Samsung Electronics plant den Bau einer neuen DRAM-Fabrik in Giheung, mit einer erwarteten monatlichen Kapazität von 100.000 Wafern.

Odaily berichtet, dass Citrini-Analyst jukan auf der X-Plattform mitteilte, dass Samsung Electronics plant, in seinem Giheung-Komplex eine neue DRAM-Wafer-Fabrik zu errichten und das ursprünglich für ein Forschungszentrum vorgesehene Gelände in eine Speicherproduktionsstätte umzuwandeln. Die monatliche Produktionskapazität der Anlage wird auf etwa 100.000 Wafer geschätzt, das Gesamtinvestitionsvolumen dürfte mehrere zehn Billionen koreanische Won betragen. Samsung Electronics hat bereits ein internes Team zur Umsetzung des neuen Wafer-Fabrikprojekts gebildet; der Baubeginn könnte frühestens im dritten Quartal erfolgen. Counterpoint Research erwartet, dass der weltweite DRAM-Marktumsatz durch steigende Produktpreise von dieses Jahr 150 Milliarden US-Dollar auf bis zu 210 Milliarden US-Dollar anwachsen wird. Samsung Electronics installiert zudem im Pyeongtaek P4-Werk eine neue Produktionslinie mit einer monatlichen Kapazität von 100.000 Wafern, die DRAM für die sechste Generation HBM, also HBM4, herstellen kann. Außerdem plant das Unternehmen den Bau einer Wafer-Fabrik in der nächsten Halbleiter-Cluster-Generation in Yongin, Gyeonggi-do, mit dem Ziel der Erstproduktion Anfang 2029. Darüber hinaus treibt Samsung Electronics in der Halbleiter-Cluster in Gwangju, Jeollanam-do, den Bau von zwei fortschrittlichen Wafer-Fabriken mit einer Gesamtinvestition von 400 Billionen koreanischen Won voran.