Компания Samsung Electronics планирует построить новый завод по производству DRAM в Кихыне, с ожидаемой месячной производственной мощностью 100 тысяч полупроводниковых пластин.

По данным Odaily, аналитик Citrini jukan опубликовал на платформе X сообщение о том, что Samsung Electronics планирует построить новый завод по производству DRAM-пластин на территории кампуса Гихын, преобразовав участок, изначально предназначенный для исследовательского центра, в объект по выпуску памяти. Ожидается, что производственная мощность предприятия составит около 100 тысяч пластин в месяц, а общий объем инвестиций оценивается в несколько десятков триллионов южнокорейских вон. Samsung Electronics уже сформировала внутреннюю команду для реализации проекта строительства нового завода, и старт работ на начальном этапе может быть дан уже в третьем квартале. По данным Counterpoint Research, на фоне роста цен на продукцию мировой рынок DRAM может увеличить выручку с 150 миллиардов до максимум 210 миллиардов долларов в этом году. Кроме того, Samsung Electronics установила новую линию с ежемесячной производственной мощностью 100 тысяч пластин на заводе P4 в Пхёнтэк, где будут выпускаться DRAM для HBM четвертого поколения (HBM4). Компания также планирует построить завод по производству пластин в кластере передовых полупроводников Yongin в провинции Кёнгидо с началом выпуска в 2029 году. Помимо этого, ведется строительство двух новых заводов по производству современных полупроводниковых пластин в полупроводниковом кластере Кванджу, провинция Чолла-Намдо, общий объем инвестиций составляет 400 триллионов южнокорейских вон.