Es wird erwartet, dass Samsungs Hybrid Bonding-Technologie im nächsten KI-Beschleuniger Feynman von NVIDIA eingesetzt wird, wobei der Chip mit maßgeschneidertem HBM ausgestattet ist.

BlockBeats News, 21. Juli: Samsung Electronics hat mit dem Bau der Die-to-Wafer (D2W) Hybrid Bonding Massenproduktionslinie in seiner Pyeongtaek P5 Fabrik begonnen und zielt direkt auf das fortschrittliche Packaging der nächsten Generation von HBM und Logikhalbleitern ab. Der wichtigste Lieferant der Anlagen ist das niederländische Unternehmen Besi. Samsung plant den Kauf von etwa 50 Hybrid Bonding Maschinen, wobei jede Maschine mit rund 60 Milliarden koreanischen Won (etwa 43 Millionen US-Dollar) bewertet wird, was doppelt so teuer ist wie Konkurrenzprodukte. Aufgrund von Samsungs Anforderungen an kundenspezifische Anpassungen in der Gerätearchitektur kommen die Verhandlungen jedoch nur langsam voran. Besi liefert gleichzeitig auch Anlagen an TSMC und Micron und ist deshalb vorsichtig bei maßgeschneiderten Anpassungen allein für Samsung.

Samsung prüft auch inländische Alternativen: die Tochtergesellschaft SEMES hat die Entwicklung von D2W Hybrid Bonding Maschinen abgeschlossen und Anfang dieses Jahres Proben zur Verifizierung verschickt; Hanwha Semitech hat im Februar die Entwicklung der zweiten Generation „SHB2 Nano“ abgeschlossen und im April Proben an SK hynix geschickt. Ihr Clustersystem, das EFEM, Plasmaaktivierung und Reinigungsmodule integriert, hat einen differenzierten Wettbewerbsvorteil geschaffen.

Diese Technologie nutzt hybrides Kupfer-Bonding, um traditionelles Thermokompressions-Bonding zu ersetzen, was eine direkte Verbindung von Kupfer mit dem Dielektrikum ermöglicht und die Verbindungslänge deutlich verkürzt. Das zentrale Anwendungsszenario liegt bei kundenspezifischem HBM, wo die HBM DRAM-Schicht direkt vertikal auf einem Logikchip gestapelt wird, der Computerschaltungen und IP des Kunden enthält, um ein 3D-Systemlevel-Package zu bilden.

Citrini Analyst Jukan erklärte, dass Hybrid Bonding voraussichtlich in NVIDIA's nächster Generation von KI-Beschleunigern Feynman eingesetzt wird, die kundenspezifisches HBM verwenden werden. Der Zeitplan für die Technologieeinführung wurde „von HBM4E verschoben“. Intern schätzt man bei Samsung, dass eine großflächige Anwendung möglicherweise um 2029 bis 2030 erreicht werden könnte, was der erwarteten Zeitspanne für NVIDIA's Feynman entspricht.