Samsung keyingi avlod saqlash yo'l xaritasini e'lon qildi: HBM5 unumdorligi HBM4E ga nisbatan 2 baravar yuqori, zHBM tezlashtirish unumdorligi 8 baravar oshadi

Samsung Electronics SEMICON Taiwan 2026’da yangi avlod yuqori o‘tish diapazonli xotira (HBM) va keyingi avlod xotira arxitekturasi bo‘yicha batafsil texnologik yo‘l xaritasini ochiqladi. Bu xaritaga HBM5, zHBM va zNAND-O kabi bir qator ilg‘or texnologiyalar kiradi va ushbu Koreya xotira gigantining AI infratuzilmasi xotira bozorida uzoq muddatli rejalari borligini ko‘rsatadi.

Samsung xotira mahsulotlar rejalashtirish bo‘yicha korporativ vitse-prezidenti Jangseok Choi 1-sentabr sanasida bo‘lib o‘tgan tadbirda shunday dedi: HBM5 asosiy maqsadi HBM4E dan ikki baravar yuqori unumdorlikka erishish, har vattga to‘g‘ri keladigan unumdorlikni 20% ga oshirish va issiqlik qarshiligini 20% ga kamaytirishdir. Avvalroq, Samsung 2026-yil avgust oyida o‘tgan Hot Chips tadbirida ushbu borada ayrim yutuqlarini ochiqlagan edi.

Shuningdek, Samsung zHBM nomli yangi arxitekturali mahsulotni ishlab chiqilayotganini ham e’lon qildi, maqsadi — HBM4E dan 8 barobar yuqori unumdorlik, har bir vattga 3 baravar ko‘p samaradorlik, issiqlik qarshiligi esa 75% dan 90% gacha kamaytirishdir.

Ushbu texnologik yangilanishlar bevosita AI tezlatkichlarining hisoblash quvvati tez o‘sayotganiga javob bo‘lib, yuqori o‘tkazuvchanlik hamda sovitish bo‘yicha ikki tomonlama ehtiyojlarga xizmat qiladi. Bu AI chip yetkazib berish zanjiri va mos infratuzilmalarga investitsiya qilishda muhim yo‘riq bo‘lib xizmat qiladi.

HBM5: Texnologik jarayon 2 nanometrga ko‘tariladi, ommaviy ishlab chiqarish 2028-yilda boshlanishi kutilmoqda

Ma’lum qilinishicha, HBM5 unumdorlik bo‘yicha HBM4E dan ikki baravar yuqori natijaga intiladi va energiya samaradorligi hamda issiqlik boshqaruvi nuqtai nazaridan sezilarli yutuqlarga erishadi. Samsung HBM5 asos chipini (base die) HBM4 va HBM4E ning 4 nanometrlik texnologiyasidan o‘zining 2 nanometrlik tayanch tuguniga ko‘tardi — bu HBM texnologik jarayonida muhim qadamdir.

Yig‘ma yotqizilgan qatlamlar soni bo‘yicha Samsung HBM5 uchun uch xil DRAM yig‘ma variantini — 12 qatlam, 16 qatlam va 20 qatlam — tayyorlamoqda va bu turli ilovalar uchun zarur bo‘lgan sig‘im hamda samaradorlik ehtiyojini qondiradi. Ommaviy ishlab chiqarish HBM4E dan so‘ng, taxminan 2028-yilda boshlanishi kutilyapti.

Issiqlik qarshiligi 20% ga kamayishi ayniqsa muhimdir – AI tezlatkichlarining quvvati o‘sishda davom etar ekan, HBM’ning issiqlik chiqarish imkoniyati tizim uchun to‘siqqa aylanmoqda, bu yaxshilanish yuqori samarali hisoblash tizimlarining barqaror ishlashiga xizmat qiladi.

zHBM: Inqilobiy arxitektura, xotira to‘g‘ridan-to‘g‘ri protsessor ustiga joylashadi

Samsung zHBM ni an’anaviy HBM dan farq qiluvchi butunlay yangi arxitektura sifatida taqdim etmoqda. Oddiy HBM xotirani AI tezlatkichlari (xPU) yoniga joylashtirsa, zHBM esa xotirani bevosita protsessor ustiga yig‘adi, bu orqali ma’lumot uzatish yo‘lini keskin qisqartirib, undan-da yuqori o‘tkazuvchanlik va quvvat samaradorligiga erishiladi.

Samsungning maqsadi — zHBM HBM4E dan 8 baravar yuqori unumdorlik, har vattga 3 baravar koʻp samaradorlik va issiqlik qarshiligi 75%–90% ga qisqartirilishi. Agar shu samaraga erishilsa, o‘tkazuvchanlik zichligi va energiya samaradorligi bo‘yicha mavjud HBM arxitekturasi tubdan yangilanadi.

zHBM ni joriy etish 2029-yildan keyin boshlanishi kutilmoqda — bu Samsungning uzoq muddatli texnologik zaxirasidir.

zNAND-O: NAND zichligini saqlagan holda DRAMga yaqin tezlik

NAND xotira sohasida ham Samsung istiqbolli texnologik yo‘nalishlarni taklif qilmoqda. zNAND-O 2028-yilda namunalarini jo‘natishni boshlashi rejalashtirilgan bо‘lib, u sig‘im bo‘yicha DRAMdan 10 baravar yuqori, o‘qish o‘tkazuvchanligi va energiya samaradorligi bo‘yicha esa NANDdan 7 baravar yuqori ko‘rsatkichlarni nishonga olgan.

Ushbu texnologiyaning yaratilish maqsadi — generativ AI va yirik til modellari (LLM) uchun “DRAM tezligidagi, NAND sig‘imidagi” talablarni qondirishdir. Modellar soni doim o‘sib borar ekan, hozirgi xotira arxitekturasi tezlik va sig‘im orasida muvozanat yo‘qligi sababli, bu sohada AI inferensiya va o‘qitish samaradorligini to‘xtatuvchi to‘siqlardan biriga aylanmoqda.

CUBE strategiyasi: Sig‘im, foydalanish, o‘tkazuvchanlik va samaradorlik to‘rtta yo‘nalishda birgalikda rivojlanadi

SEMICON Taiwan 2026 doirasida o‘tkazilgan Memory Executive Summit tadbirida Samsung o‘zining “CUBE” strategik kontekstini ham batafsil tushuntirdi.

Jangseok Choi ta’kidlashicha, ushbu strategiyaga to‘rtta asosiy ustuvor yo‘nalish kiradi: Sig‘im (Capacity), Foydalanish (Utilization), O‘tkazuvchanlik (Bandwidth) va Samaradorlik (Efficiency).

Sig‘im nuqtai nazaridan, Samsung saqlash sig‘imini vertikal yo’nalishda kengaytirishni, bosma plata (PCB) maydonini oshirmasdan xotira zichligini ko‘paytirishni rejalashtirmoqda;

Foydalanish bo‘yicha, kompaniya 3D xotiraning ahamiyatini oddiy qavat yig‘ishdan yuqoriga qo‘yib, mantiqiy va xotira arxitektura tuzilmasini optimallashtirish va kechikishni kamaytirishga qaratiladi;

O‘tkazuvchanlik yuzasidan, Samsung vertikal yuqori tezlik yo‘lagidan foydalanib, gorizontal ma’lumot yo‘llarini qisqartirish va chiplar orasidagi masofani kamaytirish niyatida;

Samaradorlik jihatidan esa, energiya iste’moli va issiqlik boshqaruviga e’tibor qaratilib, har bit ma’lumot uzatishda energiya sarfini minimal darajaga tushirish, har vattga unumdorlikni maksimal oshirish maqsad qilinadi.

CUBE ramkasi ilgari surilishi Samsung’ning yangi avlod xotira mahsulotlarini ishlab chiqishda tizimli arxitektura asosida va bir necha ko‘rsatkich bo‘yicha hamohang rivojlanishni ko‘zlayotganini anglatadi — nafaqat yagona ko‘rsatkich bo‘yicha yutuqqa erishish.