SK Hynix mempercepat pengembangan klaster semikonduktor Yongin, memulai pengadaan peralatan untuk Fab Y1

BlockBeats News, 14 Juli, menurut media Korea ZDNET, SK Hynix telah mulai melakukan pengadaan peralatan untuk cleanroom tahap pertama pada fab Y1 di Yongin Semiconductor Cluster, dengan rencana awal menambah kapasitas bulanan sebesar 20.000 wafer 1c DRAM.

Fab Y1, yang awalnya dijadwalkan mulai mengoperasikan cleanroom tahap pertama pada Mei 2027, kini dimajukan menjadi Februari 2027. Perusahaan berencana untuk memulai pembangunan lini produksi uji coba pada waktu tersebut, dengan pemasangan peralatan secara resmi dilakukan antara Maret dan April untuk menambah kapasitas produksi sebesar 20.000 wafer per bulan.

Lini produksi ini akan terutama memproduksi 1c DRAM generasi keenam 10 nanometer, yang dapat digunakan pada produk DDR dan LPDDR bernilai tambah tinggi terkait AI serta direncanakan untuk diaplikasikan pada komersialisasi awal HBM4E pada 2027. Untuk mempercepat pengadaan peralatan, SK Hynix juga akan memajukan negosiasi kontrak harga peralatan, yang biasanya dilakukan di akhir tahun, menjadi awal kuartal ketiga.

SK Hynix secara bersamaan juga mempercepat keseluruhan progres konstruksi Yongin Semiconductor Cluster. Proyek ini memiliki total investasi sekitar 60 triliun won Korea dan terdiri dari empat fab, dengan target penyelesaian fab keempat dimajukan dari 2045 menjadi 2033; konstruksi cleanroom tahap kedua dan ketiga Y1 diperkirakan akan dimulai pada paruh kedua tahun ini.