三星與SK海力士延後採用混合鍵合封裝技術，因產業的迫切需求已大幅降低

格隆匯7月9日｜據市場消息，Samsung Electronics、SK Hynix原計劃在HBM4採用混合鍵合技術，但目前正在重新考慮。混合鍵合屬於半導體先進封裝技術，業內預計最早將用於16層HBM4E。據悉兩家公司決定繼續採用傳統熱壓鍵合技術，因行業放寬HBM厚度標準及客戶高堆疊需求延遲調整計劃。