サムスン電子がNvidia NVHBM技術の要求を受け入れたとの報道

情報によると、NVIDIAはSamsung Electronics、SK Hynix、Micron Technologyに対し、TSMCの3nmプロセスを使用した基底裸片（BaseDie）でNVHBM（NVIDIAのカスタムHBM技術、HBMは高帯域幅メモリ）を製造するよう要求しており、コア裸片（CoreDie）は第6世代DRAM（動的ランダムアクセスメモリ）技術を採用しています。Samsung ElectronicsはすでにNVIDIAの技術要件を受け入れる決定を下しました。この件の真偽について、10月19日にSamsung Electronicsは「顧客に関する事項についてはコメントしません」と回答しました。