من المتوقع أن تُستخدم تقنية Hybrid Bonding من Samsung في مسرّع الذكاء الاصطناعي من الجيل القادم لدى NVIDIA، وهو Feynman، حيث ستحتوي الشريحة على HBM مخصصة.

BlockBeats News، 21 يوليو، بدأت Samsung Electronics في بناء خط إنتاج ضخم لتقنية الربط الهجين Die-to-Wafer (D2W) في مصنع Pyeongtaek P5، بهدف التوجه مباشرة نحو التغليف المتقدم لجيل HBM القادم وأشباه الموصلات المنطقية. المورد الأساسي للمعدات هو شركة Besi الهولندية. تخطط Samsung لشراء حوالي 50 آلة ربط هجينة، ويبلغ سعر كل آلة حوالي 60 مليار وون كوري (حوالي 43 مليون دولار أمريكي)، وهو ضعف سعر المنتجات المنافسة. ومع ذلك، وبسبب طلب Samsung لإجراء تعديلات مخصصة على هيكل المعدات، كان سير التفاوض بطيئاً. وتقوم Besi أيضاً بتزويد المعدات لـ TSMC وMicron في الوقت نفسه، وبالتالي فهي حذرة بشأن تخصيص الأجهزة خصيصاً لـ Samsung.

تدرس Samsung أيضاً البدائل المحلية: حيث أكملت شركتها التابعة SEMES تطوير آلات الربط الهجين D2W وأرسلت عينات للتحقق في وقت سابق من هذا العام؛ وأكملت Hanwha Semitech تطوير الجيل الثاني من "SHB2 Nano" في فبراير، وفي أبريل، تم إرسال عينات إلى SK hynix. وقد شكل نظامهم العنقودي الذي يدمج EFEM وتفعيل البلازما ووحدات التنظيف ميزة تنافسية مميزة.

تستخدم هذه التقنية الربط الهجين للنحاس كبديل عن الربط الحراري التقليدي، مما يسمح بربط مباشر للنحاس مع مادة العازل، مما يقلّص بشكل كبير طول الترابط الداخلي. السيناريو الأساسي لتطبيق هذه التقنية هو HBM المخصص، حيث يتم تكديس طبقة HBM DRAM عمودياً فوق شريحة منطقية تحتوي على دوائر معالجة العميل وIP لتشكيل حزمة ثلاثية الأبعاد على مستوى النظام.

صرّح المحلل Citrini Jukan بأن تقنية الربط الهجين من المتوقع استخدامها في مسرّع الذكاء الاصطناعي القادم من NVIDIA "Feynman"، والذي سيعتمد HBM مخصص. وقد تم "تأجيل" الجدول الزمني لتنفيذ التقنية من HBM4E. وداخل Samsung، تشير التقديرات إلى أن التطبيق واسع النطاق قد يتحقق بين عامي 2029 و2030، متماشياً مع نافذة توقيت NVIDIA Feynman المتوقعة.