Tiefgehender Bericht über Samsung Electronics: Quartalsgewinn von 89,4 Billionen Won, HBM4-Aufholjagd und Verlustminderung im Wafer-Foundry-Geschäft

Zu lang, nicht gelesen

1.Samsung Electronics ist eine Kombination aus Profitmaschine für Speicher, Basis für Endprodukteinnahmen, Puffer für Display und Automobilelektronik sowie eine Option zur Verlustreduzierung bei der Waferfertigung; die Geschäftsstruktur unterscheidet sich vom hochreinen SK Hynix. Der DS-Sektor brachte im 1. Quartal 2026 93,8% des Betriebsgewinns des Konzerns, repräsentiert aber nur einen Teil des Unternehmenswerts. Werden alle anderen Geschäftsbereiche nur als Belastung gesehen, unterschätzt man Nettokapital, interne Synergien und den Puffer bei zyklischen Abschwüngen. Werden alle als Synergie betrachtet, übersieht man, dass die Bereiche Mobiltelefon und TV durch steigende Speicherpreise negativ beeinflusst werden.

2.Der Quartals-Betriebsgewinn von 89,4 Billionen KRW belegt zunächst die Stärke der traditionellen Speicherpreise und kann die HBM-Führungsposition noch nicht allein beweisen. Die vorläufige Unternehmensprognose weist für das 2. Quartal 2026 Einnahmen von rund 171 Billionen KRW und einen Betriebsgewinn von etwa 89,4 Billionen KRW aus. Bank of America schätzt den Speicher-Betriebsgewinn auf rund 91,1 Billionen KRW, während Waferfertigung, Mobiltelefone und Haushalts-TV weiterhin zusammen Verluste ausweisen. Samsung Electronics hat bestätigt, dass HBM4 für Nvidia Vera Rubin in Serie gefertigt und verkauft wird, hat jedoch keine Angaben zu Kunden-Zertifizierung, Marktanteil oder Produktgewinn gemacht.

3.Die Gewinnerwartungen wurden innerhalb eines halben Jahres sprunghaft angehoben, während die Bewertungsmultiplikatoren zurückhaltender wurden. HSBC und JPMorgan schätzten im Januar den Betriebsgewinn für 2026 auf etwa 169-173 Billionen KRW, im Juli hat Citi und die Bank of America diesen auf 381-401 Billionen KRW erhöht. Im gleichen Zeitraum sank der Speicherbewertungsmultiplikator bei Citi von 7,9 auf 7,6, das KGV bei Bank of America von 11 auf 10. Dies zeigt, dass das Kursziel von 530.000-550.000 KRW hauptsächlich durch Gewinnrealisierung erreicht wird und nicht durch weitere Multiplikatorsteigerungen.

4.Der Investitionswert des HBM4-Aufschwungs liegt darin, dass gleichzeitig High-Bandwidth-Memory, 4 nm Grundchips und fortschrittliche Verpackungstechnologien stimuliert werden, aber „interne Aufträge“ bedeuten nicht automatisch „externe Wettbewerbsfähigkeit“. Künftig sollten HBM-Einnahmen, Kundenabdeckung, Ausbeute, 1c-Prozesstechnologie und Waferfertigung für externe Kunden getrennt überprüft werden. Sobald einer dieser Faktoren ins Stocken gerät, kann die vertikale Integration von Synergie in eine Schleife hoher Investitionsausgaben und interner Kosten umschlagen.

5.Der eigentliche Stresstest findet erst ab 2027 statt. Die Bank of America erwartet für 2027 einen Betriebsgewinn von 506,4 Billionen KRW und einen freien Cashflow von 335,5 Billionen KRW, doch dies ist nicht der Nettogewinn und auch keine Unternehmensprognose. In der Szenarioanalyse für 2028 wird bereits angenommen, dass die Durchschnittspreise für DRAM und NAND um 10%-12% fallen. Sollte der Gewinn dann nur leicht zurückgehen, bedeutet das, dass langfristige Verträge, Produktstruktur und Kostenverbesserung die Ertragsbeständigkeit erhöhen; wenn jedoch der Cashflow mit den Preisen schnell sinkt, entspricht dies einem zyklischen Hoch, das aktuell verstärkt wird.