三星電子計劃於2030年前在韓國新建4座半導體晶圓廠

Odaily 報導，韓國半導體企業三星電子正在細化韓國大規模半導體生產基地的投資計劃，預計於 2030 年前新建 4 座晶圓廠，並已與主要合作夥伴共享相關方案。

三星電子計劃建設平澤 P5、P6，以及龍仁市南寺邑半導體園區 1 座晶圓廠、光州 1 座新晶圓廠。SK 海力士預計將於龍仁市遠三面半導體園區建設 Y1、Y2，並在光州新建 1 座晶圓廠，兩家公司於今年至 2030 年新建晶圓廠總數將達 7 座。

三星電子及 SK 海力士於上月 29 日公布總額 320 兆韓元的半導體設備投資路線圖，未包含 AI 數據中心投資費用。三星電子將龍仁晶圓廠完成目標由 2047 年提前至 2040 年，SK 海力士則由 2045 年提前至 2033 年。

半導體設備產業人士表示，三星電子近期以 2030 年前於光州建設晶圓廠為前提，詢問合作夥伴是否有意在當地追加投資；但考慮到目前產能及光州基礎設施，暫時尚難確認可行性。