Samsung Electronics prévoit de construire une nouvelle usine de DRAM à Giheung, avec une capacité de production mensuelle estimée à 100 000 tranches de silicium.

Selon Odaily, l'analyste Citrini jukan a publié sur la plateforme X que Samsung Electronics prévoit de construire une nouvelle usine de wafers DRAM dans son complexe de Giheung, transformant le site initialement destiné à un centre de R&D en installation de production de mémoire. Cette installation devrait avoir une capacité mensuelle d'environ 100 000 wafers, avec un investissement total estimé à plusieurs dizaines de milliers de milliards de wons. Samsung Electronics a déjà constitué une équipe interne pour avancer sur la construction de la nouvelle usine de wafers, et les travaux initiaux pourraient commencer dès le troisième trimestre. Counterpoint Research prévoit que, grâce à la hausse des prix des produits, les revenus du marché mondial des DRAM passeront de 150 milliards de dollars cette année à un maximum de 210 milliards de dollars. Samsung Electronics installe également une nouvelle ligne de production à capacité mensuelle de 100 000 wafers à l'usine P4 de Pyeongtaek, produisant des DRAM destinées à la sixième génération de HBM, à savoir HBM4, et prévoit de construire une usine de wafers dans le cluster de semi-conducteurs de nouvelle génération à Yongin, Gyeonggi-do, avec une première mise en service prévue pour 2029. Par ailleurs, l'entreprise conduit également la construction de deux usines avancées de wafers pour semi-conducteurs dans le cluster de Gwangju, Jeollanam-do, pour un investissement total de 4000 milliards de wons.