Đàm phán về năng lực lưu trữ đã được xếp lịch đến năm 2030! Winbond Electronics khởi động kế hoạch mở rộng sản xuất trước thời hạn

Nhu cầu lưu trữ do AI thúc đẩy tiếp tục mở rộng, Winbond buộc phải lên kế hoạch trước — khách hàng đã tranh nhau đặt trước công suất cho ba năm tới.

Winbond, doanh nghiệp IDM lưu trữ chuyên biệt hàng đầu toàn cầu, thông báo khởi động kế hoạch mở rộng nhà máy Luzhu tại Cao Hùng, Đài Loan sớm hơn dự kiến, hợp nhất hạng mục xây dựng giai đoạn hai và ba thành nhà máy Module B phát triển đồng thời. Theo dự báo của Golden Ten Data, nhà máy này dự kiến sẽ khởi công xây dựng phòng sạch vào năm 2027, sớm nhất sẽ lắp đặt thiết bị vào đầu năm 2029.

Theo các chuyên gia trong ngành, Agentic AI đang thúc đẩy nhu cầu về dung lượng lưu trữ và đóng gói tiên tiến tăng trưởng liên tục, “xu hướng tăng trưởng liên quan dự kiến sẽ kéo dài trong thời gian tương đối dài”, đây chính là nguyên nhân trực tiếp khiến Winbond quyết định khởi động trước kế hoạch Module B. Hiện đã có khách hàng đàm phán sớm về chỉ tiêu công suất cho năm 2029 và 2030.

Kết quả quý: Khối lượng và giá đồng loạt tăng, tỷ suất lợi nhuận gộp đạt đỉnh

Doanh thu hợp nhất quý II của Winbond đạt 59.843 tỷ Đài tệ, tăng 56,4% so với quý trước và tăng 184,7% so với cùng kỳ năm ngoái.

Tăng giá là động lực cốt lõi: Giá DRAM trong một quý tăng khoảng 100%, Flash tăng khoảng 43%. Tỷ suất lợi nhuận gộp theo đó tăng lên 66,2%, lợi nhuận ròng trên mỗi cổ phiếu (EPS) đạt 5,40 Đài tệ.

Bước sang quý III, xu hướng tăng giá vẫn được duy trì. Golden Ten Data dẫn lời chuyên gia dự báo, cả DRAM chuyên dụng và SLC NAND đều trong tình trạng cung không đáp ứng đủ cầu, giá có thể tăng khoảng 50% mỗi quý; NOR Flash được thúc đẩy bởi các khách hàng lớn là nhà cung cấp dịch vụ đám mây (CSP) tích cực dự trữ hàng, giá dự kiến tăng khoảng 30% mỗi quý.

Dự báo quý IV mức tăng giá sẽ thu hẹp xuống còn 2% - 5%, tuy nhiên theo ý kiến các chuyên gia, nhờ tăng năng lực sản xuất DRAM và sản lượng xuất xưởng, doanh thu và lợi nhuận của Winbond vẫn sẽ tiếp tục xu hướng tăng trưởng theo quý.

Module B: Toàn bộ dòng sản phẩm tập trung vào AI

Kế hoạch sản phẩm của nhà máy Module B Winbond Cao Hùng bao gồm Standard DRAM, CUBE DRAM, Wafer-on-Wafer (WoW) và tụ điện silicon (Si-Cap), đồng thời sẽ hỗ trợ quy trình DRAM 14 nm và trong tương lai là 12 nm, tiếp theo dự kiến sẽ đưa thiết bị EUV vào sử dụng.

Logic sắp xếp này rất rõ ràng: AI thúc đẩy lưu trữ tiến lên mật độ cao hơn, đóng gói tiên tiến hơn, Winbond cần phải xác lập sớm quy trình và công suất để không bị tụt hậu khi nhu cầu khách hàng trở thành hiện thực.

Việc đưa thiết bị vào hoạt động sẽ được tiến hành theo từng giai đoạn dựa trên dự báo nhu cầu của khách hàng (Forecast) và thỏa thuận dài hạn (LTA), thay vì chạy hết công suất ngay từ đầu, nhằm kiểm soát nhịp độ đầu tư vốn.

Si-Cap: Đường cong tăng trưởng thứ ba

Tụ điện silicon (Si-Cap) là điểm nhấn đáng chú ý riêng trong kế hoạch lần này.

Các chuyên gia coi đây là “động lực tăng trưởng tiềm tàng thứ ba” của Winbond ngoài Logic và Memory. Winbond đã đầu tư khoảng 4 tỷ Đài tệ để xây dựng dây chuyền sản xuất Si-Cap chuyên dụng.

Hiện tại, mật độ tụ điện của sản phẩm sản xuất hàng loạt khoảng 3.300 nF/mm², các mẫu thử mới nhất đã đạt khoảng 5.400 nF/mm², chủ yếu phục vụ cho đóng gói tiên tiến AI và ứng dụng quản lý nguồn điện AI. Dự báo sản xuất hàng loạt sẽ bắt đầu sớm nhất vào cuối quý I năm 2027.

Logic của Si-Cap là: Chip AI yêu cầu độ ổn định nguồn điện rất cao, tụ silicon có thể cung cấp khử ghép nguồn điện mật độ cao hơn ở cấp độ đóng gói, là thiết bị hỗ trợ không thể thiếu cho đóng gói tiên tiến. Winbond chủ động đi trước, nhằm chiếm lĩnh nhu cầu đang nổi lên này.