SK Hynixが龍仁半導体クラスターの開発を加速、Fab Y1の設備調達を開始

BlockBeats News、7月14日、韓国メディアZDNETによると、SK HynixはYongin Semiconductor ClusterのY1ファブ第一フェーズクリーンルーム向けの設備調達を開始し、初期計画として月間2万枚の1c DRAMウエハー生産能力を追加する予定です。

Y1ファブは当初2027年5月に第一フェーズクリーンルームの稼働を予定していましたが、現在は2027年2月に前倒しされています。SK Hynixはその時点で試作ラインの建設を開始し、3月から4月にかけて本格的な設備導入を実施、月間2万枚の生産能力拡大を目指します。

生産ラインでは主に第6世代10ナノメートル1c DRAMが製造され、AI関連の高付加価値DDRおよびLPDDR製品に利用される予定で、2027年のHBM4Eの最速商用化にも適用されます。設備導入を迅速化するため、SK Hynixは通常年末に行われる設備価格契約交渉を第3四半期初めに前倒しして実施します。

SK Hynixは同時にYongin Semiconductor Cluster全体の建設進捗も加速させています。本プロジェクトは総投資額約60兆ウォンで4つのファブから構成されており、第4ファブの完成目標は2045年から2033年に前倒しされました。Y1ファブの第2・第3フェーズクリーンルームの建設も今年後半に開始される見込みです。