Samsung và SK Hynix khởi động làn sóng mở rộng sản xuất, sẽ ảnh hưởng như thế nào đến cấu trúc lưu trữ toàn cầu?

Gelonghui ngày 30/6｜Theo Jinse Finance, các nhà phân tích cho rằng kế hoạch mở rộng sản xuất của hai nhà sản xuất bộ nhớ lớn của Hàn Quốc chủ yếu nhắm vào các sản phẩm DRAM máy chủ (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động) và HBM (Bộ nhớ băng thông cao). Việc liệu điều này có ảnh hưởng đến cục diện cạnh tranh của ngành bộ nhớ hay không còn phụ thuộc vào các kế hoạch mở rộng công suất tiếp theo mà những nhà sản xuất khác sẽ công bố. Chuyên gia phân tích Xu Jiayuan từ TrendForce cho biết, thời điểm sản xuất hàng loạt tại các nhà máy mới chủ yếu rơi vào nửa cuối năm 2027 tới năm 2028, trước đó thị trường DRAM vẫn tiếp tục ở trạng thái cung không đủ cầu và khó có thể đảo ngược. Đối với việc liệu kế hoạch mở rộng mới nhất của các công ty Hàn Quốc có ảnh hưởng tới cục diện cạnh tranh ngành bộ nhớ không, ông nhận định nhu cầu được dẫn dắt bởi AI tăng trưởng mạnh mẽ, dự kiến các nhà cung cấp sẽ lần lượt công bố kế hoạch mở rộng công suất sản xuất, cuối cùng thị phần thị trường của từng nhà cung cấp sẽ phụ thuộc vào tiến độ thực hiện kế hoạch mở rộng và thành phần khách hàng. “Chiến lược mở rộng công suất của Samsung Electronics và SK Hynix trong giai đoạn từ 2026 đến 2030 lấy mục tiêu cốt lõi là giành các đơn hàng dài hạn từ các nhà cung cấp đám mây lớn, qua đó mở rộng thị phần DRAM máy chủ và HBM có biên lợi nhuận cao.”