SK海力士(SKHY.US)赴日本寻找下一座产能堡垒 华尔街继续押注“AI存储荒”

智通财经APP获悉，全球最大规模存储芯片制造商之一的SK海力士(SKHY.US)正在评估在日本建设合资存储晶圆制造厂（Memory Fab）的可行性，并把充足、低成本的电力和水资源列为关键选址条件。潜在日本项目将与韩国54万亿韩元扩产计划、美国印第安纳州先进封装基地形成互补，同时利用日本在高端半导体设备、半导体原材料、大型客户、政府补贴及NAND闪存领军者铠侠产业链关系方面的优势。此举更像是SK海力士面对存储芯片严重短缺而进行的全球产能升级，以及综合成本与地缘风险后的产能配置，而不是AI算力基本面出现供给过剩或者需求转弱信号。

存储芯片景气度仍由AI算力基础设施投资主导，而AI算力产业链层面仍在不断释放AI算力需求层面的积极信号。韩国7月出口同比增长62.8%至988.9亿美元，其中对于韩国经济至关重要的半导体出口激增178.8%至410.1亿美元;调查显示经济学家们预计8月韩国出口将在高基数基础上大幅增长62.6%，但官方数据要到9月1日才会公布。

实际AI半导体产能与订单端似乎更为紧张，SK集团CEO崔泰源称，客户们要求2027年AI半导体供应量较2026年增加60%—100%，而新增产能非常有限，可能最高50%增幅;SK海力士首席执行官郭鲁正预计，2027年或遭遇存储行业史上最严重的存储芯片短缺，客户们普遍需求甚至到2030年以后仍可能高于公司供给能力。

SK海力士考虑在日本合资建设存储芯片晶圆厂，为AI热潮扩充供应

SK海力士公司正在研究在日本成立合资企业生产存储芯片的可行性;这是该公司为满足持续激增的AI半导体需求、同时控制生产成本而考虑的多种方案之一。

SK集团董事长崔泰源在仙台举行的韩日两国商工会议所成员会议间隙接受采访时表示，这家韩国动态随机存取存储器(DRAM)和闪存(NAND)供应巨头正在为一座共同运营的日本大型存储芯片制造工厂考察多个候选地点。

人工智能热潮使总部位于韩国利川的SK海力士成为崔泰源旗下SK集团最耀眼的明星资产，其产品正帮助英伟达和那些最大规模数据中心开发商们提供最核心AI算力资源。SK海力士上周为美国印第安纳州的一座大型芯片先进封装设施举行了动工仪式，公司还在探索进一步拓展海外业务。

“我们正在日本各地快马加鞭考察，”崔泰源告诉记者们。“任何电力和水资源条件良好的地方都可以。”在被问及潜在合作伙伴或日本境内的具体选址时，他拒绝进一步说明。SK集团的业务横跨能源、电信和芯片等众多领域，并负责集团重大投资的整体资本配置。

为满足AI对数据存储的巨大需求，同时应对美国试图遏制中国科技雄心壮志的举措，SK海力士正在全球物色可能的芯片生产与封装基地。公司计划斥资54万亿韩元(大约390亿美元)扩建韩国本土的芯片制造设施，同时还在印第安纳州西拉法叶建设一座大型的先进存储芯片封装设施。

在日本物色厂址，是SK海力士深化与日本客户及供应商们合作这一更广泛产能扩张努力的一部分。公司已间接持有总部位于东京的闪存制造全球领军者铠侠公司相当规模的股份;其首席执行官郭鲁正上周表示，公司正在“审慎研究如何与客户和供应商共同发展NAND闪存芯片市场”。

与高带宽存储器一样，NAND需求也大幅增长;Facebook母公司Meta Platforms公司和亚马逊公司等等全球云计算巨头们以及近年来大举投入资金布局AI数据中心建设的企业竞相确保未来数年规模越来越大的数据NAND存储资源，并追求比传统HDD企业硬盘更强劲的性能。

SK海力士的竞争对手之一——总部位于美国的美光科技公司在日本西部的广岛设有大型制造工厂。日本汇聚了SK海力士众多供应商——从非上市的Namics公司到半导体设备超级巨头东京电子，以及包括索尼集团和任天堂在内的最大规模客户们。日本政府也已表现出为台积电等国际芯片制造商在日本扩大产能的项目提供巨额补贴的意愿。

“现在正是韩国和日本结成经济圈的时候，”兼任韩国商工会议所会长的崔泰源在韩日两国商工会议所会长年度会议召开前，于一场聚焦两国劳动力萎缩问题的活动上表示。

AI鲸吞存储芯片，HBM吃掉更多晶圆!SK海力士牛市轨迹未停歇

截至周一亚盘初期，SK海力士韩国股市交易价格下跌1.45%，徘徊在每股163万韩元附近。周一美股夜盘时段，SK海力士美股ADR(SKHY.US)则徘徊在157.8美元附近。

华尔街总体仍看多AI存储超级周期，但对股价弹性的排序更接近“SK海力士的HBM领导力—美光的美股纯存储属性—三星的追赶与修复弹性”。高盛予以SK海力士高达350万韩元目标价，花旗予以310万韩元，摩根士丹利则予以260万韩元目标价。

三大存储巨头的投资逻辑并不完全相同：SK海力士是HBM领导地位最突出、对AI存储价格最敏感的纯正标的，并叠加40万亿韩元回购注销计划;美光是美元存储芯片市场流动性最高的存储芯片纯标的;三星则是规模优势与HBM追赶带来的高经营杠杆标的。

人工智能大型训练集、模型权重、检查点、向量数据库、RAG语料库、多模态数据、日志和推理结果都需要长期驻留在高容量存储中;训练时，大规模数据需要持续从对象存储和本地NVMe SSD送入GPU集群;推理时代则进一步产生海量KV Cache、长上下文、智能体状态和检索数据。

HBM承担最高带宽的“热数据层”，企业级高性能DRAM承担系统工作内存，而企业级NAND SSD承担容量远大于HBM、成本更低的“温数据和持久化层”。因此，NAND不是替代HBM，而是在AI服务器的存储层级中与HBM、DRAM共同扩容。

AI时代不仅迫切需要计算模型，更需要持续搬运、保存和低延迟调用海量状态数据。HBM与DRAM负责GPU附近的最高带宽工作集，但模型权重、训练数据集、检查点、向量数据库、RAG知识库、推理日志、智能体长期记忆以及部分KV缓存分层，不可能全部常驻昂贵且容量有限的HBM;企业级NVMe SSD因此承担HBM/DRAM与HDD、对象存储之间的高性能持久层。

知名市场研究机构TrendForce一份研究报告显示，该机构预计2026年服务器DRAM合同价累计上涨约270%，企业级固态硬盘价格累计上涨约235%;2027年HBM合同价仍可能上涨70%—140%。2026年第三季度数据中心服务器级别的DRAM合同价预计将在第二季度经历大幅上周的高基数基础上环比上涨13%—18%，而2027年RDIMM位元供给仅增长15%—20%，明显落后于服务器DRAM出货总需求。

最新存储产业链以及整个AI算力产业链需求动态数据共同显示，AI算力需求带来的存储芯片需求扩张之势正在从HBM/DRAM向NAND快速外溢，而天量级别的AI推理工作负载正在成为NAND这一轮需求结构变化的核心发动机。

持续炸裂式扩张的AI算力需求所驱动的史无前例存储需求激增、制造与封装工艺极度复杂的HBM存储愈发挤占产能、通用DRAM/NAND供给弹性长期不足共同催化出当前AI算力相关存储芯片领域的“超级供给紧缺周期”。