Demanda por armazenamento de IA aumenta novamente: Nvidia CMX pode consumir mais de 100 milhões de TB de NAND no próximo ano, Samsung já iniciou fornecimento

A demanda dos servidores de IA da Nvidia por memória flash NAND está entrando em uma fase de crescimento explosivo, e a Samsung Electronics, aproveitando sua vantagem em capacidade de produção, rapidamente transforma essa tendência em uma oportunidade estratégica.

De acordo com reportagem do Diário Econômico de Seul em 20 de julho, a Samsung Electronics iniciou a produção em massa da décima geração de V-NAND (V10) e forneceu oficialmente para a Nvidia, ao mesmo tempo dedicando cerca de 60% da capacidade total de V-NAND para as linhas de produção do nono geração (V9), a fim de atender à demanda da "Context Memory Storage" (CMX), a nova geração de dispositivos de armazenamento que será lançada pela Nvidia. Espera-se que a capacidade de NAND necessária para CMX salte dos 35 milhões de TB deste ano para mais de 100 milhões de TB no próximo ano.

Essa onda de demanda tem impacto profundo sobre toda a estrutura de oferta do mercado de NAND. O bloqueio em larga escala da Nvidia sobre a oferta de NAND significa que a quantidade de chips de armazenamento disponíveis para outras empresas e consumidores será drasticamente reduzida, criando pressão altista nos preços de mercado.

Ao mesmo tempo, espera-se que o presidente da Samsung Electronics, Lee Jae-yong, em breve se encontre com o CEO da Nvidia, Jensen Huang, em São Francisco. As duas partes discutirão aprofundadamente questões como o fornecimento de HBM e a próxima geração de produtos NAND, além da colaboração para a construção de data centers na Coreia do Sul.

CMX impulsiona salto na demanda por NAND e Nvidia garante capacidade da Samsung

O surgimento do CMX da Nvidia tem origem na explosão do volume de dados do "Key-Value Cache" (KV Cache) durante os processos de inferência de IA. Antes, servidores com GPU podiam lidar internamente com dados KV Cache, mas, com o crescimento contínuo do volume de dados, dispositivos de armazenamento externo dedicados equipados com milhares de TB em SSDs tornaram-se configurações essenciais para servidores de IA.

Segundo a wccftech, cada unidade CMX da Nvidia vem equipada com 576 SSDs, totalizando uma capacidade de armazenamento de 9.600 TB. O setor estima que a demanda de NAND para CMX chegue a aproximadamente 35 milhões de TB este ano, ultrapassando 100 milhões de TB no ano que vem. O analista independente da indústria de semicondutores, @jukan05, publicou na plataforma X que essa escala de 100 milhões de TB equivale, aproximadamente, à adição de uma empresa do tamanho da Apple ao mercado de NAND, sendo um impacto altamente significativo para o lado da oferta.

Atualmente, a capacidade de produção mensal de wafers V-NAND da Samsung Electronics já ultrapassa 100.000 peças. De acordo com relatos, a Nvidia solicitou a ampliação da capacidade de produção de NAND da Samsung pouco antes do embarque do CMX, e a Samsung está respondendo ativamente. A produção total de NAND da Samsung este ano deve atingir cerca de 250 milhões de TB, e a empresa planeja se consolidar como principal fornecedora do CMX da Nvidia com sua liderança global em capacidade.

V9 estável, V10 em produção em massa, V11 em teste piloto: três gerações avançam juntas na Samsung

Em termos de portfólio de produtos, a Samsung está avançando simultaneamente na produção de três gerações de V-NAND.

No caso do V9, a Samsung já aumentou a participação de sua produção para cerca de 60% da capacidade total de V-NAND, com rendimento estabilizado acima de 80%, alcançando um estágio de produção madura em larga escala. Um ano atrás, o V8 ainda correspondia a uma parte significativa da produção de V-NAND; agora, essa participação caiu para menos de 40%, refletindo a veloz resposta da Samsung à demanda por servidores de IA. Além disso, a sala limpa dedicada à NAND na quarta fábrica de Pyeongtaek (P4) ainda tem mais da metade do espaço não utilizado, oferecendo amplo potencial para futuras expansões de produção.

Quanto ao V10, a Samsung iniciou oficialmente a produção em massa no primeiro semestre deste ano, atualmente representando menos de 5% da produção total de V-NAND, em estágio de rampa. O V10 adota uma arquitetura de empilhamento de cerca de 400 camadas, aumentando a densidade em mais de 50% em relação às 286 camadas do V9 e permitindo SSDs de capacidade ainda maior nos módulos CMX. Vale notar que o V10 será o primeiro a fazer uso comercial em grande escala de molibdênio em vez de tungstênio nas interconexões, reduzindo sua espessura entre 30% e 40%; a Samsung já havia realizado pequenas aplicações desse material no V9.

Sobre o V11, a Samsung iniciou a produção piloto no início deste ano, com uma meta de empilhamento entre 400 e 500 camadas, aumentando em aproximadamente 100 camadas em relação ao V10. A Samsung planeja dobrar a escala dos testes em piloto no segundo semestre para acumular dados de rendimento e agilizar o processo de entrada em produção em massa.

Efeito de concentração de oferta se evidencia e mercado consumidor sente pressão

O aprofundamento da aliança entre Samsung e Nvidia no mercado de NAND, ao mesmo tempo que impulsiona as expectativas de resultados da Samsung, também intensifica a segmentação da oferta em toda a indústria de memória.

Segundo rumores, o lucro da Samsung previsto para 2026 deve superar o lucro acumulado dos últimos 40 anos, em grande parte graças ao surto estrutural de demanda de servidores de IA por armazenamento. No entanto, o outro lado dessa moeda é que, ao destinar uma grande fatia da produção para grandes clientes de tecnologia como Nvidia, a oferta de NAND para outras empresas e consumidores sofrerá forte aperto, elevando o risco de aumento dos preços de armazenamento.

Recentemente, a onda de IA já provocou uma escassez de DRAM e aumentos acentuados nos preços, com o mercado de NAND enfrentando lógica restritiva semelhante na oferta. Com a ampliação contínua das entregas do CMX da Nvidia, espera-se que essa pressão se acentue ainda mais.

No longo prazo, o avanço acelerado do V11 NAND pode aliviar a pressão no mercado consumidor — a tecnologia de empilhamento de 500 camadas, em tese, pode permitir a produção em massa de SSDs de alta capacidade para consumidores a custo menor, desde que a Samsung decida alocar capacidade de produção para esse fim. Dada a atual orientação do direcionamento da capacidade, esse cenário ainda é pouco animador.

Encontro iminente entre Lee Jae-yong e Jensen Huang expande a cooperação

A cooperação entre Samsung e Nvidia já foi estendida de DRAM e HBM para serviços de foundry e, agora, a memória flash NAND também entra para a aliança, ampliando tanto profundidade quanto abrangência da parceria.

Conforme divulgado, Lee Jae-yong deverá se encontrar com o CEO da Nvidia, Jensen Huang, em breve em São Francisco . As pautas incluem o fornecimento de HBM e novos produtos NAND, bem como planos de colaboração envolvendo construção de data centers em Gwangju (Coreia do Sul) e outros locais.

Fontes do setor observam que “a aliança entre Samsung e Nvidia abrange todo o espectro de negócios de armazenamento e foundry, e o diálogo entre os líderes deve ser ainda mais aprofundado”. Com as entregas do CMX da Nvidia prestes a começar, o significado estratégico desse encontro torna-se ainda mais evidente.