摩根士丹利研報解讀：傳統儲存沒有長期合約未必是壞事，DDR4 與 SLC NAND 正處於漲價最強周期

作者：Rita

主流儲存晶片的長期協議（LTA）討論熱烈，但摩根士丹利認為傳統儲存沒有長協未必是不利。

摩根士丹利於 8 月 14 日發布的研報指出，DDR4、SLC NAND 及 NOR Flash 三大傳統儲存產品的基本面持續改善，供需缺口擴大，定價權增強，主流廠商退出 DDR4 供應的速度比預期更快。報告標題直接回應市場爭議：沒有固定價格的 LTA，反讓傳統儲存廠商在價格上升周期中擁有更大的定價彈性。

摩根士丹利全面上調旺宏、華邦電、兆易創新和力積電的盈利預測，同時將 AP Memory 列為首選標的，認為市場低估了傳統儲存周期的可持續性。

DDR4 漲價延續至 4Q26，LTA 缺失反成優勢

市場普遍將 DDR4 的強勢與伺服器需求聯繫，但摩根士丹利看到更廣泛的需求來源，消費性電子應用亦在帶動 DDR4 需求。全球主流儲存廠商正加速退出 DDR4 供應，供給端持續收緊。預期 DDR4 於 3Q26 漲價 50%，4Q26 再升逾 10%。在缺乏 LTA 的情況下，現貨定價機制能讓傳統儲存廠商完全捕捉漲價紅利，不受長協價格下限的約束。

SLC NAND 為最具確信度的漲價品種

SLC NAND 是摩根士丹利於本輪周期中「最具確信度」的定價判斷。預期 3Q26 與 4Q26 價格漲幅均超過 50%，驅動因素包括持續的產能受限及供應商缺乏將晶圓啟動分配給傳統產品的意願。產業討論顯示供給緊張將延續至 2027 年，本輪周期時間可能超出投資者原有預期。

MLC 需求向 SLC 遷移亦進一步支撐價格上行空間。摩根士丹利認為 SLC NAND 於 1H27 仍有漲價可能，這是目前市場預期誤差最大的領域（市場普遍低估其漲價持續性）。

NOR Flash 漲價動能延續至 1H27

NOR Flash 基本面同樣持續改善。經近期一輪漲價後，預期 4Q26 仍會有新一輪上調，動能可能延續至 1H27。供給增長持續受限，需求端由工業、車用、網路及邊緣AI應用帶動，AI 伺服器需求亦保持強勁。供需模型顯示，NOR Flash 在高密度區間供不應求，供給增速低於需求增速。

摩根士丹利上調四大傳統儲存盈利預測

摩根士丹利於傳統儲存標的的偏好排序為：AP Memory > 兆易創新 > 旺宏 > 華邦電 > 力積電 > 南亞科。AP Memory 因 SiCap 業務成為首選標的。

盈利上修幅度最顯著的是旺宏及兆易創新。旺宏 2026 至 2028 年每股盈餘分別上調 139%、144% 和 147%，目標價維持新台幣 220 元不變，熊市情境由 130 元調降至 100 元。兆易創新 2026 至 2028 年每股盈餘分別上調 108%、49% 和 48%，目標價由人民幣 888 元調降至 750 元，反映長鑫儲存 IPO 後板塊估值下移。華邦電 2026 至 2028 年每股盈餘上調 17%、30% 和 34%，目標價維持新台幣 288 元。力積電 2026 至 2028 年每股盈餘上調 18%、17% 和 13%，目標價維持新台幣 111 元。

傳統儲存的漲價邏輯不同於受 LTA 鎖價的主流儲存。沒有 LTA 代表沒有價格下限的保障，也無價格上限的限制。當供給缺口擴大和定價權掌握在供應商時，這便成為最大利潤彈性來源。摩根士丹利核心判斷：DDR4 的強勢至少貫穿 2H26，SLC NAND 和 NOR Flash 的漲價動能或延續至 1H27。