Gagamitin ng Samsung ang 3-nanometer na proseso ng TSMC para gumawa ng custom na HBM base die ng Nvidia

Ayon sa ulat ng Seoul Economic Daily nitong Linggo, gagamitin ng Samsung Electronics ang 3-nanometer na proseso ng TSMC upang gumawa ng substrate wafers para sa susunod na henerasyon ng custom HBM chips ng Nvidia. Ang hakbang na ito ay magmamarka ng unang pagkakataon na makikipagtulungan ang Samsung sa TSMC sa yugto ng paggawa ng HBM. Ayon sa balitang ito na kumukuha ng impormasyon mula sa mga tagaloob ng industriya, hiniling na umano ni Nvidia sa Samsung, SK Hynix, at Micron Technology na gamitin ang proseso ng TSMC upang gumawa ng NVHBM substrate wafers, at gumamit ng ika-anim na henerasyon ng DRAM technology para sa paggawa ng kanilang pangunahing chips. Ayon pa sa kumpanya, ang NVHBM na inilunsad nitong Agosto ay nagsasama ng custom memory controller ng Nvidia sa substrate, na layong maging isang standardized implementation na maaaring gamitin ng iba't ibang memory suppliers. Iniulat din ng Seoul Economic Daily na tinanggap ng Samsung ang kahilingan ni Nvidia matapos ang internal na pagsusuri, ngunit plano pa ring ipagpatuloy ng kumpanya ang sariling produksyon para sa karaniwang HBM at mga custom na produkto para sa iba pang kliyente. Ayon din sa mga tagaloob na kinapanayam ng ulat, kasalukuyan pang sinusuri ng Samsung kung kaya ng sarili nitong foundry na gumawa ng NVHBM substrate wafers sakaling lumagpas ang demand sa kapasidad ng TSMC.