21%、HBM4訂單與NAND 10%+驗證

太長不看

1.3Q26 DRAM業績低於預期的擔憂可能過早。 美銀將全球DRAM平均售價（ASP）環比漲幅定在21%，高於TrendForce對傳統DRAM的13%-18%與包含高頻寬記憶體（HBM）後的8%-13%。價格成長斜率的確低於2Q26，但伺服器合約價、7月現貨及緊急訂單都顯示獲利平台仍舊偏高。

2.最強勁的需求來自伺服器DRAM與HBM4。 新簽伺服器DRAM合約價環比上漲20%-30%，高於市場原本預期的20%以內；價格更高的HBM4訂單開始取代HBM3E。AI需求不僅推升HBM用量，也在擠壓一般DRAM產能，導致DDR5與成熟DDR4同步偏緊。

3.長期協議未完全鎖定漲價空間。 美銀渠道檢查顯示，長期協議覆蓋低於總銷量的50%，非長期協議仍佔60%-70%；即使在長期協議裡，也有5%-10%的環比提價。記憶體獲利尚未被固定價格封頂，真正關鍵是合約覆蓋、重談頻率及最低採購量。

4.NAND仍有上漲空間，但證據較DRAM薄弱。 1Tb晶圓現貨單週上漲4%，部分整機廠緊急訂單支撐3Q26 NAND平均售價上漲10%以上；但512Gb晶圓現貨仍偏弱，4-7月合約價每月僅漲1%-5%。NAND的上行更仰賴企業級固態硬碟、補庫存及產品組合，不是全市場同步供不應求。

5.資本支出強勁，終端需求卻未一面倒向上。 台積電將2026年資本支出指引上調至600億-640億美元，ASML下半年指引也偏強；韓國半導體出口、中國集成電路進口額顯著成長，但中國智慧型手機2Q26出貨量年減4.3%。供應鏈景氣極強，消費端價格承受力已進入驗證期。