Segundo relatos, a Samsung Electronics está colaborando com os requisitos da Nvidia para desenvolver uma memória de alto desempenho de 8 camadas da sétima geração (HBM4E), o que representa uma redução significativa na altura de empilhamento em relação aos planos originais de 12 ou 16 camadas. As especificações de velocidade solicitadas pela Nvidia são de 17-18 Gbps, cerca de 20% superiores aos 14,4 Gbps das amostras iniciais de HBM4E da Samsung. Esse produto deverá ser utilizado no NVHBM. (Seou

Segundo relatos, a Samsung Electronics está colaborando com os requisitos da Nvidia para desenvolver uma memória de alto desempenho de 8 camadas da sétima geração (HBM4E), o que representa uma redução significativa na altura de empilhamento em relação aos planos originais de 12 ou 16 camadas. As especificações de velocidade solicitadas pela Nvidia são de 17-18 Gbps, cerca de 20% superiores aos 14,4 Gbps das amostras iniciais de HBM4E da Samsung. Esse produto deverá ser utilizado no NVHBM. (Seou

智通财经2026/08/31 05:31

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Segundo relatos, a Samsung Electronics está colaborando com a Nvidia para desenvolver memória de alto largura de banda de 8 camadas da sétima geração (HBM4E), reduzindo significativamente a altura de empilhamento em comparação com os planos originais de 12 e 16 camadas. As especificações de velocidade propostas pela Nvidia são de 17-18Gbps, aproximadamente 20% mais rápidas do que a velocidade das amostras iniciais da HBM4E de 14.4Gbps da Samsung. Este produto será utilizado em NVHBM. (Seoul Economic Daily).

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