バンク・オブ・アメリカ：SKハイニックスの2028年の新規生産能力は当初計画の6分の1にとどまる可能性、DRAM価格操作論争が再燃

アメリカ銀行の最新分析によると、SK hynixが2028年までに実際に新たに追加できるメモリチップの生産能力は、当初計画の6分の1にすぎない可能性があり、この判断は韓国政府の生産能力拡張ブループリントを大幅に覆すだけでなく、進行中のDRAM価格操作集団訴訟にも重要な裏付けを提供しています。

韓国メディアが引用したアメリカ銀行の最近のレポートによれば、旧工場の閉鎖、技術アップグレード及びプロセスの微細化などの要因の影響で、韓国が毎年実際に増加できる運用中のメモリウェーハ生産能力は10%未満とのことです。これは、2030年までの生産能力の増加が、韓国大統領イ・ジェミョン（李在明）が以前に掲げた「2030年までに生産能力を倍増させる」という目標を大きく下回ることを意味します。メモリチップ業界の関係者はさらに、SK hynixが2028年までに増やせる生産能力は、当初計画の6分の1程度に過ぎないと指摘しています。

この判断は、DRAM市場の供給見通しに直接的な衝撃を与えます。同時に、Samsung、SK hynix、およびMicronの3社は、今年6月25日に米カリフォルニア州連邦裁判所で集団訴訟を受けており、3社がDRAM価格の操作を共謀したと訴えられています。分析によれば、SK hynixの生産能力拡張が著しく遅れている現状は、3大メーカーが訴訟において主張できる余地をさらに狭めます。

韓国大統領イ・ジェミョンは以前、SamsungとSK hynixが同国南西部の光州（Gwangju）と全羅（Jeolla）にそれぞれ新設を進める大型ウェーハ工場を、"2030年生産能力倍増"達成の中核的支えとして積極的にアピールしてきました。しかし、アメリカ銀行の分析は、この楽観的な見通しと現実に大きなギャップがあることを示しています。

メモリチップ業界の関係者によれば、光州と全羅の工場用地で基礎工事を完了するだけでも約5年を要し、その後さらに3～4年かけてクリーンルーム構築やチップ製造装置の設置を進める必要があります。2工場の完全な製造エコシステムを構築するには、10年以上かかる見込みです。

技術アップグレードによる旧工場の閉鎖による生産能力の縮小を考慮すると、韓国の年間純増運用メモリウェーハ生産能力は10%未満となり、2030年までの累積増加率も政府が既定した目標を大きく下回ります。

今年6月25日、Samsung、SK hynix、Micronはカリフォルニア州連邦裁判所で集団訴訟を受けました。この訴訟は、最近のDRAM価格高騰期間に商用DRAM製品を購入した個人・企業を代表し、3社が世界DRAM市場での支配的地位を利用して、AI向け高帯域幅メモリ（HBM）への戦略転換を口実に、DDR3やDDR4などの従来型メモリの生産を協調して削減し、人為的に価格を押し上げたと指摘しています。

アメリカ銀行レポートが示した生産能力拡張の遅れの問題は、上記訴訟の核心ロジックと一致します。もしSK hynixが2028年までに増やせる新規生産能力が当初計画の6分の1であれば、「新規生産能力がまもなく大量に市場投入される」という市場ストーリーは成立しにくく、3社が「供給は客観的要因に制約されている」とする訴訟時の抗弁はより困難になります。

上述の分析は、メモリチップの供給が長期的にひっ迫するという見方をさらに強める内容です。SK hynixのCEOは以前、「2027年はメモリ産業史上最悪の年になる」と警告しており、供給不足は2030年代まで続く可能性を示唆しています。

投資家にとっては、メモリ生産能力の実質的拡大の時期が大幅に先送りされたことを意味し、DRAM価格は長期にわたり供給側の制約を受ける状況が続くでしょう。一方で、集団訴訟の進展が、Samsung、SK hynixおよびMicronの企業価値や市場期待に重要な変数となる見込みです。