据报道，三星电子正配合英伟达要求开发8层第七代高带宽存储器（HBM4E），较原计划的12层、16层方案显著降低堆叠高度，英伟达提出的速度规格为17-18Gbps，较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%，该产品据悉将用于NVHBM。 (首尔经济日报)。

智通财经2026/08/31 05:23

免责声明：文章中的所有内容仅代表作者的观点，与本平台无关。用户不应以本文作为投资决策的参考。