Bank of America: La nueva capacidad de producción de SK Hynix en 2028 podría ser solo una sexta parte de lo planeado originalmente y resurgen las controversias sobre la manipulación de precios de la DRAM

El último análisis de Bank of America muestra que la capacidad adicional real de chips de memoria que SK Hynix podrá agregar hasta 2028 podría representar solo una sexta parte del plan original, un juicio que no solo reduce significativamente el plan de expansión de capacidad del gobierno coreano, sino que también proporciona una evidencia clave para la demanda colectiva en curso por manipulación de precios de DRAM.

Según medios coreanos que citan el informe reciente de Bank of America, afectada por cierre de plantas antiguas, actualizaciones tecnológicas y reducción de procesos, la capacidad operativa real de obleas de memoria que Corea puede aumentar anualmente es inferior al 10%, lo que significa que el incremento de capacidad hasta el 2030 será muy inferior al objetivo de "duplicar la capacidad para 2030" planteado anteriormente por el presidente coreano Lee Jae-myung. Personas informadas de la industria de chips de memoria señalan además que la capacidad adicional de SK Hynix hasta 2028 podría ser solo una sexta parte de lo planeado originalmente.

Este juicio impacta directamente en las expectativas de suministro en el mercado de DRAM. A la vez, Samsung, SK Hynix y Micron fueron demandadas colectivamente el 25 de junio de este año en un tribunal federal de California, acusadas de conspirar para manipular los precios de DRAM. El análisis sugiere que la grave demora en la expansión de capacidad de SK Hynix debilita aún más el espacio de defensa de las tres grandes compañías en dicha demanda.

El presidente de Corea, Lee Jae-myung, previamente promovió activamente la construcción de grandes fábricas de obleas por parte de Samsung y SK Hynix en Gwangju y Jeolla, respectivamente, en el suroeste del país, considerándolas como el principal apoyo para lograr el objetivo de "duplicar la capacidad para 2030". Sin embargo, el análisis de Bank of America revela que existe una gran distancia entre esta expectativa optimista y la realidad.

Según fuentes de la industria de chips de memoria, solo la construcción de cimientos en Gwangju y Jeolla tomaría alrededor de cinco años, y se necesitarían otros tres a cuatro años para instalar las salas limpias y el equipamiento de fabricación de chips. Crear el ecosistema de manufactura completo en ambas ubicaciones tomaría más de diez años.

Considerando la reducción de capacidad por cierre de plantas obsoletas como consecuencia de actualizaciones tecnológicas, el aumento neto anual de capacidad operativa de obleas de memoria en Corea es inferior al 10%, y el incremento acumulado hasta 2030 quedará significativamente debajo del objetivo establecido por el gobierno.

El 25 de junio de este año, Samsung, SK Hynix y Micron fueron demandadas colectivamente en un tribunal federal de California. La demanda representa a consumidores y empresas que compraron productos comerciales con DRAM durante el reciente periodo de alza de precios, acusando a las tres compañías de aprovechar su posición dominante en el mercado global de DRAM y de coordinar, en nombre de la transición estratégica a memorias de alto ancho de banda (HBM) para IA, la reducción de la producción de formatos tradicionales de memoria como DDR3 y DDR4, elevando artificialmente los precios.

El problema de retraso en la expansión de capacidad revelado por el informe de Bank of America responde directamente a la lógica central de dicha demanda. Si la capacidad adicional de SK Hynix hasta 2028 representa solo una sexta parte del plan original, la narrativa del mercado de "la nueva capacidad está por entrar masivamente" pierde sentido, lo que incrementa la presión sobre las tres compañías para defenderse argumentando que el suministro está condicionado por factores objetivos.

El análisis mencionado refuerza aún más el juicio de que el suministro de chips de memoria permanecerá ajustado a largo plazo. El CEO de SK Hynix ya advirtió públicamente que 2027 será “el peor año en la historia” para la industria de memoria, y la escasez podría continuar hasta la década de 2030.

Para los inversionistas, el punto de expansión sustancial de la capacidad de memoria se ha pospuesto considerablemente, lo que implica que los precios de DRAM estarán condicionados por el lado de la oferta durante un ciclo prolongado. Al mismo tiempo, el desarrollo de la demanda colectiva se convierte en una variable importante que afectará la valuación y las expectativas de mercado para Samsung, SK Hynix y Micron.