380亿美元！SK海力士新建两座存储芯片工厂，产能将按客户需求逐步扩大

SK海力士宣布投资约54.3万亿韩元（约382.82亿美元），在韩国龙仁和清州新建两座晶圆厂，扩大DRAM和NAND生产基地，以满足AI带动的HBM及先进存储需求增长。龙仁Y2投资35.2万亿韩元，将于2029年6月启用首个洁净室，主要生产HBM及下一代DRAM；清州M17投资19.1万亿韩元，计划2028年12月开放首个洁净室。两座工厂均将在2031年前完成投资。公司采取“基础设施先行、设备按需投入“策略，根据客户需求逐步增加产能，以巩固其在HBM及下一代DRAM市场的领先优势。

文章作者、来源：华尔街见闻

AI浪潮下，存储芯片龙头正进一步加码产能布局。SK海力士宣布，将投资约54.3万亿韩元（约382.82亿美元），在韩国龙仁和清州新建两座晶圆厂，扩大DRAM和NAND生产基地，并根据客户需求逐步增加产能，以满足人工智能带动的HBM及先进存储需求增长。

8月7日，据韩联社报道，公司董事会已批准向龙仁第二座晶圆厂（Y2）投资35.2万亿韩元、向清州M17工厂投资19.1万亿韩元。SK海力士表示，在AI时代，能够在客户需要时及时提供所需产能，本身就是核心竞争力。

按照规划，两座工厂均将在2031年前完成投资，首个洁净室预计最早于2028年底至2029年陆续投产。这意味着SK海力士正提前锁定未来数年的先进存储产能，以巩固其在HBM及下一代DRAM市场的领先优势。

龙仁Y2聚焦HBM与下一代DRAM

龙仁Y2是SK海力士龙仁半导体集群规划中的第二座晶圆厂，建筑面积约34.1万坪，预计明年7月开工，2029年6月启用首个洁净室，主要生产HBM及其他下一代DRAM产品。

本次投资除生产设施外，还涵盖研发综合中心、员工配套设施及其他辅助建筑建设。与此同时，正在建设中的龙仁一期晶圆厂（Y1）进展顺利，首个洁净室预计将于明年2月投入使用。

值得关注的是，SK海力士已将龙仁半导体集群四座晶圆厂的整体建设计划由原定2045年提前至2033年，目前支撑Y2运营的一期电力、供水等基础设施完工率已达99%。

清州M17进一步完善NAND产能

另一项投资将投向清州M17工厂，总投资19.1万亿韩元，计划明年2月开工，2028年12月开放首个洁净室。

清州一直是SK海力士NAND闪存生产基地，目前已布局M11、M12、M15等多座工厂。公司表示，新厂将充分利用当地现有土地、供电、供水等成熟配套及制造体系，加快建设进度，并通过生产协同进一步提升运营效率。

AI需求驱动扩产，但产能投放仍保持节奏

尽管此次投资规模创下新高，SK海力士并未选择一次性释放全部产能，而是继续采取“基础设施先行、设备按需投入”的策略。

公司计划先按时间表完成厂房及配套设施建设，洁净室扩建和生产设备投资则将根据客户需求和市场变化逐步推进，在确保供应能力的同时控制资本开支效率。

此次决策也是SK海力士今年6月公布中长期投资战略的进一步落地。根据规划，公司未来将向龙仁半导体集群累计投资约600万亿韩元，并向清州生产基地追加约100万亿韩元，以支撑AI时代持续增长的全球存储芯片需求。

SK海力士宣布投资约54.3万亿韩元（约382.82亿美元），在韩国龙仁和清州新建两座晶圆厂，扩大DRAM和NAND生产基地，以满足AI带动的HBM及先进存储需求增长。龙仁Y2投资35.2万亿韩元，将于2029年6月启用首个洁净室，主要生产HBM及下一代DRAM；清州M17投资19.1万亿韩元，计划2028年12月开放首个洁净室。两座工厂均将在2031年前完成投资。公司采取“基础设施先行、设备按需投入“策略，根据客户需求逐步增加产能，以巩固其在HBM及下一代DRAM市场的领先优势。

文章来源：韩联社