Samsung Electronics có kế hoạch xây dựng nhà máy DRAM mới tại Giheung, với công suất sản xuất dự kiến đạt 100.000 tấm wafer mỗi tháng.

Theo Odaily, nhà phân tích Citrini jukan đã đăng bài trên nền tảng X cho biết Samsung Electronics có kế hoạch xây dựng một nhà máy DRAM mới tại khuôn viên Giheung, chuyển đổi địa điểm ban đầu dự kiến dành cho trung tâm nghiên cứu thành cơ sở sản xuất bộ nhớ. Cơ sở này dự kiến có công suất hàng tháng khoảng 100 nghìn tấm bán dẫn, với tổng mức đầu tư dự kiến đạt hàng chục nghìn tỷ won Hàn Quốc. Samsung Electronics đã thành lập một nhóm nội bộ để thúc đẩy việc xây dựng nhà máy bán dẫn mới này, với khả năng triển khai giai đoạn xây dựng ban đầu sớm nhất vào quý ba. Counterpoint Research dự báo, được thúc đẩy bởi sự gia tăng giá sản phẩm, doanh thu thị trường DRAM toàn cầu sẽ tăng từ 150 tỷ USD năm nay lên tối đa 210 tỷ USD. Samsung Electronics cũng đã lắp đặt một dây chuyền sản xuất mới tại nhà máy P4 ở Pyeongtaek với công suất hàng tháng 100 nghìn tấm bán dẫn, có khả năng sản xuất DRAM sử dụng cho HBM thế hệ thứ sáu, tức HBM4, đồng thời có kế hoạch xây dựng nhà máy bán dẫn tại cụm bán dẫn thế hệ tiếp theo Yongin, tỉnh Gyeonggi với mục tiêu bắt đầu sản xuất thử vào đầu năm 2029. Ngoài ra, công ty cũng đang thúc đẩy việc xây dựng hai nhà máy bán dẫn tiên tiến tại cụm bán dẫn Gwangju, Jeollanam-do với tổng mức đầu tư là 400 nghìn tỷ won Hàn Quốc.