Samsung представила дорожную карту накопителей следующего поколения: производительность HBM5 в 2 раза выше, чем у HBM4E, zHBM ускоряет производительность в 8 раз

Компания Samsung Electronics на выставке SEMICON Taiwan 2026 представила подробную технологическую «дорожную карту» нового поколения высокопроизводительной памяти (HBM) и архитектур хранения следующего поколения, охватывающую такие передовые технологии, как HBM5, zHBM и zNAND-O, что говорит о долгосрочных планах этого южнокорейского гиганта на рынке хранилищ для AI-инфраструктуры.

Вице-президент по стратегическому планированию продуктов хранения Samsung, Jangseok Choi, на мероприятии 1 сентября заявил: цель HBM5 — достигнуть вдвое большей производительности по сравнению с HBM4E, повысить производительность на ватт на 20%, а также снизить тепловое сопротивление на 20%. Ранее Samsung уже раскрывала часть достижений в этом направлении на Hot Chips 2026 в августе.

Одновременно Samsung объявила о разработке совершенно новой архитектуры — zHBM, целевая производительность которой составляет 8-кратное превосходство над HBM4E, увеличение производительности на ватт втрое и снижение теплового сопротивления на 75–90%.

Эта серия технологических обновлений напрямую отвечает на возросшие требования к пропускной способности и охлаждению, вызванные экспоненциальным ростом вычислительных возможностей AI-ускорителей, и имеет важное значение для цепочки поставок AI-чипов и соответствующих инвестиций в инфраструктуру.

HBM5: Процесс сокращён до 2 нм, массовое производство ожидается в 2028 году

По сообщениям, HBM5 ориентирован на удвоение производительности относительно HBM4E с одновременными значительными улучшениями энергоэффективности и теплового управления. Samsung переводит процесс производства базового кристалла HBM5 с 4 нанометров (используемых в HBM4 и HBM4E) на собственный 2-нанометровый технологический узел, что является важным шагом в развитии HBM.

Что касается количества слоев, Samsung готовит для HBM5 три варианта стековки DRAM: 12, 16 и 20 слоёв, чтобы удовлетворить различные требования по объёму и производительности для разных сценариев применения. Ожидается, что массовое производство стартует после выпуска HBM4E, примерно в 2028 году.

Снижение теплового сопротивления на 20% — особенно значимый показатель: по мере роста энергопотребления AI-ускорителей способность к охлаждению HBM становится всё более существенным системным «узким местом», а улучшения в этом направлении способствуют стабильной работе вычислительных систем высокого класса.

zHBM: Революционная архитектура, память размещается непосредственно над процессором

Samsung позиционирует zHBM как радикально новую архитектуру, отличающуюся от традиционной HBM. Если традиционная HBM размещает память рядом с AI-ускорителем (xPU), то zHBM предполагает прямую укладку памяти поверх процессора, что резко снижает расстояние передачи данных и обеспечивает существенно большую пропускную способность и энергоэффективность.

Цель Samsung — чтобы производительность zHBM была в 8 раз выше, чем у HBM4E, производительность на ватт — в 3 раза выше, а тепловое сопротивление уменьшилось на 75–90%. Если такой технологический скачок будет реализован, это станет принципиальным прорывом для всей HBM-архитектуры с точки зрения плотности пропускной способности и энергоэффективности.

Ожидается, что zHBM появится после 2029 года и относится к стратегиям долгосрочных резервов Samsung.

zNAND-O: скорость уровня DRAM с плотностью NAND

В сегменте NAND-памяти Samsung также продвигает инновационные технологические решения. zNAND-O планируется начать предоставлять для тестирования в 2028 году, при этом целевая плотность хранения должна быть в 10 раз выше, чем у DRAM, а пропускная способность чтения и энергоэффективность — в 7 раз выше, чем у существующего NAND.

Изначальная идея этой технологии — удовлетворить двойной спрос генеративного AI и больших языковых моделей (LLM) на «скорость DRAM, объём NAND»: по мере роста объёма моделей вопросы баланса между скоростью и ёмкостью существующих архитектур хранения всё чаще становятся узким местом для эффективности AI-инференса и обучения.

Стратегия CUBE: четыре измерения — объём, использование, пропускная способность и эффективность

На проходящем одновременно с SEMICON Taiwan 2026 Memory Executive Summit Samsung также комплексно представила свою стратегическую платформу «CUBE».

Jangseok Choi подчеркнул, что эта стратегия включает четыре ключевых приоритета: емкость (Capacity), использование (Utilization), пропускная способность (Bandwidth) и эффективность (Efficiency).

В части объёма Samsung намерена наращивать плотность памяти за счёт вертикального роста, не увеличивая занимаемую печатной платой (PCB) площадь;

В аспекте использования компания рассматривает ценность 3D-памяти не только в увеличении числа слоёв, но и в оптимизации архитектуры взаимодействия логики и памяти для снижения задержек;

В плане пропускной способности Samsung собирается заменить горизонтальные линии передачи данных на вертикальные скоростные каналы, чтобы сократить расстояние передачи между чипами;

С точки зрения эффективности делается упор на энергопотребление и тепловое управление: минимизировать затраты энергии на бит данных и максимизировать производительность на ватт.

Платформа CUBE отражает системный подход Samsung к развитию продуктов хранения будущего, нацеленный не на отдельные характеристики, а на комплексную архитектурную оптимизацию.