存儲產能洽談已排至2030年！華邦電子提前啟動擴產計劃

AI推動存儲需求持續擴張，華邦電子不得不提前佈局——客戶已在搶訂三年後的產能。

全球利基型存儲IDM龍頭企業華邦電子宣布提前啟動中國台灣高雄路竹廠擴產規劃，將原定分期推進的二、三期工程整併為Module B工廠同步開發。據台灣工商時報報導，該廠預計2027年動工興建無塵室，最快2029年初開始裝機。

機構人士指出，代理式AI（Agentic AI）正推動存儲容量與先進封裝需求持續增加，「相關成長趨勢預期將延續相當長時間」，這正是華邦電子決定提前啟動Module B計畫的直接原因。目前已有客戶提前洽談2029年、2030年的產能配額。

當季業績：量價齊升，毛利率創高

華邦電子第二季合併營收598.43億元新台幣，季增56.4%，年增184.7%。

漲價是核心驅動力：DRAM價格單季上漲約100%，Flash上漲約43%。毛利率隨之升至66.2%，每股稅後純益（EPS）達5.40元。

進入第三季，漲勢仍在延續。中國台灣工商時報援引機構人士預計，利基型DRAM與SLC NAND均呈供不應求，價格季漲幅約50%；NOR Flash受雲端服務供應商（CSP）大客戶積極備貨拉動，價格季漲幅約30%。

第四季漲幅預計收窄至2%至5%，但機構人士認為，受益於DRAM產能增加及出貨量成長，華邦電子營收與獲利仍可維持季增走勢。

Module B：產品線全面對準AI

華邦電子高雄廠Module B的產品規劃覆蓋Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）及矽電容（Si-Cap），並將支援14奈米及未來12奈米DRAM製程，後續亦規劃導入EUV設備。

這一佈局的邏輯清晰：AI推動存儲向更高密度、更先進封裝演進，華邦電子需要提前鎖定製程與產能，才能在客戶需求兌現時不落後於市場。

設備導入將依客戶需求預測（Forecast）及長期協議（LTA）分階段推進，而非一次性滿產，以控制資本支出節奏。

Si-Cap：第三條成長曲線

矽電容（Si-Cap）是此次佈局中特別值得關注的一塊。

機構人士將其視為華邦電子在邏輯（Logic）與存儲（Memory）之外的「第三股潛在成長動能」。華邦電子已投入約40億元新台幣建置專用Si-Cap產線。

目前量產產品的電容密度約為3,300 nF/mm²，最新樣品已達約5,400 nF/mm²，主要面向AI先進封裝及AI電源管理應用。報導預計，最快2027年第一季底步入量產。

Si-Cap的邏輯在於：AI晶片對電源穩定性要求極高，矽電容可在封裝層面提供更高密度的電源去耦，是先進封裝不可或缺的配套元件。華邦電子提前佈局，意在卡位這一新興需求。