Tỷ lệ thành phẩm của HBM4E của Samsung đã vượt quá 70%, dây chuyền công nghệ DRAM thế hệ tiếp theo D1d đặt mục tiêu được phê duyệt chuẩn bị sản xuất vào tháng 11

BlockBeats đưa tin, ngày 1 tháng 7, Samsung Electronics sau khi tiên phong sản xuất hàng loạt HBM4 (thế hệ thứ 6) trên toàn cầu, đang đạt tiến triển trong phát triển HBM4E (thế hệ thứ 7) và DRAM thế hệ tiếp theo. Song Jae-hyuk, CTO bộ phận DS kiêm Viện trưởng Viện Nghiên cứu Bán dẫn của Samsung Electronics, cho biết tại cuộc họp giải trình tình hình kinh doanh nội bộ ngày 30 tháng 6 rằng tỷ lệ thành công của thử nghiệm độ tin cậy HBM4E đã tăng lên trên 70%. Trong ngành thường cho rằng tỷ lệ thành công trên 80% là đạt tới giai đoạn "tỷ lệ thành công trưởng thành" có quy trình ổn định; xét đến việc HBM4E vẫn đang trong giai đoạn thử nghiệm độ tin cậy, vượt mức 70% được xem là dấu hiệu quá trình phát triển đang bước vào giai đoạn ổn định.

Vào tháng 2 năm nay, Samsung Electronics đã dẫn đầu sản xuất hàng loạt và xuất xưởng HBM4, đồng thời vào ngày 29 tháng 5 đã công bố chi tiết các thông số kỹ thuật của sản phẩm HBM4E 12 lớp và gửi mẫu thử tới các khách hàng chính. HBM4 sẽ được sử dụng cho AI accelerator Vera Rubin của Nvidia ra mắt vào nửa cuối năm nay, trong khi HBM4E dự kiến sẽ được dùng trong sản phẩm AI accelerator thế hệ tiếp theo Vera Rubin Ultra của Nvidia ra mắt vào năm sau.

Quá trình phát triển DRAM thế hệ tiếp theo của Samsung cũng diễn ra thuận lợi. Song Jae-hyuk cho rằng, công nghệ quy trình D1d có tính cạnh tranh vượt trội so với các đối thủ và đang được thúc đẩy phát triển nhằm đạt mục tiêu phê duyệt sẵn sàng sản xuất vào tháng 11. D1d là quy trình DRAM cốt lõi mà Samsung dự định áp dụng từ HBM5 (thế hệ thứ 8) trở đi; nếu tiến độ đúng kế hoạch, sẽ tạo tác động tích cực đến năng lực cạnh tranh của DRAM thế hệ tiếp theo cũng như các sản phẩm HBM5 về sau. (Fnnews)