Medios coreanos: Samsung Electronics y SK Hynix podrían retrasar la implementación de la tecnología de unión híbrida HBM de próxima generación.

Odaily informó, según medios surcoreanos, que Samsung Electronics y SK Hynix están reevaluando el momento de adopción de la tecnología de Union Híbrida (Hybrid Bonding) para la próxima generación de memorias de alto ancho de banda (HBM). Debido a que la necesidad de reducir el grosor y mejorar la capacidad de disipación térmica de las HBM ha disminuido, el mercado espera que la introducción de esta tecnología podría retrasarse aún más en comparación con las previsiones anteriores. Al mismo tiempo, ambas empresas están desarrollando respectivamente nuevas soluciones de disipación térmica como HPB e iHBM, y planean implementarlas en productos HBM5. Sin embargo, la industria considera que, a medida que el número de canales I/O de las HBM siga aumentando en el futuro, la unión híbrida seguirá siendo una ruta tecnológica importante a medio y largo plazo.