Czy "ucząca się stale" AI przedłuży niedobór pamięci do 2031 roku?

Strukturalny skok w zdolności zapamiętywania AI popycha globalny rynek pamięci do wieloletniego cyklu niedoboru podaży.

Według wiadomości z platformy Trading Chaser, Citi w swoim raporcie z 14 września wskazał, że wraz z przejściem AI z prostych faz treningu i wnioskowania w erę „ciągłego uczenia się”, popyt na HBM, DDR5 dla serwerów oraz dyski SSD klasy korporacyjnej (eSSD) eksploduje od 2027 roku. Citi przewiduje, że stosunek podaży do popytu DRAM (S/D ratio) pogorszy się odpowiednio do -8,7% i -9,7% w latach 2027 i 2028, a jednocześnie stosunek S/D NAND spadnie do -6,1% i -5,5%, a nierównowaga podaży będzie się utrzymywać aż do 2031 roku.

Przy gwałtownym wzroście popytu, podaż jest ograniczona przez wykorzystanie mocy produkcyjnych HBM i spowolnienie migracji technicznej, przez co tempo wzrostu produkcji mocno odstaje od popytu. Na tej podstawie Citi przewiduje, że w 2027 roku globalne nakłady inwestycyjne na pamięć wzrosną o 46,5% rok do roku do 80,4 miliarda dolarów, lecz z uwagi na długie cykle realizacji inwestycji nawet duże nakłady nie wypełnią luki podażowej.

Badania Citi wskazują, że „ciągłe uczenie się” (Continual Learning) stanie się kluczowym tematem w AI na najbliższe pięć lat. W przeciwieństwie do obecnych modeli, które po treningu mają zablokowane parametry, ciągłe uczenie pozwala na bieżąco przyswajać nowe informacje, jednocześnie zachowując wcześniej zdobyte umiejętności.

Głównym wyzwaniem tej metody jest równoważenie nauki nowych danych i zapobieganie „katastrofalnemu zapominaniu”. W tym celu systemy AI muszą stale aktualizować modele, jednocześnie zapewniając wydajny dostęp do danych historycznych — oba te aspekty znacząco podnoszą wymagania wobec pamięci.

Patrząc na ewolucję obciążeń AI, lata 2022–2025 to głównie cykl treningów AI, silny popyt na HBM, natomiast tradycyjny DRAM i NAND pozostają stosunkowo stabilne; od drugiej połowy 2025 roku rośnie złożoność inferencji, przez co popyt na DDR5 dla serwerów oraz eSSD gwałtownie rośnie, a rynek mniej koncentruje się na HBM.

Citi uważa, że od 2027 roku rozpocznie się pierwszy etap ciągłego uczenia, równoległy wzrost popytu na HBM, DRAM dla serwerów, SoCAMM2 i eSSD; do drugiej połowy 2028 roku, wraz z rozwojem personal AI i Physical AI, popyt rozszerzy się także na pamięć w urządzeniach brzegowych.

Warto zwrócić uwagę, że wzrost miesięcznego wykorzystania AI token układa się niemal idealnie w krzywą wykładniczą, miesięczna złożona stopa wzrostu osiągnęła 31%, a rok do roku w sierpniu 2026 nawet 2434%, co stanowi mocne wsparcie dla utrzymującego się wzrostu całkowitego popytu na pamięć.

Citi w jasny sposób wyjaśnia zjawisko „de-specyfikacji” HBM tak szeroko omawiane ostatnio w branży: jest to metoda optymalizacji zasobów przez producentów chipów AI w warunkach ograniczonej dostępności HBM, a nie sygnał słabego popytu końcowego.

Citi przewiduje, że popyt na HBM wystrzeli w 2027 roku o 62% do 75,157 miliardów Gb, a w 2028 roku jeszcze wzrośnie o 69% do 126,99 miliardów Gb, podwajając wcześniejsze wyliczenia. Popyt napędza nie tylko Nvidia, ale także Broadcom, Google i inni producenci ASIC — popyt Broadcom na HBM wzrośnie z 9,002 miliardów Gb w 2026 do 41,003 miliardów Gb w 2028, a Google z 4,702 miliardów Gb do 14,003 miliardów Gb w tym samym okresie.

Po stronie podaży Citi przewiduje, że moce produkcyjne HBM (licząc zdolności TSV) wzrosną z 420 000 sztuk/miesiąc w 2026 do 700 000 sztuk/miesiąc w 2027 r., ale nawet wtedy luka popyt-podaż pozostanie duża: dla HBM S/D ratio Citi przewiduje -21% w 2027 roku, podobnie jak -22% w 2026, a w 2028 pogorszenie do -36% przez przyspieszenie dostaw ASIC.

Citi podkreśla, że de-specyfikacja to pragmatyczna decyzja producentów chipów, by maksymalizować dostawy akceleratorów przy ograniczonej podaży HBM, nie zaś sygnał zmiany trendów popytowych.

Citi przewiduje, że globalny popyt na DRAM wzrośnie w 2027 roku o 30,2%, podczas gdy podaż tylko o 18,8%; S/D ratio spadnie z +0,5% w 2026 do -8,7% w 2027, a w 2028 pogorszy się do -9,7%.

Po stronie popytu, wzrost zapotrzebowania na DRAM dla serwerów w związku z ciągłym uczeniem jest szczególnie wyraźny. Citi przewiduje, że popyt na DRAM dla serwerów wzrośnie z 226,3 miliardów jednostek (ekwiwalent 1Gb) w 2026 do 341,7 miliardów w 2027 roku, wzrost o 51% rok do roku, a serwery będą nadal odpowiadać za około 67% całkowitego popytu na DRAM. Dla komputerów PC popyt będzie raczej stabilny, a dla telefonów komórkowych umiarkowanie rosnący.

Ograniczenia podaży są wyraźne: z jednej strony moce produkcyjne wafli DRAM są wypierane przez rosnący udział HBM, i w 2027 roku miesięczna średnia wydajność wzrośnie jedynie o ok. 8% do 2,295 miliona sztuk/miesiąc; z drugiej strony wolniejsza migracja technologiczna hamuje wzrost produkcji DRAM na jednostkę wafla; ponadto długi cykl inwestycyjny tzw. greenfield sprawia, że nawet przy przyspieszonej inwestycji podaż nie nadąża.

Citi przewiduje wzrost średnich cen DRAM o 23,1% w 2027, przy czym po wyjątkowym skoku o 242,4% w 2026 trend wzrostowy się utrzyma, ale tempo wzrostu się ustabilizuje.

Rynek NAND również doświadcza konkretnych napięć podażowych. Citi przewiduje, że popyt na NAND wzrośnie w 2027 roku o 29,1%, a podaż jedynie o 21,2%; S/D ratio spadnie z -0,8% w 2026 do -6,1% w 2027, a w 2028 utrzyma się na poziomie -5,5%.

eSSD to główny motor wzrostu popytu na NAND. Citi przewiduje 52,9% wzrost popytu na eSSD w 2027 roku (wzrost dla wszystkich SSD to 45,0%), a główne powody są trzy: po pierwsze, spadek ilości HBM na akcelerator zmusza do większego przeniesienia obciążeń cache KV do zewnętrznych pamięci; po drugie, rosnąca złożoność wnioskowania AI napędza adopcję pojemnych QLC eSSD w serwerach AI; po trzecie, tendencja do przenoszenia cache KV przez Nvidia oraz trend w chińskich centrach AI, by zamieniać HDD na SSD, tworzą dodatkowe pole do wzrostu.

Ograniczenia po stronie podaży są równie istotne. Citi przewiduje, że w 2027 roku średnia wydajność wafli NAND wzrośnie jedynie o 3,2% do 1,460 miliona sztuk/miesiąc, a moce NAND Samsunga nawet spadną o 4,7%, SK Hynix i Micron utrzymają poziom. Kluczowym powodem jest to, że producenci inwestują coraz więcej w greenfield dla DRAM/HBM, a na dodatkowe inwestycje w NAND patrzą ostrożnie.

Jeśli chodzi o ceny, Citi przewiduje, że średnie ceny NAND wzrosną w 2027 roku o 45,3%, kontynuując wzrost o 236,2% z 2026, choć tempo wzrostu nieco zwolni.

Citi przewiduje, że w 2027 roku globalne nakłady kapitałowe na pamięć (DRAM+NAND) wzrosną o 46,5% rok do roku do 80,4 miliarda dolarów, znacząco przyspieszając w stosunku do 54,9 miliarda dolarów w 2026.

Nakłady na DRAM mają wzrosnąć o 51,6% do 58,6 miliarda dolarów, liderami będą Samsung Electronics (20,6 miliarda), SK Hynix (17,5 miliarda) i Micron (15,8 miliarda). Citi zaznacza jednak, że znaczna część dodatkowych inwestycji w DRAM przeznaczona będzie na moce produkcyjne HBM i zaawansowane procesy, przez co wpływ na podaż DRAM uniwersalnego będzie ograniczony.

Nakłady na NAND mają wzrosnąć o 34,2% do 21,8 miliarda dolarów, z czego Samsung Electronics zamierza przeznaczyć 7,9 miliarda, Kioxia 3,7 miliarda, SK Hynix 3,1 miliarda, Sandisk 2,9 miliarda, a Micron 2,1 miliarda dolarów.

Citi podkreśla, że mimo dużych nakładów inwestycyjnych, ze względu na długi cykl realizacji inwestycji greenfield wyższy poziom wydatków nie jest wystarczający, by wypełnić lukę podażową w 2027 roku. Na tej podstawie Citi przedłuża prognozę globalnej nierównowagi podaży pamięci do 2031 roku, uznając skalowalny rozwój ciągłego uczenia oraz personal AI/Physical AI za kluczowe filary tej długoterminowej strukturalnej luki podażowej.