Переговори щодо виробничих потужностей зі зберігання вже заплановані до 2030 року! Winbond Electronics достроково запускає плани розширення виробництва

Штучний інтелект стимулює безперервне зростання попиту на зберігання, і Winbond Electronics змушена планувати наперед — клієнти вже бронюють виробничі потужності на три роки вперед.

Глобальний лідер у сфері нішевої пам'яті IDM, Winbond Electronics, оголосила про достроковий запуск розширення заводу в Лучжу, Гаосюн, Тайвань, об'єднавши другий і третій етапи будівництва у єдину фабрику Module B, яка буде впроваджуватись одночасно. За даними Taiwan Economic Daily, завод почне будівництво приміщення чистої кімнати у 2027 році, і найшвидше встановлення обладнання розпочнеться на початку 2029 року.

За словами представників інституцій, агентський штучний інтелект (Agentic AI) стимулює постійне зростання потреб у місткості пам'яті й передових упаковках, “очікується, що відповідна тенденція зростання триватиме досить довго”, і це є прямою причиною, чому Winbond Electronics вирішила достроково запустити проект Module B. Зараз вже є клієнти, які ведуть переговори щодо квот на виробництво у 2029 та 2030 роках.

Звіт за поточний сезон: зростання обсягу і цін, рекордна маржинальність

Об'єднаний дохід Winbond Electronics у другому кварталі склав 59.843 мільярдів тайванських доларів, збільшившись на 56,4% за квартал і на 184,7% у річному вимірі.

Підвищення цін є основною рушійною силою: вартість DRAM за квартал зросла приблизно на 100%, Flash — приблизно на 43%. Відповідно, маржа зросла до 66,2%, чистий прибуток на акцію (EPS) досяг 5,40 доларів.

У третьому кварталі зростання зберігається. За даними Taiwan Economic Daily з посиланням на інституційних аналітиків, як нішевий DRAM, так і SLC NAND мають дефіцит пропозиції, і ціни зростуть за квартал приблизно на 50%; NOR Flash росте на близько 30% на квартал через активні закупівлі великих клієнтів-хмарних сервісів (CSP).

Очікується, що у четвертому кварталі приріст уповільниться до 2%-5%, але, за словами інституційних представників, завдяки збільшенню виробничих потужностей DRAM і зростанню обсягів відвантажень, доходи і прибуток Winbond Electronics все ще зможуть зростати квартал до кварталу.

Module B: уся лінійка продуктів орієнтована на AI

Продуктова стратегія Module B заводу у Гаосюні, Winbond Electronics, охоплює Standard DRAM, CUBE DRAM, Wafer-on-Wafer (WoW) і силіконові конденсатори (Si-Cap), а також підтримуватиме виробничий процес DRAM у 14 нм і майбутньому 12 нм, з подальшим впровадженням EUV-устаткування.

Логіка цієї стратегії є очевидною: AI стимулює зберігання до більшої щільності й передових технологій упаковки, і Winbond Electronics потрібно заздалегідь фіксувати виробничі процеси й потужності, щоб у момент реалізації попиту не відстати від ринку.

Впровадження устаткування здійснюватиметься поетапно, залежно від прогнозів клієнтів (Forecast) і довгострокових угод (LTA), а не повністю одночасно, щоб контролювати темпи капітальних витрат.

Si-Cap: третя хвиля зростання

Силіконові конденсатори (Si-Cap) — це напрямок, що заслуговує окремої уваги у цій стратегії.

Інституційні аналітики розглядають їх як “третій потенційний драйвер зростання” Winbond Electronics поза межами логіки (Logic) та пам'яті (Memory). Компанія вже інвестувала близько 4 мільярдів тайванських доларів у побудову окремої лінії для Si-Cap.

На сьогодні щільність ємності у серійній продукції становить близько 3 300 нФ/мм², а останні зразки вже досягають близько 5 400 нФ/мм²; основним фокусом є передова упаковка AI та застосування для керування живленням AI. За прогнозами, масове виробництво може розпочатися вже наприкінці першого кварталу 2027 року.

Логіка для Si-Cap полягає в тому, що AI-чипи мають дуже високі вимоги до стабільності живлення, і силіконові конденсатори можуть забезпечити більш щільне розв'язання живлення на рівні упаковки, що робить їх невід'ємною частиною передової упаковки. Завчасне планування Winbond Electronics має на меті зайняти лідерську позицію у цій новій сфері попиту.