Ілон Маск про виробництво чіпів: виробничі потужності Китаю часто перевищують загальну кількість в інших регіонах світу
Після того, як ChangXin Memory оголосила про ключовий прорив у серверній пам’яті DDR5, індекс Philadelphia Semiconductor на американському фондовому ринку за ніч впав на 2,7%, і акції Micron, SK Hynix ADR тощо також різко знизилися. Маск, коментуючи цю тенденцію, заявив, що коли Китай оволодіває методом виробництва певного продукту, його здатність до масштабування часто перевищує суму решти регіонів світу, і зазначив, що «Китай, здається, швидко долає» такі загальні стандартні характеристики, як LP5 і LP6.
Останнє висловлювання Маска щодо можливостей масштабування китайської промисловості додало ще більше занепокоєнь до вже існуючої конкурентної напруги у секторі мікросхем.
Минулої ночі новина про останній технологічний прорив китайського виробника пам'яті ChangXin Memory спровокувала падіння акцій на американському ринку мікросхем — Філадельфійський напівпровідниковий індекс у понеділок знизився на 2,7%, досягнувши найнижчого рівня за три тижні. Акції Micron, SanDisk, SK hynix ADR та інших компаній, пов'язаних з виробництвом пам'яті, очолили падіння, явно посилився страх щодо прискореного входу китайських компаній на ринок серверної пам'яті для AI з високою маржинальністю.
Щодо цієї динаміки, AI-аналітик Melvin заявив, що він абсолютно не розуміє цю хвилю розпродажу акцій пам'яті, вважаючи, що ринок реагує занадто гостро і така розпродаж є нелогічною.
Після цього Маск опублікував у соціальній мережі X, відповівши, що як тільки Китай опановує спосіб виробництва певного продукту, його здатність масштабування зазвичай перевищує сумарний рівень інших регіонів світу, навівши як приклад літієві батареї та сонячну енергію.Він також висловив чітке стурбування щодо темпів розвитку Китаю у сфері пам'яті, зазначивши, що Китай, здається, швидко долає такі стандартні специфікації, як LP5 та LP6.
Маск: Масштабування у Китаї — це системна перевага
У своєму дописі Маск визначив здатність Китаю до масштабування виробництва як системну перевагу, а не поодиноке явище. Він написав: "Коли Китай дізнається, як виробляти той чи інший продукт, його здатність масштабування часто перевищує сумарно всі інші регіони світу. Ми вже бачили це на прикладі літієвих батарей і сонячної енергетики."
Він взяв SpaceX як приклад і зазначив, що SpaceX — одне з небагатьох виключень — її корисне навантаження на орбіту приблизно на порядок більше, ніж у всіх інших ракет світу разом взятих. Але він додав, що навіть так Китай наразі займає більшу частину сегменту не-SpaceX корисного навантаження на орбіту, "SpaceX — це виняток у матриці".
У сфері пам'яті висновок Маска був ще прямішим. Він зазначив, що RAM ще три роки тому була низькоприбутковим масовим товаром, а LP5 і LP6 розроблені за стандартними моделями — "Китай, здається, швидко вирішує це питання". Він також вказав, що складнішими технічними викликами є наступне покоління архітектури HBM, шар SRAM під логічним рівнем, а також 3D-стекування RAM над логікою з одночасним вирішенням проблеми тепловідведення.

Технологічний прорив ChangXin Memory спровокував розпродаж на ринку
Заява Маска не була необґрунтованою. Вихідними президент ChangXin Memory, доктор Цао Каньюй, під час галузевого заходу оголосив, що компанія досягла ключового прогресу у наступному поколінні архітектури пам'яті 4F² і планує представити на основі цієї архітектури DDR5 серверну пам'ять до кінця 2026 року.
Основна перевага архітектури 4F² полягає у зменшенні площі осередків пам'яті. У класичній DRAM-архітектурі 6F², F позначає мінімальну ширину технологічного процесу, і теоретично 4F² дозволяє вмістити приблизно на третину більше бітів на одиницю площі, знижуючи собівартість і краще підходячи для великих об’ємів пам’яті у AI-серверах. Цао Каньюй зазначив, що цей дизайн використовує запатентований вертикальний планарний транзистор для зменшення втрат струму, що прямо спрямовано на високоприбутковий ринок DRAM для AI-серверів.
Ця новина різко підвищила побоювання щодо прискореної експансії китайських компаній у сегменті високоякісних мікросхем пам’яті, ставши прямим каталізатором понеділкової колективної просадки акцій виробників мікросхем. Технологічний сектор у понеділок став найгіршим на американському ринку, і першими постраждали виробники пам'яті. Micron впав нижче позначки 1000 доларів, закрившись приблизно на 4% вниз; SanDisk закрився майже на 6% в мінусі; SK hynix ADR і Super Micro Computer втратили понад 4%; Seagate Technology впала більш ніж на 3%; Quantum більш ніж на 9%; Corning також значно знизилась.
Логіка ринкової розпродажі очевидна: якщо китайські компанії зможуть зайти на домінований американськими й корейськими виробниками сегмент високоякісних мікросхем пам’яті з нижчою собівартістю та більшими масштабами, їх конкуренти зіткнуться з реальним тиском на прибутковість. Відкрита позиція Маска певною мірою зміцнила очікування інвесторів щодо зміни конкурентного розкладу на ринку.
Відмова від відповідальності: зміст цієї статті відображає виключно думку автора і не представляє платформу в будь-якій якості. Ця стаття не повинна бути орієнтиром під час прийняття інвестиційних рішень.
Вас також може зацікавити
Іран заявляє про значне відведення морських сил США, шість суден атаковані в Ормузькій протоці за один день, Хусити називають нафтові об'єкти Saudi Aramco "легітимною ціллю"
Заступник командувача Військово-морських сил Ірану в понеділок заявив, що американські військові кораблі, есмінці та авіаносці значно відступили. Міністерство закордонних справ Ірану того ж дня повідомило, що іранська сторона розглядає позицію США, але умови для повторного відкриття Ормузької протоки залишаються незмінними. За повідомленнями, відбулася ротація американських авіаносців, і наразі в регіоні залишився лише "Вашингтон"; станом на минулу неділю за два тижні в Ормузькій протоці та прилеглих водах було атаковано 24 судна — це найсерйозніша хвиля ударів від початку іранського конфлікту, значно перевищує попередній максимум за два тижні в 13 суден. Експорт нафти через протоку впав більш ніж на 80% у порівнянні з середньодобовим рівнем вересня.


