Уровень выхода годных Samsung HBM4E превысил 70%, следующая технологическая ступень DRAM D1d планируется получить разрешение на производственную готовность в ноябре

По сообщениям BlockBeats, 1 июля компания Samsung Electronics после первой в мире массовой продукции HBM4 (шестое поколение) добивается прогресса в разработке HBM4E (седьмое поколение) и следующего поколения DRAM. Директор по технологиям подразделения DS и глава исследовательского института полупроводников Samsung Electronics Сон Джэ-хёк 30 июня на внутреннем совещании сообщил, что выход годных изделий на этапе тестирования надежности HBM4E превысил 70%. В отрасли обычно считают, что при достижении выхода годных более 80% процесс считается стабильным и соответствует «зрелому уровню», а показатель более 70% на этапе тестирования надежности расценивается как индикатор вхождения разработки HBM4E в стабильную фазу.

В феврале этого года Samsung Electronics первой в мире начала массовое производство и поставки HBM4, а 29 мая опубликовала подробные технические характеристики 12-слойного продукта HBM4E и поставила образцы основным клиентам. HBM4 будет использоваться в AI-ускорителе Vera Rubin от NVIDIA, запуск которого ожидается во второй половине этого года, а HBM4E, как ожидается, будет применяться в следующем поколении AI-ускорителей NVIDIA Vera Rubin Ultra, запуск которых намечен на следующий год.

Разработка следующего поколения технологий DRAM у Samsung также проходит успешно. Сон Джэ-хёк считает, что технология процесса D1d имеет конкурентное преимущество по сравнению с другими компаниями и разрабатывается с целью получения разрешения на подготовку к производству в ноябре. Технология D1d станет ключевой для следующего поколения HBM5 (восьмое поколение) и планируется к применению начиная с нее; при успешной реализации планы обеспечат конкурентоспособность следующих поколений DRAM и продуктов HBM5. (Fnnews)